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低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)
1
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期177-189,共13页
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用... 进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。 展开更多
关键词 si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) E模功率GaN HEMT 可靠性 GaN功率变换器 高频开关应用
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低成本Si基GaN微电子学的新进展
2
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期81-101,共21页
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用... 进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。 展开更多
关键词 si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) E模功率GaN HEMT 可靠性 GaN功率变换器 高频开关应用
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Si基光电子学的研究与展望 被引量:10
3
作者 彭英才 ZHAO X W +1 位作者 傅广生 王英龙 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期273-285,共13页
Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材... Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。 展开更多
关键词 光电子学 直接带隙si基低维材料 晶粒有序si基纳米材料 稳定高效si基发光器件 si 光电子集成
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面向21世纪的Si基光子学 被引量:3
4
作者 彭英才 Seiichi Miyazaki +1 位作者 徐骏 陈坤基 《自然杂志》 北大核心 2006年第2期94-98,共5页
Si基光子学是近年来在半导体光电子学和纳米材料科学领域中迅速发展起来的一个新型分支学科,旨在研究各类Si基低维材料的发光特性。各种Si基光子器件的设计与制作,并进而实现用于现代光通信技术的全Si光电子集成电路。预计在未来10年... Si基光子学是近年来在半导体光电子学和纳米材料科学领域中迅速发展起来的一个新型分支学科,旨在研究各类Si基低维材料的发光特性。各种Si基光子器件的设计与制作,并进而实现用于现代光通信技术的全Si光电子集成电路。预计在未来10年内,随着Si基纳米材料发光效率的提高,器件制备技术的进步和光电子集成工艺的成熟,Si基光子学的研究将出现重大突破性进展,并很有可能引发一场新的信息技术革命。本文着重介绍了用于Si基光电集成的光子学材料、器件与工艺在近3~5年内所取得的研究进展,并预测了它们的未来发展趋势。 展开更多
关键词 si基光子材料 si基光子器件 si基光电子集成 现代光通信
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Si基光子晶体的制备与器件应用 被引量:1
5
作者 尚勇 彭英才 《微纳电子技术》 CAS 2007年第5期235-240,253,共7页
光子晶体是近十年来迅速发展起来的一种新型人工结构的功能材料。本文简要介绍了Si基光子晶体的主要特点;着重介绍了Si基光子晶体的几种主要制备方法,如精细干式蚀刻法、胶质晶体模板法、宏观多孔Si的电化学腐蚀、多光子聚合法和核壳结... 光子晶体是近十年来迅速发展起来的一种新型人工结构的功能材料。本文简要介绍了Si基光子晶体的主要特点;着重介绍了Si基光子晶体的几种主要制备方法,如精细干式蚀刻法、胶质晶体模板法、宏观多孔Si的电化学腐蚀、多光子聚合法和核壳结构纳米晶粒镶嵌法等;概要介绍了Si基光子晶体在Si基发光器件和Si基光波导器件中的应用。对目前存在的问题进行了讨论,并展望了它的未来发展趋势。 展开更多
关键词 si基光子晶体 制备方法 si基光子器件 si基光子集成
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Si基异质结构发光的研究现状 被引量:2
6
作者 余金中 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期294-300,共7页
综述了Si 基异质结构发光研究的现状。介绍了Si 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性,描述了掺Er- Si 的发光、Si 基量子结构( 量子阱、量子点) 的光发射,重点研究SiGe/Si 异质结构的发光性质。同时还... 综述了Si 基异质结构发光研究的现状。介绍了Si 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性,描述了掺Er- Si 的发光、Si 基量子结构( 量子阱、量子点) 的光发射,重点研究SiGe/Si 异质结构的发光性质。同时还对多孔Si 发光、Si 基发光二极管(LED) 与Si 双极晶体管(BJT) 集成、Si 基上垂直腔面发射激光器(VCSEL) 与微透镜的混合集成作了简要的介绍。 展开更多
关键词 发光器件 si基发光器件 si基异质结构 多孔si si基光电子集成
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Si基纳米结构的电子性质 被引量:1
7
作者 彭英才 ZHAO Xin-wei +1 位作者 王英龙 马蕾 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期1-8,共8页
各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si... 各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si量子点,SiO2/Si超晶格和超小尺寸Si纳米团簇等不同Si基纳米结构的电子性质以及它们与发光特性之间的关系。还讨论了介质镶嵌和表面钝化对其电子结构的影响。 展开更多
关键词 si基纳米结构 电子性质 si基纳米发光材料 量子限制效应 电子结构 器件应用
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Si基光子材料的研究进展
8
作者 蒋学华 《盐城工学院学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期62-65,共4页
评述了研究开发Si基光子材料的意义 ,简述了超晶格、能带工程和Si基异质结构的物理机制 ,介绍了Si基光子材料研究的进展。
关键词 si基光子材料 超晶格 能带工程 si基异质结构
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Si基芯片光互连研究进展 被引量:2
9
作者 程勇鹏 陈少武 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第11期649-655,672,共8页
