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倾斜结构对LiTaO_(3)-POI多层结构的SAW谐振器性能的影响
1
作者
杨幸
帅垚
+2 位作者
罗文博
吴传贵
张万里
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2024年第8期950-956,共7页
旨在探究倾斜结构在LiTaO_(3)-POI多层结构上对SAW谐振器横向模态杂散的影响。通过有限元方法(FEM),构建两种单端口谐振器模型,半周期P为0.98μm和1.42μm,孔径均为40P。然后对一系列倾斜角度(0°,2.5°,5°,7.5°,10...
旨在探究倾斜结构在LiTaO_(3)-POI多层结构上对SAW谐振器横向模态杂散的影响。通过有限元方法(FEM),构建两种单端口谐振器模型,半周期P为0.98μm和1.42μm,孔径均为40P。然后对一系列倾斜角度(0°,2.5°,5°,7.5°,10°,12.5°,15°,17.5°,20°)进行了仿真分析,并完成版图绘制和流片测试。研究结果表明,实测数据与仿真结果之间具有高度一致性。在相同的半周期条件下,随着倾斜角度的增加,SAW谐振器对横向模态杂散抑制能力在一定范围内先增强后减弱。机电耦合系数随之逐渐减小,阻抗比的变化规律是先增大后降低,特别是在倾斜角度为2.5°和5°时,阻抗比达到最大值。这些规律揭示了倾斜结构对LiTaO_(3)-POI多层结构SAW谐振器横向模态杂散具有显著的抑制作用,为SAW滤波器的设计和制造提供了重要的理论依据和实践指导。研究结果表明,适当的倾斜角度能够有效优化SAW谐振器的性能,对于高性能射频滤波器的研制具有重要意义。
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关键词
litao
_(
3
)
-poi多
层
结构
倾斜
结构
机电耦合系数
阻抗比
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职称材料
题名
倾斜结构对LiTaO_(3)-POI多层结构的SAW谐振器性能的影响
1
作者
杨幸
帅垚
罗文博
吴传贵
张万里
机构
重庆邮电大学光电工程学院
电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2024年第8期950-956,共7页
基金
四川省科技计划基金(2020YFJ0002)。
文摘
旨在探究倾斜结构在LiTaO_(3)-POI多层结构上对SAW谐振器横向模态杂散的影响。通过有限元方法(FEM),构建两种单端口谐振器模型,半周期P为0.98μm和1.42μm,孔径均为40P。然后对一系列倾斜角度(0°,2.5°,5°,7.5°,10°,12.5°,15°,17.5°,20°)进行了仿真分析,并完成版图绘制和流片测试。研究结果表明,实测数据与仿真结果之间具有高度一致性。在相同的半周期条件下,随着倾斜角度的增加,SAW谐振器对横向模态杂散抑制能力在一定范围内先增强后减弱。机电耦合系数随之逐渐减小,阻抗比的变化规律是先增大后降低,特别是在倾斜角度为2.5°和5°时,阻抗比达到最大值。这些规律揭示了倾斜结构对LiTaO_(3)-POI多层结构SAW谐振器横向模态杂散具有显著的抑制作用,为SAW滤波器的设计和制造提供了重要的理论依据和实践指导。研究结果表明,适当的倾斜角度能够有效优化SAW谐振器的性能,对于高性能射频滤波器的研制具有重要意义。
关键词
litao
_(
3
)
-poi多
层
结构
倾斜
结构
机电耦合系数
阻抗比
Keywords
litao
_(
3
)
-poi
multilayer structure
tilted structure
electromechanical coupling coefficient
impedance ratio
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TN65 [电子电信—电路与系统]
TN713.2 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
倾斜结构对LiTaO_(3)-POI多层结构的SAW谐振器性能的影响
杨幸
帅垚
罗文博
吴传贵
张万里
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2024
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