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Epoxy Methacrylate Resin as Binder Polymer for Black Negative-Tone Photoresists
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作者 Genggongwo Shi Kyeongha Baek +3 位作者 Seon Hong Ahn Jun Bae Jeseob Kim Lee Soon Park 《Materials Sciences and Applications》 2020年第5期285-295,共11页
Epoxy acrylate (EA) resin, which originates from epoxides, has long been served as a photocurable coating and adhesive material owing to its double bonds. Specifically, alkaline-developable EA resins can be used as a ... Epoxy acrylate (EA) resin, which originates from epoxides, has long been served as a photocurable coating and adhesive material owing to its double bonds. Specifically, alkaline-developable EA resins can be used as a binder polymer in negative-tone photoresists. In this work, we synthesized a series of acidic polyester-type epoxy methacrylate resins, characterized the intermediates and products, and tested their performance as a binder polymer for the photolithographic micro-patterning of the pixel-defining layer on organic light-emitting diodes in comparison to a widely used commercial binder polymer. Copolymer-type binder polymer BP-2-2 was produced excellent patterning with no residue due to its high compatibility with the black mill base. 展开更多
关键词 EPOXY Methacrylate Resin negative-tone photoresist BINDER POLYMER
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Acidic Polyester Imides as Thermally Stable Binder Polymers for Negative-Tone Black Photoresist 被引量:1
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作者 Genggongwo Shi Kyeongha Baek +1 位作者 Jun Bae Lee Soon Park 《Materials Sciences and Applications》 2020年第4期234-244,共11页
Polyimides are well-known for their high chemical inertness and thermal stability. However, it is usually challenging to synthesize UV-curable polyimides since the imidization reaction requires such harsh conditions t... Polyimides are well-known for their high chemical inertness and thermal stability. However, it is usually challenging to synthesize UV-curable polyimides since the imidization reaction requires such harsh conditions that acrylate type double bonds cannot withstand. In this work, synthetic methods are developed to obtain polyester-imide type binder polymers with high thermal stability, high compatibility with the other components of the black photoresist, and fine photolithographic patterning property for the negative-tone black photoresist. The syntheses of diimide-diacid or diimide-diol intermediates for the polyesterification with dianhydride gave polyester imides which meets this requirement. The photolithographic tests have shown that the patterning of the micron-sized PDL of the organic light emitting diode (OLED) panel could be obtained. This work will interest the researchers working on the design and optimization of thermally stable binder polymers. 展开更多
