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氮气低温等离子体辅助制备N-TiO2及其光催化活性 被引量：3
1
作者 赵文霞 王蕊 +3 位作者 张硕 肖滨滨 赵玉 刘帅 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期752-757,764,共7页
以钛酸丁酯为钛源、尿素为氮源,采用溶胶-凝胶法制得N-TiO2中间体。分别经过"N2氛围煅烧"、"N2等离子体处理+N2氛围煅烧"和"N2氛围煅烧+N2等离子体处理"3种处理方式制得N-TiO2光催化剂,分别记作N-TiO2(C)... 以钛酸丁酯为钛源、尿素为氮源,采用溶胶-凝胶法制得N-TiO2中间体。分别经过"N2氛围煅烧"、"N2等离子体处理+N2氛围煅烧"和"N2氛围煅烧+N2等离子体处理"3种处理方式制得N-TiO2光催化剂,分别记作N-TiO2(C)、N-TiO2(LTP+C)和N-TiO2(C+LTP)。借助XRD、TEM、EDS、UV-VisDRS和XPS表征手段,以甲基橙(MO)溶液为目标污染物,考察了N-TiO2的可见光催化性能。结果表明,经过N2等离子体处理的N-TiO2比单纯煅烧的N-TiO2晶粒尺寸更小,对可见光的响应性更强,且N的掺入量更高。可见光照射240min内,3种N-TiO2对MO的光降解性能由高到低依次为N-TiO2(LTP+C)>N-TiO2(C+LTP)>N-TiO2(C),其中MO的最大降解率为90%。3种N-TiO2对MO的光降解性能均符合假一级动力学方程,且N-TiO2(LTP+C)和N-TiO2(C+LTP)的表观速率常数分别是N-Ti O2(C)的4.5倍和1.9倍。研究得出,在N-TiO2的制备过程中引入N2等离子体处理工序,有利于改善N元素的表面分散性,增加N元素的掺入量,能提升N-TiO2可见光催化活性,且"N2等离子体处理+N2氛围煅烧"处理方式最佳。 展开更多
关键词 TIO2 氮掺杂 n2等离子体 制备 可见光 光催化活性
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采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文)
2
作者 秦志新 陈志忠 +1 位作者 周建辉 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-118,共5页
研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形... 研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形成多晶结构。当增加N2 气压时 ,损伤变得更严重。但是 ,在关闭N2 发生器挡板的情况下 ,在 5 0 0℃下 ,经过氮化将观察到 ( 3× 3)再构的RHEED花样 ,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明 ,不开N2 发生器挡板 ,低温 ( 5 0 0℃下 )氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c GaN。 展开更多
关键词 Gan 分子束外延 MBE系统 GAAS 砷化镓 氮化镓 n2-RF等离子体氮化
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N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响
3
作者 蔡文浩 黄建浩 +1 位作者 李东升 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期132-134,共3页
采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后... 采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。 展开更多
关键词 富硅氮化硅 n2O等离子体 光致发光 电致发光
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40.68MHz激发的N_2容性耦合等离子体径向不均匀性研究
4
作者 张杰 徐海朋 +1 位作者 陆文琪 辛煜 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第3期54-60,共7页
通过使用扫描发射光谱仪和朗缪尔双探针的测量方法研究了40.68MHz的射频驱动的N2容性耦合等离子体的不均匀性。发现在高气压和高输入功率的条件下,容性放电中的中心峰值是由驻波效应造成的,而在靠近径向边缘的峰值是由感应电场造成的,... 通过使用扫描发射光谱仪和朗缪尔双探针的测量方法研究了40.68MHz的射频驱动的N2容性耦合等离子体的不均匀性。发现在高气压和高输入功率的条件下,容性放电中的中心峰值是由驻波效应造成的,而在靠近径向边缘的峰值是由感应电场造成的,这些引起了发射光谱在电极表面超过20%的不均匀性。然而,N2容性放电的振-转动温度展示了低于10%的不均匀性,这可能是由有较大的径向弛豫时间的和高密度的亚稳态粒子的主导碰撞造成的. 展开更多
关键词 不均匀性 n2容性耦合等离子体 射频 扫描发射光谱仪 朗缪尔双探针 振-转动温度
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InP表面氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响 被引量：1
5
作者 曹明民 林子曾 +5 位作者 王盛凯 李琦 肖功利 高喜 刘洪刚 李海鸥 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期110-116,共7页
采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N_2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表... 采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N_2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表面自然氧化物的形成,改善界面质量,提高Al_2O_3/InP MOS电容的电学性能。氮化之后,在Al_2O_3/InP界面会形成一个约为0.8 nm厚的界面层,积累区频散由7.8%降低至3.5%,滞回由130减小至60 mV,界面缺陷密度由5×10^(12)降低至2×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1),边界缺陷密度由9×10^(11)降低至5.85×10^(11)V^(-1)cm^(-2),栅漏电流由9×10^(-5)降低至2.5×10^(-7)A/cm^2,这些数据充分证明了采用N_2等离子体直接处理InP表面来钝化Al_2O_3/InP界面的方法是有效的。 展开更多
关键词 n2等离子体 界面缺陷 边界缺陷 滞回 频散 漏电流
