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Te对Mg_2Si基化合物结构和热电传输性能的影响 被引量：7
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作者 姜洪义 张联盟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期550-553,共4页
采用固相反应法在 82 3K温度下分别制备出了掺入 0 .1%和 0 .4%Te(摩尔分数 ,下同 )的Mg2 Si化合物 ,并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究。结果表明 :通过对Mg2 Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2 Si基热电材料的整体热电性... 采用固相反应法在 82 3K温度下分别制备出了掺入 0 .1%和 0 .4%Te(摩尔分数 ,下同 )的Mg2 Si化合物 ,并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究。结果表明 :通过对Mg2 Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2 Si基热电材料的整体热电性能。掺入 0 .4%Te试样的优值系数在 5 0 0K时达到 2 .4× 10 - 3W/(m·K2 ) ,比未掺杂的Mg2 Si试样提高了 1. 展开更多
关键词 TE mg2si基化合物 结构 热电传输性能 影响 固相反应 碲 掺杂 热电特性 热电材料
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