关键词 POLYESTER IMIDE One-Pot Solution Polymerization BLACK photoresist PHOTOLITHOGRAPHY
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A Transparent Photoresist Made of Titanium Dioxide Nanoparticle-Embedded Acrylic Resin with a Tunable Refractive Index for UV-Imprint Lithography
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作者 Yinglu Liu Dan Wang +7 位作者 Changlin Liu Qianqian Hao Jian Li Jie-Xin Wang Xiuyun Chen Peng Zhong Xibin Shao Jian-Feng Chen 《Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期96-104,共9页
Transparent photoresists with a high refractive index(RI)and high transmittance in visible wavelengths have promising functionalities in optical fields.This work reports a kind of tunable optical material composed of ... Transparent photoresists with a high refractive index(RI)and high transmittance in visible wavelengths have promising functionalities in optical fields.This work reports a kind of tunable optical material composed of titanium dioxide nanoparticles embedded in acrylic resin with a high RI for ultraviolet(UV)-imprint lithography.The hybrid film exhibits a tunable RI of up to 1.67(589 nm)after being cured by UV light,while maintaining both a high transparency of over 98%in the visible light range and a low haze of less than 0.05%.The precision machining of optical microstructures can be imprinted easily and efficiently using the hybrid resin,which acts as a light guide plate(LGP)to guide the light from the side to the top in order to conserve the energy of the display device.These preliminary studies based on both laboratory and commercial experiments pave the way for exploiting the unparalleled optical properties of nanocomposite resins and promoting their industrial application. 展开更多
关键词 photoresist Tunable refractive index Hanson solubility Ultraviolet imprint Organic-inorganic composites
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Latest developments in EUV photoresist evaluation capability at Shanghai Synchrotron Radiation Facility 被引量:1
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作者 Zhen‑Jiang Li Cheng‑Hang Qi +8 位作者 Bei‑Ning Li Shu‑Min Yang Jun Zhao Zhi‑Di Lei Shi‑Jie Zhu Hao Shi Lu Wang Yan‑Qing Wu Ren‑Zhong Tai 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第12期206-215,共10页
