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退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响
被引量：
9
1
作者
秦国平
孔春阳
+2 位作者
阮海波
南貌
朱仁江
《重庆师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2008年第1期64-66,72,共4页
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600...
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。
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关键词
n-in共掺杂
P型ZNO
退火
透射谱
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职称材料
In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响
被引量：
3
2
作者
罗红波
谭劲
+1 位作者
杨福华
池召坤
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期59-62,共4页
采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜，对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构，电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少，晶粒外形更...
采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜，对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构，电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少，晶粒外形更规则，C轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向P型转变；当前驱体溶液中In的比例〉0．03后，可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。
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关键词
ZNO薄膜
n-in共掺杂
缺陷
光致发光
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职称材料
题名
退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响
被引量：
9
1
作者
秦国平
孔春阳
阮海波
南貌
朱仁江
机构
重庆师范大学物理与信息技术学院
出处
《重庆师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2008年第1期64-66,72,共4页
基金
重庆市自然科学基金(No.AC4034)
重庆市教委项目(No.KJ050812)
文摘
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。
关键词
n-in共掺杂
P型ZNO
退火
透射谱
Keywords
n-in
codoped
p-type ZnO films
anneal
transmission spectrum
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响
被引量：
3
2
作者
罗红波
谭劲
杨福华
池召坤
机构
中国地质大学（武汉）材料科学与化学工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期59-62,共4页
基金
基金项目：教育部留学回国人员科研启动基金资助项目（教外司留[2005]546）
国家自然科学基金资助项目（40643018）
文摘
采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜，对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构，电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少，晶粒外形更规则，C轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向P型转变；当前驱体溶液中In的比例〉0．03后，可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。
关键词
ZNO薄膜
n-in共掺杂
缺陷
光致发光
Keywords
ZnO thin film
n-in
codoping
defect
photoluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响
秦国平
孔春阳
阮海波
南貌
朱仁江
《重庆师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2008
9
下载PDF
职称材料
2
In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响
罗红波
谭劲
杨福华
池召坤
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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职称材料
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