综述了近年来Si基光互连,尤其是和微电子工艺兼容程度较高的芯片间和芯片内的光互连的进展。Luxtera公司已经率先实现了除光源外的所有光子器件的单片集成,IBM也提出并开始实施微电子学领域的片内光互连的技术方案,但Si基光互连大部分... 综述了近年来Si基光互连,尤其是和微电子工艺兼容程度较高的芯片间和芯片内的光互连的进展。Luxtera公司已经率先实现了除光源外的所有光子器件的单片集成,IBM也提出并开始实施微电子学领域的片内光互连的技术方案,但Si基光互连大部分还停留在各构建单元器件性能提高的阶段,例如Si基发光、Si波导、Si波导耦合器、Si基调制器及光开关、Si基探测器以及用于光波导器件阵列的WDM技术。此外,还对Si基光源、光纤耦合、偏振敏感性以及光子器件的热稳定性提出了看法。总之,随着各种构建单元器件的综合性能、CMOS工艺兼容度、制备成品率的提高以及光电融合单片集成工艺的突破,光互连最终会成为现实,并引发微电子技术和IC行业的下一场革命。 展开更多
关键词 si基光子学 芯片光互连 si基无源/有源光子器件 光子集成 光电子单片集成电路
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Si基Cu/NiFe薄膜的生长及其粘附特性研究 被引量:5
10
作者 张涛 吴一辉 +1 位作者 张平 王淑荣 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1444-1447,共4页
微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu)... 微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu),然后对种子层进行电镀,当其厚度达到约15μm时,再进行NiFe合金的电铸.本文用扫描电镜、x射线衍射仪和剥离实验研究了薄膜粘附特性.研究结果表明当对种子层电镀后,随着Cu种子层厚度的增加,Cu/NiFe薄膜与基体的粘附强度增加,而薄膜的残余应力降低;同时Cu膜表面粗糙度增加,也增加了NiFe膜与Cu膜的粘附强度. 展开更多
关键词 si基 Cu/NiFe膜 粘附特性 剥离实验 残余应力
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晶粒有序Si基纳米发光材料的自组织化生长 被引量:15
11
作者 彭英才 X.W.Zhao 傅广生 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期449-460,共12页
提出了两类用于制备晶粒有序Si基纳米发光材料的方案。一种是利用固体表面预成核位置的有序化,如台阶表面、再构表面、吸附表面以及图形表面等加以实现。另一种则是通过控制自组织生长成校过程的有序性,如退火诱导晶化、引入埋层应变、... 提出了两类用于制备晶粒有序Si基纳米发光材料的方案。一种是利用固体表面预成核位置的有序化,如台阶表面、再构表面、吸附表面以及图形表面等加以实现。另一种则是通过控制自组织生长成校过程的有序性,如退火诱导晶化、引入埋层应变、异种原子掺杂以及分子自组装等加以实现。评论了这些制备方法的最新进展,并展望了它的未来发展趋势。 展开更多
关键词 无机非金属材料 si基纳米发光材料 评述 密度分布 自组织化生长
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Si基光发射材料的探索 被引量:4
12
作者 黄美纯 张建立 +1 位作者 李惠萍 朱梓忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期419-424,共6页
由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (OEIC)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它... 由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (OEIC)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料 ,甚至成为严格意义上的直接带隙材料 ,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑战。除多孔Si之外 ,最近已有若干令人鼓舞的方案 ,包括Si纳米晶、Si/O超晶格和注硼位错工程等方法 ,实现了Si基材料的有效发光试验。本文在分析其中最令人关注的进展的基础上 ,认为要实现高效率、高响应速率的Si基发光材料 ,以适应超高速、大容量信息处理和传输的要求 ,较好的途径是直接设计出具有直接带隙的Si基材料。因为避免界面态参与发光过程 ,对于提高响应速度至关重要。但是如何设计直接带隙的半导体材料并没有现成的规则可依循。我们建议一个经验的对称性法则 ,并设计出一种新的硅基超晶格。通过计算机模拟计算表明 ,其中Se/Si10 /Se/Si10 /Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征 ,其带隙处于红外波段。预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能 ,其制作也可方便地与硅微电子工艺兼容。因此 。 展开更多
关键词 si基光发射材料 超晶格 直接带隙光发射 光电子材料 响应速度 发光材料 微电子技术
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SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析 被引量:2
13
作者 安俊明 郜定山 +3 位作者 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期858-862,共5页
采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这... 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置 ,不利于波导与光纤的耦合 .理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿 ,可减小模场偏移 ,并用该方法设计了偏振无关的 1 6通道 AWG. 展开更多
关键词 siON薄膜 si基siO2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿 EEACC 4130
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Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性 被引量:2
14
作者 程雪梅 郑有炓 +5 位作者 刘夏冰 臧岚 朱顺明 韩平 罗志云 江若琏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期677-681,共5页
采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致... 采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致发光谱 ( PL谱 )测量显示 ,80 0℃下氧化后的样品在 370 nm和 396nm附近有两个光致发光带 ,1 1 0 0℃下氧化后的样品只在 396nm附近有一个光致发光带 .396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷 O- Si- O ( Si02 )或 O- Ge-O( Ge02 )引起的 ,而 370 nm附近的发光带与薄膜中 Ge- 展开更多