Evaluating the comprehensive characteristics of extreme ultraviolet(EUV)photoresists is crucial for their application in EUV lithography,a key process in modern technology.This paper highlights the capabilities of the... Evaluating the comprehensive characteristics of extreme ultraviolet(EUV)photoresists is crucial for their application in EUV lithography,a key process in modern technology.This paper highlights the capabilities of the Shanghai Synchrotron Radiation Facility(SSRF)08U1B beamline in advancing this field.Specifically,it demonstrates how this beamline can create fringe patterns with a 15-nm half-pitch on a resist using synchrotron-based EUV lithography.This achievement is vital for evaluating EUV photoresists at the advanced 5-nm node.We provide a detailed introduction to the methods and experimental setup used at the SSRF 08U1B beamline to assess an EUV photoresist.A significant part of this research involved the fabrication of high-resolution hydrogen silsesquioxane mask gratings.These gratings,with an aspect ratio of approximately 3,were created using electron beam lithography on an innovative mask framework.This framework was crucial in eliminating the impact of zeroth-order light on interference patterns.The proposed framework propose offers a new approach to mask fabrication,particularly beneficial for achromatic Talbot lithography and multicoherent-beam interference applications. 展开更多
关键词 Extreme ultraviolet photoresist Interference lithography HIGH-RESOLUTION Electron beam lithography·Hydrogen silsesquioxane GRATING
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基于论文和专利分析的光刻胶技术发展态势研究
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作者 芮雯奕 王薇薇 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期287-292,共6页
作为半导体芯片、显示屏等制造工艺中重要的上游必备材料,光刻胶技术发展至关重要。基于文献计量研究方法探究光刻胶技术的现状及趋势发现,2003—2012年为日本重点企业光刻胶技术相关专利的申请高峰期,2013年后开始放缓,2017年以后下降... 作为半导体芯片、显示屏等制造工艺中重要的上游必备材料,光刻胶技术发展至关重要。基于文献计量研究方法探究光刻胶技术的现状及趋势发现,2003—2012年为日本重点企业光刻胶技术相关专利的申请高峰期,2013年后开始放缓,2017年以后下降明显。从专利技术分析看,日本重点企业近10年在光敏树脂组成与光阻层、薄膜材料、可溶性树脂与含碱材料、正性光刻胶以及复合物等方面持续布局。近5年则在光刻胶图案、掩膜版、固体滤光片和剥离剂等方面加强了布局。从论文分析看,基础技术研究主要围绕光刻胶新型材料、性能提升、加工技术创新以及高精度制造等方面。 展开更多
关键词 光刻胶 文献计量 技术态势
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具有双重显影特性的多用途单分子树脂化学放大光刻胶
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作者 苑晓冬 陈金平 +2 位作者 于天君 曾毅 李嫕 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1024-1034,共11页
