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管式PECVD设备腔内大容量石墨舟力学性能的数值分析
1
作者 曹佳铭 鄢庆阳 +2 位作者 王刚 李陆明 吕志军 《太阳能》 2024年第3期62-67,共6页
提高等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氮化硅薄膜品质在太阳电池光电转换效率领域有举足轻重的作用。承载大量硅片的石墨舟是管式PECVD设备中的关键核心部件,随着生产效率的不断提升,热力耦合环境下腔内大容量石墨舟力学性能的... 提高等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氮化硅薄膜品质在太阳电池光电转换效率领域有举足轻重的作用。承载大量硅片的石墨舟是管式PECVD设备中的关键核心部件,随着生产效率的不断提升,热力耦合环境下腔内大容量石墨舟力学性能的稳定性引人关注。通过CAD软件建立石墨舟有限元模型并使用ANSYS仿真软件进行热力学仿真研究,综合分析其在高温条件下受力、受热后的变形情况。研究结果显示:结构自重是石墨舟形变及应力集中产生的主要因素,温度产生的影响并不明显;采用结构增强设计可有效提升石墨舟整体的力学性能。 展开更多
关键词 太阳电池 石墨舟 有限元模型 热力耦合 管式pecvd
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PECVD类金刚石涂层的结构及其摩擦腐蚀行为
2
作者 宋紫炆 肖乐银 +5 位作者 肖锦 周思科 张彤彤 马利秋 彭金勇 周升国 《超硬材料工程》 CAS 2024年第1期1-8,共8页
采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)在316L不锈钢上制备类金刚石(DLC)涂层,系统地研究了所制备类金刚石涂层的表面形貌与结构、不同载荷下的摩擦磨损行为以及NaCl溶液(3.5 wt%)中不同腐蚀时间下的腐蚀行为。研究结果表明:制备的DL... 采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)在316L不锈钢上制备类金刚石(DLC)涂层,系统地研究了所制备类金刚石涂层的表面形貌与结构、不同载荷下的摩擦磨损行为以及NaCl溶液(3.5 wt%)中不同腐蚀时间下的腐蚀行为。研究结果表明:制备的DLC涂层是由sp^(3)键和sp^(2)键杂化形成的非晶碳结构,其中sp^(2)-C含量大于sp^(3)-C,具有典型的类金刚石碳特征;DLC涂层结构致密,表面平滑,粗糙度仅为Ra=12.1 nm,能够与316L不锈钢基体结合紧密;DLC涂层的接触角为59.44°,说明涂层表现出一定的润湿性;摩擦磨损测试结果表明DLC涂层具有良好的润滑效果,摩擦系数能低至0.07~0.16,磨损率低至(3.85~6.71)×10^(-7) mm^(3)/(N·m);电化学测试得到DLC涂层自腐蚀电流密度为6.72×10^(-6 )A·cm^(-2),阻抗模值高达7.05×10~4Ω·cm^(-2)。这些表明PECVD技术制备的DLC涂层具有优异的摩擦学与耐腐蚀性能,能够对316L不锈钢基底材料形成较好的保护性能。 展开更多
关键词 pecvd 类金刚石 摩擦磨损 电化学腐蚀
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PECVD法制备石墨烯过程中不同生长阶段H2的作用分析
3
作者 黄光宏 李迪 +3 位作者 李娜 甄真 王鑫 许振华 《真空》 2024年第1期34-40,共7页
石墨烯作为一种性能独特的新型二维材料,在航空航天、电子器件、医学生物等领域具有巨大的发展潜力。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以铜箔为基底,利用氢气和甲烷混合气体制备了石墨烯,研究了生长及冷却阶段H2对石墨烯形核及... 石墨烯作为一种性能独特的新型二维材料,在航空航天、电子器件、医学生物等领域具有巨大的发展潜力。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以铜箔为基底,利用氢气和甲烷混合气体制备了石墨烯,研究了生长及冷却阶段H2对石墨烯形核及生长的作用机理。结果表明:在PECVD过程中,石墨烯生长前采用H2等离子体对铜基底预刻蚀会导致基底粗糙度增加,从而产生较多的形核位点,不利于低密度大尺寸石墨烯晶粒的生长;生长过程中H2会对多层石墨烯刻蚀,较高的H2流量下可以形成单层石墨烯;生长结束后通入H2保温一定时间,石墨烯会被刻蚀成条带状,这种刻蚀随着保温时间的延长而加剧。 展开更多
关键词 石墨烯 等离子体辅助化学气相沉积 H2等离子体
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应用于PECVD过渡流模拟的NS/DSMC双向耦合方法特性研究
4
作者 刘万锁 岳向吉 蔺增 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1591-1595,1603,共6页
将纳维-斯托克斯(NS)方程方法与直接模拟蒙特卡罗(DSMC)方法耦合以实现过渡流态计算.相对过去欠缺反馈机制的单向耦合方法,提出以NS,DSMC速度场相互修正边界值的方法实现双向耦合方法的反馈机制,这对于非稳态研究和数值修正十分重要.结... 将纳维-斯托克斯(NS)方程方法与直接模拟蒙特卡罗(DSMC)方法耦合以实现过渡流态计算.相对过去欠缺反馈机制的单向耦合方法,提出以NS,DSMC速度场相互修正边界值的方法实现双向耦合方法的反馈机制,这对于非稳态研究和数值修正十分重要.结果表明,双向耦合结果与全局DSMC结果有高相似性,相对单向耦合具有更高的效率、稳定性及精度,提高耦合强度可以提升稳定性与精度.双向耦合通过采用全局NS结果边界值获得更高的子域收敛性、稳定性及精度.提出超前演算方法可以增强DSMC域的时间耦合性,为非稳态计算奠定基础. 展开更多
