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腐蚀法制备SiC量子点粒径调控及尺寸对其光学性能的影响
1
作者
康杰
丁紫阳
+4 位作者
王晓燕
李连荣
孙为云
焦璨
宋月鹏
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第4期684-691,共8页
以氢氟酸、硝酸及分析纯硫酸组成的混合液为腐蚀剂,通过化学腐蚀法制备碳化硅量子点。对腐蚀混合液进行超声空化破碎,而后将其置于浓度梯度溶剂中进行高速离心层析裁剪,获得光学性能优异且粒径尺寸可控的碳化硅量子点。本文研究了腐蚀...
以氢氟酸、硝酸及分析纯硫酸组成的混合液为腐蚀剂,通过化学腐蚀法制备碳化硅量子点。对腐蚀混合液进行超声空化破碎,而后将其置于浓度梯度溶剂中进行高速离心层析裁剪,获得光学性能优异且粒径尺寸可控的碳化硅量子点。本文研究了腐蚀进程中碳化硅量子点微观形貌的演变过程,对SiC量子点的微观结构及发射光谱进行检测分析后,以发射光谱为纽带,建立量子点尺寸、光谱、颜色的关联机制。结果表明,超重力系数设定a=1000、离心时间120 min条件下,距液面位移0、30、60 mm处量子点平均直径约为2、5、7 nm,单一波长激发下随着碳化硅量子点直径由2→5→7 nm的变化,其光致发光相对强度峰值出现由417→435→445 nm的红移,而且发光颜色也相应呈现蓝绿色→绿色→黄绿色的变化规律;进一步研究发现,三种尺寸量子点发射光谱的半峰全宽随取液深度的增加而呈现81→97→106 nm增加的现象,初步分析这是由高速离心层析裁剪后靠近上层液面量子点粒径分布均匀性高于远离上层液面所致。
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关键词
sic量子点
微观形貌
尺寸调控
特征发射光谱
颜色
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职称材料
SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究
被引量：
2
2
作者
朱彦敏
宋月鹏
+3 位作者
康杰
高东升
毛志泉
KIM Hyoungseop
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期79-83,共5页
通过腐蚀法制备SiC量子点荧光标记材料,以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂,通过超声空化破碎分散及超重力场层析剪裁,得到SiC量子点水相溶液,研究了制备工艺参数对光学特性的影响,结果表明,降酸清洗次数、超声时长对量子点光致发光峰值(荧光强度)...
通过腐蚀法制备SiC量子点荧光标记材料,以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂,通过超声空化破碎分散及超重力场层析剪裁,得到SiC量子点水相溶液,研究了制备工艺参数对光学特性的影响,结果表明,降酸清洗次数、超声时长对量子点光致发光峰值(荧光强度)的影响最为显著,而腐蚀剂成分及配比、超重力系数在一定程度上影响了其光致发光强度及发射光波长,同时腐蚀剂成分中氢氟酸含量的增加使得光致发光峰值位置发生红移,而超声时长及超重力系数的增加使得SiC量子点光致发光峰值位置发生蓝移。并对SiC颗粒腐蚀过程相关机制也进行了探讨。
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关键词
sic量子点
腐蚀法
工艺参数
光谱特征
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职称材料
溶液浓度对SiC量子点光学性能的影响及表面修饰
被引量：
1
3
作者
康杰
丁紫阳
+3 位作者
孙为云
焦璨
王晓燕
宋月鹏
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第8期645-649,657,共6页
采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰。采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC量子点在不同溶液浓度下的光致发光谱和平均间距;采...
采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰。采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC量子点在不同溶液浓度下的光致发光谱和平均间距;采用傅里叶变换红外光谱仪对SiC量子点表面的功能团进行检测,对其表面亲水性基团耦合的机理进行分析。结果表明,随着SiC量子点溶液浓度的增大(4~12μmol·L^(-1)),其光致发光强度先增大后减小,且光致发光强度峰值出现在8μmol·L-1时;SiC量子点表面形成亲水性基团的关键在于腐蚀法制备过程中超声空化环节所营造的局部高压高温环境。
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关键词
sic量子点
浓度
光致发光强度
特征发射谱图
生物相容性
原文传递
基于量子点标记技术串珠镰孢菌的成像及示踪
4
作者
康杰
白玲
+2 位作者
丁紫阳
焦璨
孙为云
《山东工业技术》
2024年第1期30-37,共8页
本文采用化学腐蚀工艺制备的碳化硅量子点作为新型标记材料,成功实现了其对串珠镰孢菌的标记,并基于该标记技术研究了酚酸类物质对该菌分裂过程的影响,揭示了串珠镰孢菌对拟南芥幼苗的侵染机制。结果表明,腐蚀法制备的量子点直径约为5 ...
