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SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析
1
作者 曹一江 史良钰 +2 位作者 王振群 陈建春 刘晓为 《电子器件》 CAS 2009年第2期364-367,共4页
测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能... 测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象,同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。 展开更多
关键词 功率晶体管 反向击穿曲线 半绝缘掺氧多晶硅(sipoS) 双线击穿 扫描电镜
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SIPOS/Si异质结特性的研究
2
作者 曹广军 徐彦忠 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第2期116-118,共3页
采用红外吸收光谱分析了SIPOS薄膜中Si-O键的结构,对比分析了热退火和快速灯光退火对SIPOS中Si-O键结构的影响,并结合SIPOS/Si结构的C-V、I-V测试结果,对该结构的异质结特性进行了分析。
关键词 sipoS膜 热退火 异质结构 半绝缘 多晶硅
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SIPOS/Si结构的界面特性
3
作者 曹广军 徐彦忠 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1996年第3期74-75,共2页
采用红外吸收光谱分析了SIPOS薄膜中Si—O键的结构,对比了热退火、快速灯光退火对SIPOS中Si—O键结构的影响,并结合SIPOS/Si结构的C-V,I-V测试结果,对其界面特性进行了分析.
关键词 界面特性 半导体薄膜 sipoS薄膜 Si-O键
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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究 被引量:3
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作者 刘红侠 郝跃 朱秉升 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期309-311,共3页
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
关键词 掺氧半绝缘多晶硅 LPCVD 薄膜淀积
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金属场板加SIPOS电阻场板的新型终端技术
5
作者 尹贤文 何林 黄平 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第6期4-7,共4页
本文介绍了一种金属场板结合SIPOS电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80%以上。对这种终端结构的设计,采用了一种简单方法。根据实验结果,对金属场板和SIPOS电阻场板的互补功能进行了详细的分析。
关键词 金属场板 sipoS 电阻场板 终端设备
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SIPOS障的结构织成
6
作者 谭凌 雷沛云 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期890-896,共7页
采用常压化学气相淀积(APCVD)方法,生长了不同氧含量的SIPOS(半绝缘含氧多晶硅)膜,研究了SIPOS膜的结构组成.SIPOS膜是微晶,多晶和非晶共存的结构,其晶态物中含有缺氧的α-Cristobalite(方... 采用常压化学气相淀积(APCVD)方法,生长了不同氧含量的SIPOS(半绝缘含氧多晶硅)膜,研究了SIPOS膜的结构组成.SIPOS膜是微晶,多晶和非晶共存的结构,其晶态物中含有缺氧的α-Cristobalite(方石英)结构.膜中含氧量可变,以SiOx(x<2)表示,随着氧含量的增加或减少,其结构向非晶或多晶方向移动.膜中氧原子分布不均匀,局部有氧原子微区集中或缺少现象,使X=0或1或2. 展开更多
关键词 sipoS膜 APVCD法
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一种基于SIPOS结构的高压深结复合终端
7
作者 王振硕 李学宝 +1 位作者 马浩 吴昊天 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期591-596,共6页
为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与SIPOS(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层SIPOS结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电... 为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与SIPOS(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层SIPOS结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电荷的影响更小,同时具有更高的击穿电压。以3.3 kV耐压等级的终端为例,利用仿真软件TCAD对所提出的新型终端复合结构进行了工艺和结构上的仿真,并且对影响新结构击穿电压的关键因素进行了分析。结果表明,随着SIPOS结构氧含量的减少,新结构的击穿电压不断提高,并且当界面电荷浓度为4×10^(11) cm^(-2)时,新结构仍能满足芯片耐压等级要求。 展开更多
关键词 终端结构 sipoS 界面电荷 功率器件 复合终端
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SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响 被引量:2
8
作者 石青宏 厉策 +1 位作者 王军 何慧强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期37-39,共3页