关键词 薄膜 室温光致发光 si基 siGEC
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Te对Mg_2Si基化合物结构和热电传输性能的影响 被引量:7
15
作者 姜洪义 张联盟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期550-553,共4页
采用固相反应法在 82 3K温度下分别制备出了掺入 0 .1%和 0 .4%Te(摩尔分数 ,下同 )的Mg2 Si化合物 ,并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究。结果表明 :通过对Mg2 Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2 Si基热电材料的整体热电性... 采用固相反应法在 82 3K温度下分别制备出了掺入 0 .1%和 0 .4%Te(摩尔分数 ,下同 )的Mg2 Si化合物 ,并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究。结果表明 :通过对Mg2 Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2 Si基热电材料的整体热电性能。掺入 0 .4%Te试样的优值系数在 5 0 0K时达到 2 .4× 10 - 3W/(m·K2 ) ,比未掺杂的Mg2 Si试样提高了 1. 展开更多
关键词 TE Mg2si基化合物 结构 热电传输性能 影响 固相反应 掺杂 热电特性 热电材料
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基于正交设计的Si基复合衬底优化工艺试验 被引量:4
16
作者 王丛 强宇 +1 位作者 高达 师景霞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1353-1356,共4页
在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火... 在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火温度是影响FWHM的关键因子,MEE退火温度和CdTe外延温度对R_a值来说影响是显著的。通过该系列实验得到最优的外延工艺条件。 展开更多
关键词 正交设计 si基 复合衬底 工艺优化
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Si基HgCdTe材料的电学特性研究 被引量:2
17
作者 魏青竹 吴俊 +5 位作者 巫艳 陈路 于梅芳 王伟强 傅祥良 何力 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期919-923,共5页
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料... 文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3 in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。 展开更多
关键词 si基 HGCDTE 电学参数 少子寿命 变温霍耳 分子束外延
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低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究 被引量:7
18
作者 高达 王经纬 +2 位作者 王丛 吴亮亮 刘铭 《红外》 CAS 2018年第10期12-15,48,共5页
随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial,MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流... 随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial,MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流稳定性、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题,以及通过正交试验优化生长参数,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500cm^(-2)以内,最优值达到57.83cm-2。 展开更多
关键词 si基碲镉汞 分子束外延 表面缺陷
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Si基陶瓷表面环境障涂层的研究进展 被引量:6
19
作者 王超 乔瑞庆 +2 位作者 吴玉胜 李明春 陈立佳 《中国陶瓷工业》 CAS 2017年第2期28-33,共6页
硅基非氧化物陶瓷SiC、Si_3N_4是最有可能取代镍基高温合金作为在发动机热端部件中使用的高温结构材料。但是,在高温水汽的环境中,硅基陶瓷易受到高温水汽的腐蚀,生成挥发性产物造成陶瓷表面结构退化、尺寸减小,使其在工作环境中稳定性... 硅基非氧化物陶瓷SiC、Si_3N_4是最有可能取代镍基高温合金作为在发动机热端部件中使用的高温结构材料。但是,在高温水汽的环境中,硅基陶瓷易受到高温水汽的腐蚀,生成挥发性产物造成陶瓷表面结构退化、尺寸减小,使其在工作环境中稳定性不足。在高温结构材料表面制备一层环境障涂层(Environmental Barrier Coatings,简称EBCs)是解决这一难题的有效方法。该涂层能够在腐蚀性介质、高速气流冲刷等恶劣环境设立一道屏障,阻止或减小环境对材料性能的影响,提高陶瓷基体的稳定性。本文回顾了环境障涂层的发展历史,并重点对多种环境障涂层体系的性能进行了介绍和评价。 展开更多
关键词 si基陶瓷 环境障涂层 发展历程
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高温均匀化及时效处理对Nb-Ti-Si基超高温合金组织的影响 被引量:3
20
作者 郭海生 郭喜平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1601-1605,共5页
采用真空非自耗电弧熔炼法制备Nb-Ti-Si基超高温合金的母合金锭,分别于1300、1400、1500和1600℃保温50h,对其进行均匀化处理,然后于1100℃保温50h进行时效处理。结果表明:热处理后的组织主要由Nbss和(Nb、x)5Si3(x代表Ti、Cr和Hf元素)... 采用真空非自耗电弧熔炼法制备Nb-Ti-Si基超高温合金的母合金锭,分别于1300、1400、1500和1600℃保温50h,对其进行均匀化处理,然后于1100℃保温50h进行时效处理。结果表明:热处理后的组织主要由Nbss和(Nb、x)5Si3(x代表Ti、Cr和Hf元素)组成,经1600℃、50h和1600℃、50h+1100℃、50h热处理后的组织中还出现HfO2。随着热处理温度的升高,多边形和板条状大块硅化物逐渐溶解或破碎成小块硅化物,残留的具有典型层片状或团状形貌的共晶组织的含量逐渐减少。1500℃、50h+1100℃、50h是Nb-Ti-Si基超高温合金比较合理的热处理工艺。 展开更多
关键词 均匀化处理 时效处理 Nb-Ti—si基超高温合金 组织变化
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