逐个电子双柱衍射和势垒贯穿的Monte Carlo计算机模拟 被引量：4

1

作者 赵亮 傅玮 +1 位作者 王小东 卢志恒 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期369-372,共4页

采用便于计算的双柱形势垒代替双缝 ,应用波恩近似的方法算出了微分散射截面 ,并用MonteCarlo方法实现了电子衍射条纹产生的动态模拟 ,随之实现了一维势垒贯穿的计算机模拟。

关键词 量子力学可视化 monte carlo模型 电子衍射 势垒贯穿 计算机模拟 微分散射截面

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单电子器件的Monte Carlo模拟

2

作者 何红波 周继承 +1 位作者 胡慧芳 李义兵 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2000年第4期47-50,共4页

文章介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。

关键词 monte carlo模拟 单电子器件 单电子晶体管

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单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

3

作者 卢刚 李静 《西安理工大学学报》 CAS 2007年第4期375-378,共4页

建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果... 建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定。 展开更多

关键词 单电子存储器 monte carlo模拟 存储时间

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多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟

4

作者 许海霞 李钱光 +3 位作者 杨毅 闵永泉 李志扬 刘武 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期214-218,共5页

本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。

关键词 蒙特卡罗模拟 单电子动态存储器 多隧道结 隧道结电容 隧道结电阻 脉冲电压幅度 存储时间 充电电荷

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单电子加法器的Monte Carlo模拟

5

作者 许海霞 《微纳电子技术》 CAS 2007年第3期116-119,共4页

建立了一个单电子加法器的物理模型,采用Monte Carlo法对其进行数值模拟,分析了温度、栅极电容及隧道结电容等参数对单电子加法器的电学特性的影响。发现加法器对温度和栅极电容器的电容变化非常敏感,而改变隧道结的电容、电阻对单电子... 建立了一个单电子加法器的物理模型,采用Monte Carlo法对其进行数值模拟,分析了温度、栅极电容及隧道结电容等参数对单电子加法器的电学特性的影响。发现加法器对温度和栅极电容器的电容变化非常敏感,而改变隧道结的电容、电阻对单电子加法器的电学特性的影响不明显。 展开更多

关键词 蒙特卡罗模拟 单电子加法器 电学特性

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用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo模拟 被引量：6

6

作者 王伟 黄岚 +8 位作者 张宇 李昌敏 张海黔 顾宁 沈浩瀛 陈堂生 郝丽萍 彭力 赵丽新 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期63-67,共5页

用分子自组装技术制备出纳米金单电子器件 ,并测量了其伏安特性 ,根据单电子系统的半经典理论 ,用MonteCarlo法对其结果进行了模拟 .结果表明 ,模拟出的伏安曲线与实测的伏安曲线有较好的一致性 ,反映了模拟方法用于单电子器件研究的合... 用分子自组装技术制备出纳米金单电子器件 ,并测量了其伏安特性 ,根据单电子系统的半经典理论 ,用MonteCarlo法对其结果进行了模拟 .结果表明 ,模拟出的伏安曲线与实测的伏安曲线有较好的一致性 ,反映了模拟方法用于单电子器件研究的合理性 ,此外发现 ,虽然单电子器件两电极间含有众多的纳米粒子 ,但在低压区 。 展开更多

关键词 单电子器件 montecarlo模拟 分子自组装 制备 纳米结构器件

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单电子器件的仿真 被引量：2

7

作者 何红波 周继承 +1 位作者 胡慧芳 李义兵 《计算机仿真》 CSCD 2000年第4期56-58,65,共4页

该文介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的仿真程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行... 该文介绍了一种利用正统理论与 Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的仿真程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序，对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。 展开更多

关键词 隧道结 单电子器件 单电子效应 仿真

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二维纳米点阵列的Monte-Carlo模拟 被引量：1

8

作者 何红波 周继承 +2 位作者 胡慧芳 李义兵 姚凯伦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期1453-1456,共4页

介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte Carlo方法模拟二维量子点阵列的程序 .数值计算结果表明 ,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 。

关键词 monte-carlo模拟 单电子 金属 二维纳米点阵列

原文传递

随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析

9

作者 王伟 张海黔 顾宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期14-17,共4页

根据单电子现象的半经典理论 ,采用 Monte Carlo方法 ,对三种 SED电路进行模拟 ,结果发现 ,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力。

关键词 单电子 随机背景极化电荷 monte carlo模拟 集成电路 电荷极化效应

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基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较 被引量：3

10

作者 许海霞 李钱光 +1 位作者 闵永泉 李志扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1483-1489,共7页

采用MonteCarlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟 ,分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响 ,发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长 .

关键词 蒙特卡罗模拟 单电子存储器 存储时间 多隧道结型 对称陷阱型

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单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模(英文)

11

作者 孙海定 江建军 《微纳电子技术》 CAS 2008年第4期198-204,共7页

以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等... 以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。 展开更多

关键词 单电子晶体管 单电子隧穿 库仑阻塞 库仑台阶 蒙特卡罗 HSPICE

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