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词 sipoS 纵向结构 晶体管 电压特性 半绝缘多晶硅 掺氧多晶硅 膜结构
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用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn^+pp^+结构钝化的分析
9
作者 姜岩峰 李思渊 +2 位作者 刘肃 曹磊 薄建军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期686-690,共5页
用半绝缘多晶硅 ( SIPOS) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 SIPOS层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 SIPOS层上生长了一层 Si O2 .实际测... 用半绝缘多晶硅 ( SIPOS) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 SIPOS层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 SIPOS层上生长了一层 Si O2 .实际测量证实了这种新方法的合理性 .分析了各主要工艺对钝化效果的影响 ,综合优化指出 :在淀积 SIPOS层时 ,掺氧量要高 ,而淀积温度不应太高 .用此方法钝化的 4H- Si C n+ pp+ 结构 ,击穿电压接近理想值 。 展开更多
关键词 复合层 钝化层 碳化硅 sipoS 二氧化硅
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西门子SIPOS5系列电动执行机构特点及调试 被引量:2
10
作者 姚付连 《电站系统工程》 北大核心 2003年第5期62-62,共1页
关键词 电机控制 电动执行机械 特点 调试 西门子公司 sipoS5系列电动执行机构
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功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究
11
作者 郑英兰 王颖 +1 位作者 钟玲 吴春瑜 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第1期11-14,共4页
本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表... 本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性. 展开更多
关键词 斜角造型器件 半绝缘多晶硅 漏电流 钝化
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SIPOS—Si异质结二极管
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作者 王云珍 黄碧琳 张军 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1992年第4期4-6,共3页
文章主要研究n'p、p'n和p'p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。在同样掺杂条件下,异质结具有比同质结二极管更高的注入比、更高的反向击穿电压和低漏电流。
关键词 二极管 异质结 半绝缘多晶硅
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专利运营的思路探索及i-SIPO实践 被引量:2
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作者 吕荣波 马毓昭 《中国发明与专利》 2018年第4期51-56,共6页
本文从专利运营的狭义和广义概念谈起,分析了专利运营的主要业务形态及存在的问题,探索提出了专利运营"产业+""金融+""联盟+"和"全生命周期"的运营思路,并结合实践案例,总结提出为原创技术产... 本文从专利运营的狭义和广义概念谈起,分析了专利运营的主要业务形态及存在的问题,探索提出了专利运营"产业+""金融+""联盟+"和"全生命周期"的运营思路,并结合实践案例,总结提出为原创技术产业化提供全方位专业服务的i-SIPO模式,对广大从事专利运营工作的人士提供借鉴与思考。 展开更多
关键词 专利运营 i-sipo 产业+ 金融+ 联盟+ 全生命周期
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SIPO专利检索及分析系统及其应用 被引量:1
14
作者 黄艳 《山东工业技术》 2016年第8期275-276,共2页
专利检索及分析系统是国家知识产权局(SIPO)向公众提供的专利检索与查询平台中4大系统之一。本文以专利检索及分析系统为研究对象,介绍其检索与分析的主要功能及简单应用示例。
关键词 sipo 专利 检索 分析 应用
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SIPO国际检索报告与EPO补充检索报告比较研究 被引量:1
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作者 何杰 欧阳雪宇 +1 位作者 陈红霞 马秋娟 《中国发明与专利》 2012年第S1期132-135,共4页
为了对比研究中欧两局在A61K领域医用、牙科用或梳妆用的配制品的检索异同,提取了2005年由SIPO(中国专利局)受理并进入EPO(欧洲专利局)的PCT申请中A61K领域的案件,对SIPO国际检索报告和EPO补充检索报告进行了研究,涉及SIPO国际检索报告... 为了对比研究中欧两局在A61K领域医用、牙科用或梳妆用的配制品的检索异同,提取了2005年由SIPO(中国专利局)受理并进入EPO(欧洲专利局)的PCT申请中A61K领域的案件,对SIPO国际检索报告和EPO补充检索报告进行了研究,涉及SIPO国际检索报告和EPO补充检索报告的对比文件构成、专利XY文献来源、非专利XY文献比例以及XY率等指标的统计分析。结果显示,EPO在检索全面性、非专利文献检索等方面存在值得借鉴之处。 展开更多
关键词 sipo EPO A61K 检索报告 对比文件 XY率 专利检索 国际检索
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SIPOS 5 FLASH型电动门常见故障及处理方法 被引量:1
16
作者 高岩 《安徽电力科技信息》 2010年第5期34-37,共4页