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N_2射频放电带电粒子(e,N_2^+,N^+)的PIC-MC模拟 被引量：1
6
作者 杨莹 付东儒 张连珠 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期206-212,共7页
采用PIC-MC自洽模型,模拟了氮气电容性耦合射频放电的微观等离子体过程及带电粒子(e,N2+,N+)的行为。结果表明,离子(N2+,N+)的运动状态滞后瞬时射频电场的变化;在两极附近,N2+具较高密度,但能量较低,N+具较低的密度但能量较高,两者的密... 采用PIC-MC自洽模型,模拟了氮气电容性耦合射频放电的微观等离子体过程及带电粒子(e,N2+,N+)的行为。结果表明,离子(N2+,N+)的运动状态滞后瞬时射频电场的变化;在两极附近,N2+具较高密度,但能量较低,N+具较低的密度但能量较高,两者的密度差6倍左右。两种离子轰击射频电极的能量分布变化规律类似,随放电参数变化,离子(N2+,N+)能量变化显著,其密度变化不明显。模拟的电子能量几率分布与测量结果一致。 展开更多
关键词 n2等离子体 射频放电 PIC—MC模拟
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N_2微空心阴极放电特性及其阴极溅射的PIC/MC模拟 被引量：5
7
作者 张连珠 孟秀兰 +2 位作者 张素 高书侠 赵国明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期252-261,共10页
采用两维PIC/MCC模型模拟了氮气微空心阴极放电以及轰击离子(N+2,N+)的钛阴极溅射.主要计算了氮气微空心阴极放电离子(N+2,N+)及溅射原子Ti的行为分布,并研究了溅射Ti原子的热化过程.结果表明:在模拟条件下,空心阴极效应是负辉区叠加的... 采用两维PIC/MCC模型模拟了氮气微空心阴极放电以及轰击离子(N+2,N+)的钛阴极溅射.主要计算了氮气微空心阴极放电离子(N+2,N+)及溅射原子Ti的行为分布,并研究了溅射Ti原子的热化过程.结果表明:在模拟条件下,空心阴极效应是负辉区叠加的电子震荡;在对应条件下,微空心较传统空心放电两种离子(N+2,N+)密度均大两个量级,两种离子的平均能量的分布及大小几乎相同;在放电空间N+的密度约为N+2的1/6,最大能量约大2倍;在不同参数(P,T,V)下,轰击阴极内表面的氮离子(N+2,N+)的密度近似均匀,其平均能量几乎相等;从阴极溅射出的Ti原子的初始平均能量约6.8eV,离开阴极约0.15mm处几乎完全被热化.模拟结果为N2微空心阴极放电等离子体特性的认识提供了参考依据. 展开更多
关键词 微空心阴极放电 PIC MC模拟 n2等离子体
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氮气射频放电与直流放电PIC/MC模拟的比较 被引量：1
8
作者 张连珠 赵海涛 +2 位作者 孙倩 姚福保 杨巍 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2012年第2期227-233,共7页
建立氮气容性射频等离子体过程的PIC/MC模型,将模拟结果与直流放电进行比较.结果表明:射频等离子体粒子(e,N 2+,N+)的平均密度较直流放电约大一个量级,在射频电极附近粒子(e,N 2+,N+)的平均能量比直流放电阴极附近的能量低3倍左右;密度... 建立氮气容性射频等离子体过程的PIC/MC模型,将模拟结果与直流放电进行比较.结果表明:射频等离子体粒子(e,N 2+,N+)的平均密度较直流放电约大一个量级,在射频电极附近粒子(e,N 2+,N+)的平均能量比直流放电阴极附近的能量低3倍左右;密度偏低的原子离子N+在两电极附近具较高的能量,能量较低的分子离子N 2+在放电空间具较高密度,N 2+的密度大约是N+的6倍;计算的电子能量几率分布与测量结果一致. 展开更多
关键词 氮气射频放电 PIC/MC模拟 n2等离子体
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预处理联合生物酶处理对羊毛织物性能的影响 被引量：3
9
作者 陆水峰 邵建中 王光明 《针织工业》 北大核心 2007年第6期43-46,共4页
通过预处理联合生物酶处理来改善羊毛纤维表面鳞片层物质结构与羊毛织物的性能。分别采用N2等离子体和过一硫酸盐联合Savinase酶处理羊毛织物表面的方法,研究预处理和生物酶联合处理对羊毛织物性能的影响。经SEM和FTIR-ART分析表明,该... 通过预处理联合生物酶处理来改善羊毛纤维表面鳞片层物质结构与羊毛织物的性能。分别采用N2等离子体和过一硫酸盐联合Savinase酶处理羊毛织物表面的方法,研究预处理和生物酶联合处理对羊毛织物性能的影响。经SEM和FTIR-ART分析表明,该方法使羊毛表层的类脂物质去除和胱氨酸二硫键断裂,增加蛋白酶分子与羊毛蛋白的可及度,同时酶水解反应能够持续进行;显著改善羊毛织物的润湿性,增强对化学助剂的吸附和渗透,经柔软处理后织物手感提高1.5￣2级,提高抗起毛起球性并赋予羊毛纤维一定的防缩绒效果。 展开更多
关键词 n2等离子体 过一硫酸盐 Savinase酶 羊毛织物 表面处理
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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究 被引量：1
10
作者 高锦成 李正亮 +3 位作者 曹占锋 姚琪 关峰 惠官宝 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2946-2949,共4页
为优化金属氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层(Etch stop layer,ESL)结构的IGZO TFT,在2.5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O_2浓度、IGZO沉积后N_2O等离子体处理... 为优化金属氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层(Etch stop layer,ESL)结构的IGZO TFT,在2.5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O_2浓度、IGZO沉积后N_2O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N_2O/Si H4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压(Vth)的影响。实验结果表明:IGZO沉积过程中O_2浓度的增加、IGZO沉积后N_2O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的V_(th)正偏移。 展开更多
关键词 铟镓锌氧化物薄膜晶体管 刻蚀阻挡层 n2O等离子体 阈值电压
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