关键词 NS/DSMC方法 双向耦合 过渡流 超前演算 pecvd
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PECVD喷淋板上微通道结构对射流均匀性的影响性分析
5
作者 刘万锁 岳向吉 蔺增 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期222-233,共12页
喷淋板微通道结构对等离子体增强化学气相沉积镀膜工艺成膜均匀性具有重要影响,目前缺少对不同微通道差异性的研究。通过采用滑移边界修正的连续流计算方法,获得克努森数为0.009~0.01的微通道流动特性结果,计算结果与其他微通道试验与... 喷淋板微通道结构对等离子体增强化学气相沉积镀膜工艺成膜均匀性具有重要影响,目前缺少对不同微通道差异性的研究。通过采用滑移边界修正的连续流计算方法,获得克努森数为0.009~0.01的微通道流动特性结果,计算结果与其他微通道试验与计算结果具有一致性。结果表明,等径型与收缩型微通道几何尺寸对均匀性影响较小,出口射流所形成的涡流会降低均匀性,扩张型微通道提高出口扩散性,其射流均匀性明显优于前两者。通过提出均匀性量化方法,研究等径型、收缩型和扩张型三种具有代表性的微通道结构,进一步完善了喷淋板及稀薄环境微通道研究的不足。 展开更多
关键词 微通道 射流均匀性 均匀性量化 扩张腔 等离子体增强化学气相沉积(pecvd)
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PECVD法制备氟碳聚合物涂层工艺参数对涂层形貌及性能影响
6
作者 倪海鹰 陈军 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期654-657,共4页
采用PECVD技术在铜镀金印刷电路板(PCB)表面制备了氟碳聚合物涂层,使用原子力显微镜表征了不同沉积时间和沉积平台温度下涂层的表面形貌,并通过水接触角和附着力测试对涂层性能的工艺依赖性进行了分析。结果表明,当沉积平台温度较低(50... 采用PECVD技术在铜镀金印刷电路板(PCB)表面制备了氟碳聚合物涂层,使用原子力显微镜表征了不同沉积时间和沉积平台温度下涂层的表面形貌,并通过水接触角和附着力测试对涂层性能的工艺依赖性进行了分析。结果表明,当沉积平台温度较低(50℃)和沉积时间在10-15 min时,此时涂层表面平滑,涂层的水接触角可达121°,对PCB的附着力较好。 展开更多
关键词 等离子增强气相沉积 形貌 性能
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大管径PECVD设备加热时的总功率调控方法
7
作者 符慧能 花奇 钟广超 《太阳能》 2023年第9期93-98,共6页
针对大管径等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备炉管数量增多,以及炉管加热时设备功率增大,从而导致设备总功率超过车间最大允许功率限制的情况,以大管径6管PECVD设备为例,通过利用控制系统实时监测各炉管的工艺过程状态、加热功率输... 针对大管径等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备炉管数量增多,以及炉管加热时设备功率增大,从而导致设备总功率超过车间最大允许功率限制的情况,以大管径6管PECVD设备为例,通过利用控制系统实时监测各炉管的工艺过程状态、加热功率输出需求等数据,根据每个炉管温度对该炉管工艺的影响程度,智能调控各炉管各温区的加热功率输出上限,确保了设备总功率保持在最大允许功率之内。实测结果显示:即使在6个炉管同时启动工艺的极端工况下,通过采用提出的加热时总功率调节方法,设备整体产能受到的影响也不会超过8%。所提调节方法有效解决了设备总功率需求和车间厂务供能指标之间的矛盾。 展开更多
关键词 太阳电池 管式pecvd设备 大管径 智能调控 加热功率 功率限制
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板式PECVD氮化硅薄膜工艺研究
8
作者 邹臻峰 谢湘洲 赵增超 《信息记录材料》 2023年第9期16-19,共4页
本文采用微波等离子增强化学气相沉淀技术,在单晶硅衬体上高速沉积一层氮化硅薄膜。通过对比实验,系统研究了沉积压强、气体流量、微波功率、温度等工艺参数对氮化硅薄膜沉积速率、折射率的影响,分析其产生机理。通过优化氮化硅沉积的... 本文采用微波等离子增强化学气相沉淀技术,在单晶硅衬体上高速沉积一层氮化硅薄膜。通过对比实验,系统研究了沉积压强、气体流量、微波功率、温度等工艺参数对氮化硅薄膜沉积速率、折射率的影响,分析其产生机理。通过优化氮化硅沉积的工艺参数,采用分步沉积氮化硅工艺,测试对比两者内量子效应和光谱反射率,得出分步沉积氮化硅工艺,在200~400 nm短波段,反射率更低,进一步降低了氮化硅薄膜对光的反射率。同时,在1000~1200 nm的长波段,内量子效应增强,表明提升氮化硅薄膜的钝化效果,最终实现晶硅太阳能电池效率提升0.1%,为优化生产工艺奠定了良好基础。 展开更多
关键词 pecvd 氮化硅 薄膜
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TMA杂质元素对二合一管式PECVD影响分析
9
作者 邵海娇 张永 +2 位作者 王贵梅 张志敏 刘苗 《中国科技纵横》 2023年第15期104-107,共4页
