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题名射频磁控溅射法低温沉积MnZn铁氧体薄膜
被引量：1
- 1
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作者
李堃
兰中文
孙科
余忠
金慧
姬海宁
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第2期291-294,共4页
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文摘
采用磁控溅射法在Si(100)、Si(111)和玻璃基片上原位沉积MnZn铁氧体薄膜,用X线衍射(XRD)仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征薄膜的物相结构与微观形貌,用振动样品磁强计(VSM)测试薄膜的磁性能。结果表明,在Si(100)基片上原位沉积的MnZn铁氧体薄膜,在较低的基片加热温度(Ts=50℃)下即可晶化;Ts升高,MnZn铁氧体薄膜的XRD衍射峰强度逐渐增强;当Ts≤150℃时,MnZn铁氧体薄膜X线衍射主峰为(311),但当Ts≥200℃后,MnZn铁氧体薄膜沿{111}晶面生长。在Si(111)和玻璃基片上沉积的MnZn铁氧体薄膜,其XRD衍射主峰分别为(111)和(311)。
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关键词
mnzn铁氧体薄膜
射频磁控溅射
原位沉积
基片温度
取向生长
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Keywords
mnzn ferrite film
RF magnetron sputtering
in-situ deposition
substrate temperature
oriented growth
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分类号
TM277.1
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名退火温度对MnZn铁氧体薄膜性能的影响
被引量：1
- 2
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作者
史富荣
余忠
孙科
李金龙
李雪
兰中文
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《实验科学与技术》
2011年第2期22-25,共4页
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文摘
采用射频磁控溅射法在Si(111)基片上沉积了MnZn铁氧体薄膜,用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的物相结构,用振动样品磁强计(VSM)测量薄膜面内饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc。结果表明:随着退火温度的升高,MnZn铁氧体薄膜的X射线衍射峰强度逐渐增强,且主峰逐渐由(311)峰变为(222)峰,沿(111)面取向生长明显。薄膜的饱和磁化强度和矫顽力均随着退火温度的升高而升高。
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关键词
mnzn铁氧体薄膜
射频磁控溅射
相结构
饱和磁化强度
矫顽力
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Keywords
mnzn ferrite film
RF magnetron sputtering
phase structure
saturation magnetization
coercive force
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分类号
TM277.1
[一般工业技术—材料科学与工程]
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