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题名MIRAI—日本半导体纳米技术计划
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作者
老蔡
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出处
《电子产品世界》
2002年第05B期11-12,共2页
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文摘
日本曾经通过“产学官”联合组织的“超LSI研究组合”,率先在世界上开发出VLSI,80年代以DRAM产品赶过美国,称雄世界半导体市场。90年代日本却遭遇美国(通过MPU)、韩国(DRAM)和中国台湾(foundry代工)的前后夹击,成为“失去的10年”。痛定思痛,日本经过深思熟虑,跨进新千年,慎重提出了一项半导体MIRAI(新千年先进信息技术研究)七年计划,又一次采取“产学官”联手,共同开发。雄心勃勃,壮志凌云,意图通过这项计划,再铸日本半导体辉煌,提高竟争实力,重登新技术高峰。返观我国,今天对半导体固然已有认识,建立半导体产业热力四射,比日本还热。可是,冷静旁观,我国既没有看到像MIRAI那样的全面长期计划,而且组织体制上也只提“产学研”不提“产学官”,其实“官”的领导支持是不可或缺的。这恰恰是世界先进技术国家(地区)建立半导体产业的共同规律。为此,本文将详尽介绍日本半导体“MIRAI计划,供各有关方面参考。
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关键词
日本
半导体
纳米技术
mirai计划
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名日本经济产业省推行绝缘膜开发项目计划
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作者
李正
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出处
《精细与专用化学品》
CAS
2003年第5期33-33,共1页
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文摘
日本经济产业省(METI)推行名为太平盛世(Millennium)先进信息技术项目研究(MIRAI),计划于2004年3月开发出高介电常数绝缘膜(简称高K材料)和低介电常数层间绝缘膜(低K材料)。据悉。
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关键词
日本
经济产业省
绝缘膜开发项目
mirai计划
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分类号
F431.367
[经济管理—产业经济]
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