二合一管式PECVD是晶硅太阳能电池生产环节中用于制备氧化铝+氮化硅钝化减反射薄膜的常用机台,是提升电池光电转换效率不可或缺的工序,同时也是影响良率的重要工序。TMA(三甲基铝)作为氧化铝制备时的反应气体,其纯度以及杂质含量严重影... 二合一管式PECVD是晶硅太阳能电池生产环节中用于制备氧化铝+氮化硅钝化减反射薄膜的常用机台,是提升电池光电转换效率不可或缺的工序,同时也是影响良率的重要工序。TMA(三甲基铝)作为氧化铝制备时的反应气体,其纯度以及杂质含量严重影响电池的光电转化效率、良率。经研究发现,TMA中Cl元素杂质含量过高,可能导致机台尾排粉末量大、喷气嘴堵塞等现象,最终影响电池效率。 展开更多
关键词 PERC晶硅电池 二合一管式pecvd TMA 杂质Cl元素
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管式PECVD制备掺杂非晶硅薄膜性能研究及TOPCon电池制备
10
作者 李兵 周小荣 +3 位作者 李明 黄嘉斌 邓新新 赵增超 《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》 2023年第6期0107-0112,共6页
描述了管式等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 的各项沉积参数对硅太阳能电池重掺杂硅基钝化接触(SiOx/Poly-Si(n+))的影响。通过改变沉积压力、硅烷氩气流量比例,在250Pa压力,硅烷氩气流量比1:4的条件下获得无爆膜,隐含开路电压(iVoc)... 描述了管式等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 的各项沉积参数对硅太阳能电池重掺杂硅基钝化接触(SiOx/Poly-Si(n+))的影响。通过改变沉积压力、硅烷氩气流量比例,在250Pa压力,硅烷氩气流量比1:4的条件下获得无爆膜,隐含开路电压(iVoc)达到738mV以上,单面饱和电流密度J0低至4.5A/cm2的隧穿钝化结构。基于隧穿钝化结构最优沉积条件,研究了不同退火温度对接触电阻率和单面饱和电流密度的影响,在920℃退火条件制备出电池效率25.16%的TOPCon电池。 展开更多
关键词 pecvd TOPCon 太阳能电池 掺杂 多晶硅
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40kHz低频管式PECVD低温氮化硅沉积特性研究
11
作者 陈延斌 张弥涛 +2 位作者 黄凌飞 李明 赵增超 《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》 2023年第6期0111-0114,共4页
本文基于40kKHz低频管式PECVD设备研究低温SiNx薄膜的沉积特性,从工艺气体流量大小、气体比例和工艺温度对低频等离子体电场特性的影响着手,并对比了不同衬底对沉积均匀性的影响,推论硅烷和氨气的气体比例影响等离子体电场特性时,硅烷... 本文基于40kKHz低频管式PECVD设备研究低温SiNx薄膜的沉积特性,从工艺气体流量大小、气体比例和工艺温度对低频等离子体电场特性的影响着手,并对比了不同衬底对沉积均匀性的影响,推论硅烷和氨气的气体比例影响等离子体电场特性时,硅烷占比影响相比于氨气更大;工艺温度越高,越容易辉光放电,产生等离子体,并且300℃附近,对于硅烷和氨气组成的混合气体所对应的等离子体是一个关键阀值,键合打开的情况有质的变化;N型硅片相比P型硅片在低温情况下,膜厚均匀性要差很多,主要在于电子的积累,形成反向电场。 展开更多
关键词 pecvd 低温氮化硅 HJT掩膜 衬底
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PECVD法生长氮化硅工艺的研究 被引量：30
12
作者 吴清鑫 陈光红 +1 位作者 于映 罗仲梓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期703-705,710,共4页
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应... 采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 pecvd 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力 射频MEMS开关
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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量：21
13
作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多
关键词 pecvd 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命
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PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究 被引量：15
14
作者 马康 王海燕 +3 位作者 吴芳 卢景霄 郜小勇 陈永生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期97-101,共5页
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一... 实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨。 展开更多