化学放大光刻胶(CARs)由于其在分辨率和灵敏度方面的出色性能而广泛应用于光刻领域。本文报道了一种基于单分子树脂的多用途化学放大光刻胶SP8-PAG_(AN),可同时用于365 nm光刻和电子束光刻。该体系主要由螺二芴结构的单分子树脂主体材料... 化学放大光刻胶(CARs)由于其在分辨率和灵敏度方面的出色性能而广泛应用于光刻领域。本文报道了一种基于单分子树脂的多用途化学放大光刻胶SP8-PAG_(AN),可同时用于365 nm光刻和电子束光刻。该体系主要由螺二芴结构的单分子树脂主体材料(SP-8Boc)和N-(三氟甲基磺酸酯基)蒽-1,9-二羧酰亚胺非离子型光致产酸剂(PAGAn)组成。测试了产酸剂PAGAN在365 nm紫外光激发下的光致产酸效率ΦH+为23%。研究了SP8-PAG_(AN)光刻胶的365 nm光刻和电子束光刻性能。365 nm光刻中,分别利用四甲基氢氧化胺(TMAH,质量分数2.38%)水溶液和正己烷作为显影液,可实现1μm正性和负性光刻图案。电子束光刻中,可实现50 nm Line/Space(L/S)的正性密集线条图案(曝光剂量110μC/cm^(2)),32 nm L/S的负性密集线条图案(曝光剂量40μC/cm^(2))以及19 nm L/3S负性半密集线条图案(曝光剂量96μC/cm^(2))。本研究工作提供了一种具有双重显影特性的多用途单分子树脂化学放大光刻胶的新范例。 展开更多
关键词 化学放大光刻胶 双重显影 单分子树脂 365 nm光刻 电子束光刻
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新型锑氧簇光刻胶的性能与机理研究
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作者 司友明 郑凌峰 +2 位作者 陈鹏忠 樊江莉 彭孝军 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第4期1705-1717,共13页
随着半导体行业集成度越来越高,对光刻材料提出了更高的要求。近年来,金属氧簇光刻胶由于尺寸小、结构设计灵活,得到了广泛的研究。目前锑基金属光刻胶仅局限于含锑配合物。开发出新型锑氧簇光刻胶,通过对比金属有机组装Sb_(4)O-1与自组... 随着半导体行业集成度越来越高,对光刻材料提出了更高的要求。近年来,金属氧簇光刻胶由于尺寸小、结构设计灵活,得到了广泛的研究。目前锑基金属光刻胶仅局限于含锑配合物。开发出新型锑氧簇光刻胶,通过对比金属有机组装Sb_(4)O-1与自组装Sb_(4)O-2的溶解度差异说明自组装策略优势。原子力显微镜证实Sb_(4)O-2光刻胶可形成光滑薄膜,并获得低粗糙度值(均方根粗糙度<0.3 nm)。电子束光刻(EBL)证明Sb_(4)O-2光刻胶优异的图案化能力(线宽<50 nm),理论计算支持X射线光电子能谱(XPS)分析的新型自组装Sb_(4)O-2“配体解离”机制。 展开更多
关键词 锑氧簇 自组装 光刻胶 理论计算 电子束光刻 成像 溶解性 纳米材料
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基于光刻胶修正技术的石英锥形侧壁刻蚀工艺研究
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作者 刘丹 乌李瑛 +4 位作者 沈贇靓 张文昊 刘民 权雪玲 程秀兰 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第4期606-611,共6页
基于光刻胶修正技术,采用两步刻蚀法对石英锥形侧壁的刻蚀工艺进行了研究。首先利用Ar,O_(2),CF_(4)气体对光刻胶刻蚀,将光刻胶的垂直侧壁修改为锥形侧壁。然后以此为掩膜实现光刻胶倾斜侧壁向石英材料的转移。两步刻蚀在同一个刻蚀腔... 基于光刻胶修正技术,采用两步刻蚀法对石英锥形侧壁的刻蚀工艺进行了研究。首先利用Ar,O_(2),CF_(4)气体对光刻胶刻蚀,将光刻胶的垂直侧壁修改为锥形侧壁。然后以此为掩膜实现光刻胶倾斜侧壁向石英材料的转移。两步刻蚀在同一个刻蚀腔室内完成。详细研究了光刻胶修正工艺中刻蚀气体流量、刻蚀功率、温度以及刻蚀时间等工艺参数对刻蚀速率、选择比以及刻蚀形貌的影响。通过综合优化工艺制备出刻蚀面光滑、倾斜角度为60°的石英刻蚀形貌。该工作为氧化硅以及其他材料的倾斜侧壁刻蚀工作提供了有力的参考。 展开更多
关键词 石英 光刻胶修正 反应离子刻蚀 倾斜侧壁
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光刻胶废剥离液中分离回收水和有机溶剂研究进展
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作者 于成钢 李罡峰 +5 位作者 傅瑞德 郭依亮 吴晗松 从海峰 李鑫钢 渠娅娟 《化学工业与工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期141-147,共7页
光刻胶废剥离液中含有大量的水和有机溶剂,其中包含大量有回收价值的成分。从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂可以减少对自然界的污染,实现资源化利用。综述了国内外几种从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂常见分离方法及分离装置,... 光刻胶废剥离液中含有大量的水和有机溶剂,其中包含大量有回收价值的成分。从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂可以减少对自然界的污染,实现资源化利用。综述了国内外几种从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂常见分离方法及分离装置,并对不同情况下所产生效果进行分析比较。希望能为我国电子行业中光刻胶废剥离液的资源化处理提供借鉴。 展开更多
关键词 光刻胶废剥离液 有机溶剂 分离回收
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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面
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浅谈光刻胶生产工艺
