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Injection of N-Radicals into Diesel Engine Exhaust Treated by Plasma for Improved NO_x Removal: A Feasibility Study 被引量:3
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作者 B. S. RAJANIKANTH B. R. SUSHMA 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第2期202-206,共5页
Reported in this paper is a feasibility study on the injection of plasma induced N radicals for the abatement of NO and NOx present in the actual diesel exhaust. The radical laden diesel exhaust was further treated by... Reported in this paper is a feasibility study on the injection of plasma induced N radicals for the abatement of NO and NOx present in the actual diesel exhaust. The radical laden diesel exhaust was further treated by discharge plasma in a dielectric barrier discharge reactor. N radicals were produced in a separate plasma reactor filled with BaTiO3 pellets and were then injected into the treatment zone, There was a significant improvement in the efficiency when the radicals were injected compared to that when there was no radical injection. The efficiency of NOx removal at 0 load with plasma alone was 14% whereas with the injection of N radicals it went up to 38%, The results of the experiments conducted at different loads are discussed, 展开更多
关键词 n-radical diesel engine exhaust nOx removal plasma treatment
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等离子体表面处理对硅衬底GaN基蓝光发光二极管内置n型欧姆接触的影响 被引量:1
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作者 封波 邓彪 +4 位作者 刘乐功 李增成 冯美鑫 赵汉民 孙钱 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期247-253,共7页
硅衬底GaN基发光二极管(LED)的内置n型欧姆接触在晶圆键合时的高温过程中常常退化,严重影响LED的工作电压等器件性能.本文深入研究了内置n电极蒸镀前对n-GaN表面的等离子体处理工艺对硅衬底GaN基发光二极管n型欧姆接触特性的影响.实验... 硅衬底GaN基发光二极管(LED)的内置n型欧姆接触在晶圆键合时的高温过程中常常退化,严重影响LED的工作电压等器件性能.本文深入研究了内置n电极蒸镀前对n-GaN表面的等离子体处理工艺对硅衬底GaN基发光二极管n型欧姆接触特性的影响.实验结果表明,1.1 mm×1.1 mm的LED芯片在350 m A电流下,n-GaN表面未做等离子体处理时,n电极为高反射率Cr/Al的芯片正向电压为3.43 V,比n电极为Cr的芯片正向电压高0.28 V.n-GaN表面经O2等离子体表面处理后,Cr/Al和Cr电极芯片的正向电压均有所降低,但Cr/Al电极芯片的正向电压仍比Cr电极芯片高0.14 V.n-GaN表面经Ar等离子体处理后,Cr/Al电极芯片正向电压降至Cr电极芯片的正向电压,均为2.92 V.利用X射线光电子能谱对Ar等离子体处理前后的n-GaN表面进行分析发现,Ar等离子体处理增加了n-GaN表面的N空位(施主)浓度,更多的N空位可以提高n型欧姆接触的热稳定性,缓解晶圆键合的高温过程对n型欧姆接触特性的破坏.同时还发现,经过Ar等离子体处理并用HCl清洗后,n-GaN表面的O原子含量略有增加,但其存在形式由以介电材料GaO_x为主转变为导电材料GaO_xN_(1-x)和介电材料GaO_x含量相当的状态,这会使得接触电阻进一步降低.上述两方面的变化均有利于降低LED芯片的正向电压. 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 等离子体表面处理 n型欧姆接触
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等离子体表面改性N掺杂TiO_2气凝胶的光催化性能研究 被引量:1
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作者 刘梦磊 徐祖伟 赵海波 《新能源进展》 2017年第2期91-96,共6页
采用溶胶–凝胶及超临界CO_2干燥合成了TiO_2气凝胶,采用非平衡态氮气直流等离子体表面改性技术对气凝胶处理得到掺氮TiO_2气凝胶(N-TiO_2)。通过BET、UV-Vis、XRD、SEM、XPS等技术对样品的微观形貌、晶体结构及含氮量进行分析表征。结... 采用溶胶–凝胶及超临界CO_2干燥合成了TiO_2气凝胶,采用非平衡态氮气直流等离子体表面改性技术对气凝胶处理得到掺氮TiO_2气凝胶(N-TiO_2)。通过BET、UV-Vis、XRD、SEM、XPS等技术对样品的微观形貌、晶体结构及含氮量进行分析表征。结果表明,TiO_2气凝胶具有远高于P25(DEGUSSA公司生产的商用二氧化钛)的孔隙率和比表面积。而在等离子体表面改性掺N之后,TiO_2气凝胶依然能保持较高的孔隙率和比表面积。在甲醇作为牺牲剂的水溶液中分别对P25、纯TiO_2气凝胶和N-TiO_2气凝胶的光催化性能进行测试。结果表明,纯TiO_2气凝胶与P25的催化效率基本一致,在高压汞灯作为光源的情况下最高产氢速率可达0.6μmol/min。而通过等离子体表面改性掺N的N-TiO_2气凝胶产氢速率是P25的1.5倍,达到0.9μmol/min。 展开更多
