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新型的Si基量子线光波导及其对发展集成光学的意义
1
作者 王兆宏 唐天同 陈时 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2006年第9期21-23,共3页
新型的Si基量子线光波导具有亚波长甚至纳米尺度的光限制能力,还可以实现小曲率半径的低损耗光传输,因此可以实现高密度集成和纳米集成,成为集成光学领域的研究热点。文章简要介绍Si基量子线光波导的结构和原理、独特优势及其在发展高... 新型的Si基量子线光波导具有亚波长甚至纳米尺度的光限制能力,还可以实现小曲率半径的低损耗光传输,因此可以实现高密度集成和纳米集成,成为集成光学领域的研究热点。文章简要介绍Si基量子线光波导的结构和原理、独特优势及其在发展高密度密集纳米集成光路上的应用,并预测了应用于未来集成光路中的新型导光波导的发展方向。 展开更多
关键词 集成光学 si基量子线光波导 阵列波导光栅 喇曼激光器 光分插复用器
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减小SiO_2光波导表面粗糙度的ICP干法刻蚀工艺研究 被引量：3
2
作者 孙淼 时尧成 +1 位作者 戴道锌 刘柳 《光学仪器》 2007年第1期71-74,共4页
波导表面粗糙度引起的散射损耗是SiO2光波导传输损耗的主要来源,通过降低表面粗糙度可以获得低损耗SiO2光波导。通过优化ICP干法刻蚀工艺的各参数(如温度、压强、气体流量、感应/偏置功率等)获得了低粗糙度的SiO2光波导,并采用SEM和AFM... 波导表面粗糙度引起的散射损耗是SiO2光波导传输损耗的主要来源,通过降低表面粗糙度可以获得低损耗SiO2光波导。通过优化ICP干法刻蚀工艺的各参数(如温度、压强、气体流量、感应/偏置功率等)获得了低粗糙度的SiO2光波导,并采用SEM和AFM对刻蚀表面粗糙度进行了定量测试。采用优化刻蚀工艺可将表面粗糙度从35.4nm降低到3.6nm,波导传输损耗约为0.1dB/cm。 展开更多
关键词 si基siO2光波导 ICP刻蚀 表面粗糙度
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载流子寿命对Si基光电子器件性能的影响
3
作者 孙阳 徐学俊 陈少武 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第6期335-339,345,共6页
研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们... 研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件。 展开更多
关键词 载流子寿命 双光子吸收 自由载流子吸收 si基光波导 离子植入 PIN结构
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Si基槽型光波导的传输特性分析和传输损耗的测量 被引量：3
4
作者 洪建勋 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1286-1290,共5页
对Si基槽型(slot)光波导的传输特性进行了研究。采用三维时域有限差分(3D-FDTD)法研究了芯层中的光功率与波导槽型宽度及Si条带宽度之间的关系,结果显示,槽型光波导具有很好的光功率约束效率,可以达到30%以上;分析了光功率的变化规律及... 对Si基槽型(slot)光波导的传输特性进行了研究。采用三维时域有限差分(3D-FDTD)法研究了芯层中的光功率与波导槽型宽度及Si条带宽度之间的关系,结果显示,槽型光波导具有很好的光功率约束效率,可以达到30%以上;分析了光功率的变化规律及其优化,综合考虑光功率和光功率密度确定波导结构参数,实现最佳光功率分布,横向光功率分布沿x轴方向具有很好的约束效果,沿y轴方向呈现高斯分布;分析了底部Si薄层对光功率的影响,100nm的底部Si薄层使得芯层的光功率下降50%,减小底部Si薄层厚度有利于光功率约束效率的提高;采用电子束刻写(EBL)技术和等离子刻蚀(ICP)技术制备了Si基槽型光波导,实验研究了其传输损耗,结果显示,槽型光波导具有较低的传输损耗,达到13.5 dB/cm。 展开更多
关键词 si基光波导 槽型光波导 传输特性 功率约束 损耗
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