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题名基于激光切割的Si_3N_4陶瓷断裂韧性测试方法
被引量：8
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作者
王健全
田欣利
张保国
王朋晓
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机构
装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室
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出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期103-107,共5页
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基金
国家自然科学基金(51075309
51105378)
国防十二五预研项目(51318020210)
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文摘
提出一种采用激光切割技术在Si3N4陶瓷表面预制微小切口,并结合SENB法测定陶瓷材料断裂韧性的新方法。利用连续激光束在陶瓷表面加工出切口,在三点弯曲实验前后分别运用激光共聚焦显微镜(LSCM)和扫描电镜(SEM)测量切口宽度和深度,而后计算陶瓷材料断裂韧性。在此基础上分析激光输出功率P、激光辐照光斑直径D和激光切割速率Vw与材料断裂韧性值的内在联系。结果表明:输出的激光能量密度达到陶瓷切割加工阈值后,光束在试件表面制得对应切口;切口深宽比为4.3～4.8时测得的Si3N4陶瓷断裂韧性值具有较高精度。
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关键词
SI3N4陶瓷
断裂韧性
激光切割
senb法
能量密度阈值
切口深宽比
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Keywords
silicon nitride ceramics
fracture toughness
laser cutting
senb method
energy density threshold
depth/width ratio
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分类号
TG485
[金属学及工艺—焊接]
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题名陶瓷材料高温断裂韧性评价
被引量：2
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作者
白世鸿
乔生儒
舒武炳
李玫
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机构
西北工业大学
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出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期21-22,25,共3页
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文摘
采用四点弯曲实验方法 ,研究了高温下不同测试方法 (CN法、SENB法和 SEPB法 )对工业用重结晶 Si C陶瓷材料断裂韧性的影响。通过实验发现 :在低温下 (T<80 0℃ ) ,不同测试方法所获得的 KIC 不同 ,CN法测得 KIC 偏大 ,而 SEPB法测得的 KIC 则偏小 ,同时 ,三种测试方法获得的 KIC 随温度的升高变化率都不明显。在高温下(T >80 0℃ ) ,不同的测试方法其 KIC 随温度的升高变化趋势不同 ,CN法 KIC 随温度的升高而增大 ,SENB法 KIC 随温度的升高而减小 ,SEPB法
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关键词
断裂韧性
测试
碳化硅陶瓷材料
CN法
senb法
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Keywords
fracture toughness
elevated temperatures
SiC ceramic
testing
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分类号
TQ174.1
[化学工程—陶瓷工业]
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