关键词 TiO2气凝胶 超临界干燥 等离子体表面改性 n掺杂 光催化制氢
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16Mn钢离子渗氮和离子S-C-N共渗表面摩擦学性能 被引量:1
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作者 陈锐 吴晓春 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期56-60,共5页
16Mn钢在离子渗氮基础上采用S C N的离子共渗技术制备出一层硫化物层 ,在半润滑条件下 ,以LY12铝合金圆环为对摩下试样 ,分别与 16Mn钢表面渗碳和渗硫试样进行对摩试验 ;采用了GCr15钢为对摩下试样来测定 16Mn钢表面渗碳和渗硫试样的磨... 16Mn钢在离子渗氮基础上采用S C N的离子共渗技术制备出一层硫化物层 ,在半润滑条件下 ,以LY12铝合金圆环为对摩下试样 ,分别与 16Mn钢表面渗碳和渗硫试样进行对摩试验 ;采用了GCr15钢为对摩下试样来测定 16Mn钢表面渗碳和渗硫试样的磨损规律。用扫描电子显微镜 ,EDAX和XRD对磨损试样的磨痕形貌及成分做了分析。结果表明 :与渗硫试样对摩的LY12铝合金圆环的表面粗糙度、磨损率、平均摩擦系数以及摩擦系数波动的幅度都比与渗碳试样对摩的要低 ;与LY12铝合金对摩过程中 ,渗硫层能够有效地避免粘着磨损 ,并且GCr15钢对摩过程中 ,渗硫层能够有效地降低16Mn钢的磨损程度。 展开更多
关键词 离子S-C-n共渗 磨损 摩擦系数
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固溶处理对Mn-N型双相不锈钢堆焊层耐点蚀性能的影响 被引量:1
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作者 谢秉錡 包晔峰 +2 位作者 许伟康 王子睿 郭林坡 《电焊机》 2021年第9期20-24,30,I0004,共7页
为改善钢铁材料的耐点蚀性能,采用等离子堆焊在Q235钢板上制备Mn-N型双相不锈钢堆焊层。分别采用卧式显微镜和配备EDS的扫描电镜,观测经不同温度固溶处理后堆焊层的显微组织,分析各元素在两相中的分布;采用Fe Cl3溶液对堆焊层进行点蚀... 为改善钢铁材料的耐点蚀性能,采用等离子堆焊在Q235钢板上制备Mn-N型双相不锈钢堆焊层。分别采用卧式显微镜和配备EDS的扫描电镜,观测经不同温度固溶处理后堆焊层的显微组织,分析各元素在两相中的分布;采用Fe Cl3溶液对堆焊层进行点蚀浸泡试验,并测量堆焊层在3.5 wt.%Na Cl溶液下的电化学交流阻抗谱(EIS),研究固溶处理温度对Mn-N型双相不锈钢等离子堆焊层的耐点蚀性能的影响。结果表明:随着双相不锈钢堆焊层固溶处理温度的升高,其显微组织中铁素体的耐点蚀性能下降,而奥氏体的耐点蚀性能上升,堆焊层整体的耐点蚀性能呈现先上升后下降的趋势;经1230℃固溶处理后,堆焊层点蚀速率最低,为0.0176 g/h;同时,电化学阻抗谱显示,经1230℃固溶处理后,堆焊层具有最高的耐点蚀性能。固溶处理使合金元素在两相中重新分布,是造成不同温度固溶处理后堆焊层的耐点蚀性能产生差异的主要原因。 展开更多
关键词 固溶处理 双相不锈钢 等离子堆焊 点蚀
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氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充(英文)
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作者 张念华 万先进 +11 位作者 李远 许爱春 潘杰 左明光 胡凯 詹侃 宋锐 毛格 彭浩 李晓静 闫薇薇 曾传滨 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第11期925-932,938,共9页
在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(... 在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。 展开更多
关键词 钨填充 孔洞 氮等离子体处理 氮化钨薄膜 延迟时间 乙硼烷(B2H6)
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终末期心力衰竭患者伴血浆N-端脑利钠肽前体浓度反常下降的临床研究及对患者预后的影响
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作者 李伟 《首都食品与医药》 2022年第9期41-44,共4页
目的 探讨终末期心力衰竭患者伴血浆N-端脑利钠肽前体(NT-proBNP)浓度反常下降的临床研究及对患者预后治疗方案的影响.方法 取2020年6月-2021年6月医院收治的终末期心力衰竭患者60例纳入观察组,另选择同期住院NYHA心功能分级为IV级的60... 目的 探讨终末期心力衰竭患者伴血浆N-端脑利钠肽前体(NT-proBNP)浓度反常下降的临床研究及对患者预后治疗方案的影响.方法 取2020年6月-2021年6月医院收治的终末期心力衰竭患者60例纳入观察组,另选择同期住院NYHA心功能分级为IV级的60例患者纳入对照组.采用电化学发光免疫法测定两组NT-proBNP水平.利用超声心动图测定两组LVEDS、LVEDD、LVEF、左室室壁厚度和活动度.患者均给予曲美他嗪治疗,连续治疗2个月,治疗完毕后再次检测NT-proBNP、LVEDS、LVEDD、LVEF、左室室壁厚度和活动度.结果 观察组左室收缩末横径、左室舒张末横径,均高于对照组(P<0.05);观察组左室射血分数、左室室壁厚度、活动度,均低于对照组(P<0.05);观察组NT-proBNP水平低于对照组(P<0.05);观察组治疗后左室收缩末横径、左室舒张末横径仍均高于对照组(P<0.05);观察组治疗后左室射血分数及NT-proBNP水平、左室室壁厚度、活动度仍均低于对照组(P<0.05).结论 终末期心力衰竭患者常伴有NT-proBNP水平反常下降,提示依赖患者NT-proBNP水平的测定来判断病情的严重情况存在局限性.加强患者NT-proBNP水平的监测有利于指导临床治疗,终末期心力衰竭患者治疗过程中还应加强患者药物干预,让患者按时、按量用药,善于根据患者恢复情况调节药物剂量,避免影响临床治疗效果. 展开更多
关键词 终末期心力衰竭 血浆n-端脑利钠肽前体 反常下降 治疗方案
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