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MoS_2/Si异质薄膜综合实验研究 被引量：1
1
作者 刘云杰 郝兰众 +2 位作者 高伟 张亚萍 刘伟华 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2017年第3期43-46,共4页
为了让学生更好地了解研究前沿和激发学生对科研探索的兴趣,在大量科学研究工作基础上,设计了MoS_2/Si异质薄膜的制备、微结构表征和气敏性能测量综合实验。该实验选题新颖,涵盖知识点丰富,实验各环节联系紧密,有利于深化学生对理论知... 为了让学生更好地了解研究前沿和激发学生对科研探索的兴趣,在大量科学研究工作基础上,设计了MoS_2/Si异质薄膜的制备、微结构表征和气敏性能测量综合实验。该实验选题新颖,涵盖知识点丰富,实验各环节联系紧密,有利于深化学生对理论知识的理解和培养学生的创新思想,有利于培养学生综合运用所学知识独立进行科学研究的素质能力。 展开更多
关键词 mos2/si异质薄膜 气体敏感性 综合实验
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MoS_2/Si异质结的接触和伏安特性的研究（英文） 被引量：5
2
作者 顾伟霞 马锡英 《苏州科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2015年第2期41-46,共6页
单层硫化钼(MoS2)因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度(n-MoS2)和受主掺杂浓度(p-Si)对能带结构和输运特性的... 单层硫化钼(MoS2)因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度(n-MoS2)和受主掺杂浓度(p-Si)对能带结构和输运特性的影响。研究表明:MoS2/Si异质结的内建电势和势垒区宽度由施主、受主掺杂浓度共同决定。随着掺杂浓度的升高,内建电势VD逐渐增大,而势垒区宽度XD呈明显减小的趋势。另外,发现p-Si的受主掺杂浓度决定了MoS2/Si异质结的电流密度和反向饱和电流密度,均随着p-Si的受主掺杂浓度的增大而减小,但与n-MoS2的掺杂浓度关系不大。 展开更多
关键词 mos2/si异质结 接触特性 伏安特性
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热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进 被引量：1
3
作者 谭利文 王俊 +5 位作者 王启元 郁元桓 刘忠立 邓惠芳 王建华 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1178-1181,共4页
采用高真空 MOCVD外延技术 ,利用 TMA( Al( CH3) 3)和 O2 作为反应源 ,在 Si( 10 0 )衬底上外延生长γ-Al2 O3 绝缘膜形成 γ-Al2 O3/ Si异质结构材料 .同时 ,引入外延后退火工艺以便改善 γ-Al2 O3 薄膜的晶体质量及电学性能 .测试结... 采用高真空 MOCVD外延技术 ,利用 TMA( Al( CH3) 3)和 O2 作为反应源 ,在 Si( 10 0 )衬底上外延生长γ-Al2 O3 绝缘膜形成 γ-Al2 O3/ Si异质结构材料 .同时 ,引入外延后退火工艺以便改善 γ-Al2 O3 薄膜的晶体质量及电学性能 .测试结果表明 ,通过在 O2 常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2 O3 外延层的残余热应力及孪晶缺陷 ,改善外延层的晶体质量 ,同时可以提高 MOS电容的抗击穿能力 。 展开更多
关键词 热退火 γAl2O3 si异质结构薄膜 SOI MOCVD γ氧化铝 半导体
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Si/MoS2及C-Si/MoS2涂层在不同湿度条件下摩擦磨损性能 被引量：2
4
作者 谷继品 蔡群 +3 位作者 钱建国 陈盛宇 吴洋 蒲吉斌 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2020年第7期111-116,122,共7页
为了改善传统MoS2涂层的摩擦学性能,利用中频直流磁控溅射技术在硅片和304不锈钢上沉积Si/MoS2和2种不同碳含量的C-Si/MoS2复合薄膜,利用扫描电镜(SEM)配备的EDS设备对薄膜的成分及厚度进行表征,利用真空摩擦磨损试验机(CSM)测试不同湿... 为了改善传统MoS2涂层的摩擦学性能,利用中频直流磁控溅射技术在硅片和304不锈钢上沉积Si/MoS2和2种不同碳含量的C-Si/MoS2复合薄膜,利用扫描电镜(SEM)配备的EDS设备对薄膜的成分及厚度进行表征,利用真空摩擦磨损试验机(CSM)测试不同湿度条件下Si/MoS2和C-Si/MoS2的摩擦磨损性能。结果表明:2种不同碳含量的C-Si/MoS2含有相似的Si含量,Si在薄膜中以单质的形式存在;Si/MoS2薄膜随着湿度的增加,摩擦因数持续增加,同Si/MoS2薄膜相比,掺碳量49.08%(原子分数)的C-Si/MoS2薄膜摩擦性能得到优化,仅在24%湿度下摩擦因数高于纯Si/MoS2薄膜;含碳量为49.08%的C-Si/MoS2薄膜磨损程度最小,这是因为C在摩擦过程中易剪切滑移,与MoS2耦合润滑,优化了薄膜的摩擦学性能;真空下,Si/MoS2薄膜及C-Si/MoS2薄膜的磨损机制为黏着磨损,而在不同湿度条件下,由于水蒸气和氧气的作用,Si/MoS2薄膜及C-Si/MoS2薄膜均会发生氧化磨损及磨粒磨损。 展开更多