铜陵发电厂在4号机组锅炉侧主要使用了SIPOS 5电动执行机构,目前使用的SIPOS 5 FLASH型电动门分为经济型和专业型。SIPOS 5电动门的电源板采用变频原理,当环境温度较高时,工作不稳定,而且停送电易发生故障;以下介绍电动门故障处理... 铜陵发电厂在4号机组锅炉侧主要使用了SIPOS 5电动执行机构,目前使用的SIPOS 5 FLASH型电动门分为经济型和专业型。SIPOS 5电动门的电源板采用变频原理,当环境温度较高时,工作不稳定,而且停送电易发生故障;以下介绍电动门故障处理详细情况。 展开更多
关键词 sipoS 常见故障 电动门 SH型 FLA 电动执行机构 铜陵发电厂 4号机组
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使用SIPO.GOV.CN查询药品专利方法
17
作者 刘毅 《中国医疗前沿(学术版)》 2008年第4期108-109,共2页
在internet网上查询药品专利既方便又快捷,能够使药品研发和生产企业充份了解药品的相关信息,为药品的研发和生产提供详实的资料基础,从而避免药品专利侵权纠纷的发生。但许多提供专利查询的网站或者需要交费登记或者内容不够详细。
关键词 外国专利 sipo.GOV.CN 国家知识产权局 发明人 检索字段 检索表达式 药品专利 专利代理 中国专利 逻辑检索 IPC 权利要求书 逻辑关系
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Responsibilities of the State Intellectual Property Office of the People's Republic of China (SIPO)
18
《China's Foreign Trade》 2002年第12期36-36,共1页
According to the "Notice on OrganizationStructure of the State Council", the formerChina Patent Office was changed into StateIntellectual Property Office of P. R. China(SIPO). SIPO falls within the category ... According to the "Notice on OrganizationStructure of the State Council", the formerChina Patent Office was changed into StateIntellectual Property Office of P. R. China(SIPO). SIPO falls within the category ofdirect authorities under State Council and isresponsible for patent work andcomprehensively coordination of the foreignrelated affairs in the field of intellectualproperty. 展开更多
关键词 OFFICE sipo Responsibilities of the State Intellectual Property Office of the People’s Republic of China
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Extention of Time Limit Mandated by SIPO(as basically limited to one extention and for two months at most)
19
《中国专利与商标》 1999年第4期17-17,共1页
The State Intellectual Poperty Office has announcedan amendment to Sec.5,Paragrph 4.2.of Chapter 7 ofExamination Guidelines.According to the newregulations,for making a respon to an office actionduring the prosecution... The State Intellectual Poperty Office has announcedan amendment to Sec.5,Paragrph 4.2.of Chapter 7 ofExamination Guidelines.According to the newregulations,for making a respon to an office actionduring the prosecution of a patent application,only a firstrequest for a two-month extension of time can be basicallyallowed upon payment of official fee of RMB300(aboutUSD36).For further extension after the first one,onlyanother request for one or two months,at most twomonths,would be possibly petitioned together with a copyof the client’s instructions of the further extension and 展开更多
关键词 as basically limited to one extention and for two months at most Extention of Time Limit Mandated by sipo
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SIPOS执行机构应用中故障分析及处理
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作者 李珂 寇江涛 +1 位作者 雷欣涛 田翠峰 《电工技术》 2015年第9期65-67,共3页
以SIPOS 5FLASH系列执行机构在1 030MW火电机组中的应用为例,简要介绍其结构组成,阐述其一般故障、控制单元故障及机械传动单元故障的故障现象、分析、处理及预防措施,并阐明了控制单元、减速箱的在线及离线处理方法及注意事项,有一定... 以SIPOS 5FLASH系列执行机构在1 030MW火电机组中的应用为例,简要介绍其结构组成,阐述其一般故障、控制单元故障及机械传动单元故障的故障现象、分析、处理及预防措施,并阐明了控制单元、减速箱的在线及离线处理方法及注意事项,有一定的推广意义。 展开更多
关键词 sipoS 5 FLASH卡涩 电源板 减速箱 齿轮箱
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