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作者 许军 《广州化工》 CAS 2024年第6期195-197,共3页
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,光刻胶长年被国外专业公司垄断,目前我国微电子材料对国外依赖较高,所以半导体材料国产化代替是必然趋势。光刻胶属于特别复杂的材料化学,它的质量直接决定芯片的良率;在此,通过光刻胶... 光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,光刻胶长年被国外专业公司垄断,目前我国微电子材料对国外依赖较高,所以半导体材料国产化代替是必然趋势。光刻胶属于特别复杂的材料化学,它的质量直接决定芯片的良率;在此,通过光刻胶树脂、光敏剂、光刻胶稀释剂、光致产酸剂等相关原辅料的制备,引导企业研发、生产光刻胶,早日实现国产化。 展开更多
关键词 光刻胶 光刻胶生产 光刻胶工艺
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电子束光刻胶制备方法的探索和研究
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作者 许军 杨学礼 《广州化工》 CAS 2024年第21期32-35,共4页
光刻技术和光刻材料是半导体行业发展的重要因素。电子束光刻具有超高深宽比、超高对比度及良好的耐干法蚀刻性能等优越性,以其分辨率高和性能稳定被认为是最具有发展前景的光刻技术之一,光刻技术的进步往往与光刻材料发展密不可分。本... 光刻技术和光刻材料是半导体行业发展的重要因素。电子束光刻具有超高深宽比、超高对比度及良好的耐干法蚀刻性能等优越性,以其分辨率高和性能稳定被认为是最具有发展前景的光刻技术之一,光刻技术的进步往往与光刻材料发展密不可分。本文探索和研究电子束光刻胶的制备方法,采用对比实验研究电子束光刻胶,最终制备出最佳的分辨率和稳定性电子束光刻胶。 展开更多
关键词 电子束光刻胶 光刻胶 光刻胶制备
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铝互连工艺中光刻胶残留原因及解决方法
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作者 李兆营 陈国雪 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第10期96-102,共7页
铝互连工艺结束后检查晶圆表面发现大片残留缺陷,通过成分分析确认其为光刻胶。对镀膜、光刻、腐蚀、去胶工序进行工艺排查后发现改变镀膜工艺可以改善光刻胶残留情况。实验结果证明铝薄膜表面形貌与光刻胶残留现象密切相关。减小薄膜... 铝互连工艺结束后检查晶圆表面发现大片残留缺陷,通过成分分析确认其为光刻胶。对镀膜、光刻、腐蚀、去胶工序进行工艺排查后发现改变镀膜工艺可以改善光刻胶残留情况。实验结果证明铝薄膜表面形貌与光刻胶残留现象密切相关。减小薄膜表面粗糙度可以改善光刻胶残留现象。 展开更多
关键词 光刻胶残留 铝互连 表面粗糙度 磁控溅射
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金属互连及其湿电子化学品的发展研究
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作者 陈黎萍 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期343-350,共8页
随着集成电路关键尺寸的逐步减小,图形形貌分辨率要求提高。本文系统性地探讨了集成电路互连金属的发展路线,归纳了相应的湿电子化学品在清洗和电镀方面的工作原理,并阐述了光刻胶的发展路程以及抗反射涂层的基本原理。最后对互连材料... 随着集成电路关键尺寸的逐步减小,图形形貌分辨率要求提高。本文系统性地探讨了集成电路互连金属的发展路线,归纳了相应的湿电子化学品在清洗和电镀方面的工作原理,并阐述了光刻胶的发展路程以及抗反射涂层的基本原理。最后对互连材料以及湿电子化学品的未来要求进行了总结和展望。 展开更多
关键词 金属互连 抗反射涂层 光刻胶 湿电子化学品
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光刻工艺的特征参数及其影响因素分析
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作者 文青山 黄华佑 +1 位作者 杨丹 李运泉 《信息记录材料》 2024年第5期4-6,9,共4页
光刻胶是半导体制造中关键的材料,用于光刻工艺中转移图案到硅片。随着微电子工艺的发展、曝光光源的不断进步和器件尺寸的缩小,光刻胶的性能指标正在不断提高,以满足更高的分辨率、灵敏度以及更低的线边粗糙度等工艺要求。本文探讨了... 光刻胶是半导体制造中关键的材料,用于光刻工艺中转移图案到硅片。随着微电子工艺的发展、曝光光源的不断进步和器件尺寸的缩小,光刻胶的性能指标正在不断提高,以满足更高的分辨率、灵敏度以及更低的线边粗糙度等工艺要求。本文探讨了光刻胶的工艺特征参数及其影响因素,并提出了光刻胶的未来展望。 展开更多
关键词 光刻胶 光刻工艺 工艺参数
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射频感性耦合等离子体的晶圆光刻胶扫胶技术
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作者 高晓伟 师筱娜 +1 位作者 田芳 狄希远 《电子工艺技术》 2024年第2期33-36,共4页
