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硅凹槽中硅反蛋白石光子晶体直角半波导的制备 被引量：1
1
作者 韩喻 谢凯 +1 位作者 李宇杰 许静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期481-485,共5页
探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石(opal)结构光子晶体直角半波导的工艺条件,研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果的影响。结果表明,降低沉积速率有利于在蛋白石结... 探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石(opal)结构光子晶体直角半波导的工艺条件,研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果的影响。结果表明,降低沉积速率有利于在蛋白石结构内外均匀填充,同时在自由基扩散通道不被堵塞的前提下,增加沉积时间及蛋白石结构的规整程度,有助于反opal结构的形成。 展开更多
关键词 三维光子晶体 反蛋白石结构 si凹槽 直角波导
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PECVD制备嵌埋在硅槽中的硅反Opal结构 被引量：2
2
作者 韩喻 谢凯 +1 位作者 李宇杰 许静 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期537-540,共4页
摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响。结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填... 摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响。结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀。同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下,沉积时间越长,Opal结构排列越规整,则整体填充越致密,越有利于反Opal结构的形成。 展开更多
关键词 PECVD 反Opal结构 si凹槽
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