关键词 pecvd 微晶硅薄膜 晶化率 生长机制
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PECVD淀积SiO_2的应用 被引量：15
15
作者 吕文龙 罗仲梓 +1 位作者 何熙 张春权 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期33-37,共5页
研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。
关键词 pecvd SIO2 AZ5214E 剥离
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PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究 被引量：43
16
作者 王晓泉 汪雷 +3 位作者 席珍强 徐进 崔灿 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期341-344,共4页
使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌... 使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。 展开更多
关键词 太阳电池 pecvd 氮化硅
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PECVD SiN_x薄膜应力的研究 被引量：22
17
作者 赵永军 王民娟 +1 位作者 杨拥军 梁春广 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期183-187,共5页
等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温... 等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系 .讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理 .通过工艺条件的合理选择 ,做出了 0 .8～ 1 .0 μm厚的无应力的 PECVD Si Nx 展开更多
关键词 氮化硅 pecvd法 薄膜应力
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PECVD法沉积类金刚石膜的结构及其摩擦学性能 被引量：13
18
作者 杨莉 陈强 张受业 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期292-297,共6页
以C2H2为碳源,Ar气为辅助气体,利用射频等离子体化学气相沉积的方法在有机薄膜PET和载玻片上制备了类金刚石(diamond-like carbon,DLC)薄膜。通过红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)分析了所制备DLC薄膜的结构;利用原子力显微镜(AFM)分析... 以C2H2为碳源,Ar气为辅助气体,利用射频等离子体化学气相沉积的方法在有机薄膜PET和载玻片上制备了类金刚石(diamond-like carbon,DLC)薄膜。通过红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)分析了所制备DLC薄膜的结构;利用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌;另外,还利用摩擦磨损仪对薄膜的机械性能进行了研究。实验得到:FTIR、Raman谱图分析发现碳氢膜主要由sp2和sp3杂化的碳氢化合物呈层状堆积而成,其组分与沉积参数密切相关;同时,sp2和sp3杂化比例影响所制备薄膜的致密性、均匀性和耐磨性能。 展开更多
关键词 pecvd 类金刚石膜 结构分析 摩擦性能
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PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究 被引量：10
19
作者 张龙龙 周炳卿 +1 位作者 张林睿 高玉伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期757-763,共7页
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。 展开更多
关键词 pecvd 富硅氮化硅薄膜 非晶结构 光学带隙
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低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨 被引量：14
20
作者 王玉林 郑雪帆 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期448-452,共5页
介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变... 介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化，对器件，尤其是对砷化镓异质结器件几乎没有应力损伤。 展开更多
关键词 异质结器件 氮化硅薄膜 工艺 pecvd
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