基于电感耦合等离子体(ICP)放电原理,设计了一种射频感性耦合等离子体装置,讲解了构成该等离子体装置的各个系统功能,并以此装置为依托研究了晶圆表面光刻胶扫胶技术,分析时间、馈入功率、加热温度、工艺气体流量对AZ4620光刻胶扫胶工... 基于电感耦合等离子体(ICP)放电原理,设计了一种射频感性耦合等离子体装置,讲解了构成该等离子体装置的各个系统功能,并以此装置为依托研究了晶圆表面光刻胶扫胶技术,分析时间、馈入功率、加热温度、工艺气体流量对AZ4620光刻胶扫胶工艺的影响。试验结果表明,增大馈入功率与加热温度均可不同程度的提高扫胶速率,过大的工艺气体供给量甚至会降低扫胶速率,时间的长短不会影响扫胶速率的快慢,与扫胶厚度基本呈线性关系。扫胶后的片内均匀性均在10%以内,满足半导体芯片制备的相关工艺要求,研究结果对半导体行业晶圆光刻胶的去除提供了相应的参考依据。 展开更多
关键词 晶圆 感性耦合等离子体 光刻胶扫胶工艺 温度
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离子色谱法测定光刻胶中的氰根离子
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作者 邹阅超 《广州化工》 CAS 2024年第14期75-77,共3页
建立了离子色谱法测定光刻胶中氰根离子的分析方法。光刻胶样品加入超纯水超声提取后,过固相萃取小柱净化,然后上机。经过阴离子色谱柱分离,电化学检测器检测,保留时间定性,峰面积外标法定量。结果表明:此方法检出限为2.0 ng/g(以1.0 g... 建立了离子色谱法测定光刻胶中氰根离子的分析方法。光刻胶样品加入超纯水超声提取后,过固相萃取小柱净化,然后上机。经过阴离子色谱柱分离,电化学检测器检测,保留时间定性,峰面积外标法定量。结果表明:此方法检出限为2.0 ng/g(以1.0 g取样量计算)。在低、中、高浓度的精密度分别为4.7%、2.3%、1.1%。实际样品加标回收率范围为93.7%~104%。该方法操作简单、快速、灵敏度和准确度高,可用于光刻胶中氰根离子的定性与定量测定分析。 展开更多
关键词 超声提取 离子色谱电化学检测器法 氰根离子 光刻胶
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电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定光刻胶中痕量元素
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作者 黄丹宇 《化工技术与开发》 CAS 2024年第10期46-49,共4页
利用电感耦合等离子体质谱仪,建立了一套完整检测光刻胶中Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Pd、Ag、Sn、W、Pb、Bi等19种痕量元素的方法。通过仪器调谐,优化电感耦合等离子体质谱仪的工作参数,采用标准加入法校正基... 利用电感耦合等离子体质谱仪,建立了一套完整检测光刻胶中Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Pd、Ag、Sn、W、Pb、Bi等19种痕量元素的方法。通过仪器调谐,优化电感耦合等离子体质谱仪的工作参数,采用标准加入法校正基体,考察了该检测方法的检出限、精密度及加标回收率。结果表明,各元素的检出限在0.04~1.46ng·L^(-1)之间,加标回收率在90.0%~109.10%之间,精密度均小于3%。该方法简单易操作,精密度高,准确性好,可满足实际生产中对光刻胶的检测需求。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体质谱法 光刻胶 标准加入法 痕量元素
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光刻胶的关键质量指标及其测试方法
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作者 黄华佑 杨丹 李运泉 《仪器仪表标准化与计量》 2024年第5期24-25,48,共3页
光刻胶的质量决定了集成电路的性能、成品率和可靠性,要实现高端光刻胶的国产化,需要具备高技术要求,以满足材料的工艺匹配性和质量可靠性。本文探讨了光刻胶的组成及发展现状,对光刻胶的关键质量指标及其测试方法进行着重阐述,结合国... 光刻胶的质量决定了集成电路的性能、成品率和可靠性,要实现高端光刻胶的国产化,需要具备高技术要求,以满足材料的工艺匹配性和质量可靠性。本文探讨了光刻胶的组成及发展现状,对光刻胶的关键质量指标及其测试方法进行着重阐述,结合国内光刻胶标准现状,提出了发展建议。 展开更多
关键词 光刻胶 质量指标 测试方法 标准
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负性光刻胶在纳米压印光刻技术的应用前景
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作者 杨志伟 吕薪羽 《现代工业经济和信息化》 2024年第7期135-137,共3页
光刻技术在微纳米制造领域具有关键作用,而负性光刻胶因其低成本、高黏度的特点备受青睐。然而,负性光刻胶的分辨率限制在光刻线宽小于3μm时成为制约其应用的主要问题。结合纳米压印光刻技术的发展,探讨了负性光刻胶在纳米压印光刻领... 光刻技术在微纳米制造领域具有关键作用,而负性光刻胶因其低成本、高黏度的特点备受青睐。然而,负性光刻胶的分辨率限制在光刻线宽小于3μm时成为制约其应用的主要问题。结合纳米压印光刻技术的发展,探讨了负性光刻胶在纳米压印光刻领域的新趋势。纳米压印光刻技术的物理方法使其不受光刻胶分辨率限制,为负性光刻胶的应用提供了新的机遇。结合负性光刻胶的低成本优势,纳米压印光刻技术与负性光刻胶相结合,呈现出了不可替代的应用前景。 展开更多
关键词 光刻技术 负性光刻胶 纳米压印光刻技术 分辨率限制 微纳米制造
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