关键词 si/mos2薄膜 C-si/mos2薄膜 摩擦磨损 耦合润滑
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垂直型MoS2/C60范德华异质结的研究
5
作者 潘志伟 邓金祥 +5 位作者 张浩 白志英 李瑞东 王贵生 段苹 王吉有 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期20-26,共7页
研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/C60/Al结构的器件... 研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/C60/Al结构的器件。对MoS2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS2,C60及MoS2/C60薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS2晶型为2H型;由于在MoS2和C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜喇曼特征峰发生红移;MoS2/C60薄膜在可见光范围内具有明显的光吸收特性;异质结表现出良好的整流特性,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射,空间电荷限制电流传导(SCLC)和隧穿现象。 展开更多
关键词 mos2 C60 薄膜 异质结 导电模型
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二维MoS2/石墨烯异质结对圆偏振光的光电响应 被引量：1
6
作者 吴小虎 彭英姿 +1 位作者 郑奇烨 李源 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 2020年第2期74-79,共6页
使用化学气相沉积法在石墨烯/SiO2/Si基底上沉积二维MoS2薄膜制备MoS2/石墨烯异质结,探究该异质结在不同偏振态圆偏振光照射下的光电响应。研究MoS2/石墨烯异质结在不同角度圆偏振光照射下Ⅰ-Ⅴ特性曲线和开路电压的变化规律。结果表明:... 使用化学气相沉积法在石墨烯/SiO2/Si基底上沉积二维MoS2薄膜制备MoS2/石墨烯异质结,探究该异质结在不同偏振态圆偏振光照射下的光电响应。研究MoS2/石墨烯异质结在不同角度圆偏振光照射下Ⅰ-Ⅴ特性曲线和开路电压的变化规律。结果表明:MoS2/石墨烯异质结电流随圆偏振光偏振角的变化周期为π,开路电压随圆偏振光偏振角的变化周期为π/2。实验揭示了在圆偏振光激发下,MoS2/石墨烯异质结的光电响应呈现出周期性变化。 展开更多
关键词 mos2/石墨烯异质结 原子层厚度mos2薄膜 圆偏振光 Ⅰ-Ⅴ特性
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二维WS2薄膜的制备及光电特性 被引量：1
7
作者 丁馨 徐铖 +2 位作者 许珂 朱静怡 马锡英 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第5期366-371,共6页
以硫化钨(WS2)水溶液为原料、氩气为携载气体、利用化学气相沉积(CVD)法在硅衬底上制备了二维WS2薄膜,并研究了其形貌、晶体结构、光吸收特性及光电特性等。发现利用该方法生长的WS2薄膜非常光滑均匀,并具有良好的结晶性。另外,发现WS2... 以硫化钨(WS2)水溶液为原料、氩气为携载气体、利用化学气相沉积(CVD)法在硅衬底上制备了二维WS2薄膜,并研究了其形貌、晶体结构、光吸收特性及光电特性等。发现利用该方法生长的WS2薄膜非常光滑均匀,并具有良好的结晶性。另外,发现WS2薄膜不仅在466 nm处有很强的蓝光发射,还在617和725 nm处有显著的红光发射,前者可能是由于量子尺寸效应引起的分立能级的发光,后者则分别对应WS2单层和多层的本征发射。最后,研究了WS2/Si异质结的光电效应和温度效应,发现随照射光功率或温度的增加,异质结的电流显著增大,说明WS2/Si异质结对光照和温度非常敏感,可用于制备太阳电池和光探测器等新型光电子器件。 展开更多
关键词 硫化钨(WS2)薄膜 化学气相沉积(CVD)法 WS2/si异质结 光电特性 温度效应
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石墨烯/二硫化钼异质结的研制 被引量：2
8
作者 史永胜 李晓明 +2 位作者 刘丹妮 姜佳敏 伍媛婷 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2015年第3期63-67,104,共6页
应用两种结构类似的二维纳米薄膜材料石墨烯和MoS2纳米片设计了一种新型异质结器件.首先利用磁控溅射方法制备出MoS2薄膜,然后在MoS2薄膜上利用化学气相沉积法(CVD)法制备石墨烯;进而采用磁控溅射法沉积铜(Cu)接触电极,并进行表征与测试... 应用两种结构类似的二维纳米薄膜材料石墨烯和MoS2纳米片设计了一种新型异质结器件.首先利用磁控溅射方法制备出MoS2薄膜,然后在MoS2薄膜上利用化学气相沉积法(CVD)法制备石墨烯;进而采用磁控溅射法沉积铜(Cu)接触电极,并进行表征与测试.在适当的工艺条件下,石墨烯和MoS2结合能够形成具有线性伏安特征的异质结. 展开更多
关键词 石墨烯薄膜 mos2薄膜 异质结 磁控溅射
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