本文采用化学腐蚀工艺制备的碳化硅量子点作为新型标记材料,成功实现了其对串珠镰孢菌的标记,并基于该标记技术研究了酚酸类物质对该菌分裂过程的影响,揭示了串珠镰孢菌对拟南芥幼苗的侵染机制。结果表明,腐蚀法制备的量子点直径约为5 nm,近似呈球状,在激发光波长340 nm时光致发光强度峰值达到最大,量子点表面未经修饰既已形成了羟基、羧基及巯基亲有机基团;串珠镰孢菌在苯甲酸的胁迫下呈现出分裂迅速、产孢数量多、孢子侵染毒力强等生长变化态势,且该趋势与苯甲酸含量正相关;长时成像及示踪结果表明,拟南芥根毛区是该菌对其侵染的第一部位,其次为表皮细胞,最后该菌冲破植株最后一道安全屏障细胞壁进入细胞核,完成整个侵染过程。
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关键词
sic量子点
串珠镰孢菌
荧光标记
长时程成像
动态示踪
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职称材料
题名
腐蚀法制备SiC量子点粒径调控及尺寸对其光学性能的影响
1
作者
康杰
丁紫阳
王晓燕
李连荣
孙为云
焦璨
宋月鹏
机构
郑州职业技术学院新材料工程学院
山东农业大学机械与电子工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第4期684-691,共8页
基金
河南省科技攻关项目(222102220118)。
文摘
以氢氟酸、硝酸及分析纯硫酸组成的混合液为腐蚀剂,通过化学腐蚀法制备碳化硅量子点。对腐蚀混合液进行超声空化破碎,而后将其置于浓度梯度溶剂中进行高速离心层析裁剪,获得光学性能优异且粒径尺寸可控的碳化硅量子点。本文研究了腐蚀进程中碳化硅量子点微观形貌的演变过程,对SiC量子点的微观结构及发射光谱进行检测分析后,以发射光谱为纽带,建立量子点尺寸、光谱、颜色的关联机制。结果表明,超重力系数设定a=1000、离心时间120 min条件下,距液面位移0、30、60 mm处量子点平均直径约为2、5、7 nm,单一波长激发下随着碳化硅量子点直径由2→5→7 nm的变化,其光致发光相对强度峰值出现由417→435→445 nm的红移,而且发光颜色也相应呈现蓝绿色→绿色→黄绿色的变化规律;进一步研究发现,三种尺寸量子点发射光谱的半峰全宽随取液深度的增加而呈现81→97→106 nm增加的现象,初步分析这是由高速离心层析裁剪后靠近上层液面量子点粒径分布均匀性高于远离上层液面所致。
关键词
sic量子点
微观形貌
尺寸调控
特征发射光谱
颜色
Keywords
sic
QD
micro morphology
size regulation
characteristic emission spectroscopy
color
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O649.4 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究
被引量：
2
2
作者
朱彦敏
宋月鹏
康杰
高东升
毛志泉
KIM Hyoungseop
机构
山东农业大学机械与电子工程学院
山东省园艺机械与装备重点实验室
浦项工科大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期79-83,共5页
基金
山东省科技发展计划资助项目(2014GGX102012)
山东省博士后创新基金资助项目(201203101)
中国博士后科学基金资助项目(2013M53163)
文摘
通过腐蚀法制备SiC量子点荧光标记材料,以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂,通过超声空化破碎分散及超重力场层析剪裁,得到SiC量子点水相溶液,研究了制备工艺参数对光学特性的影响,结果表明,降酸清洗次数、超声时长对量子点光致发光峰值(荧光强度)的影响最为显著,而腐蚀剂成分及配比、超重力系数在一定程度上影响了其光致发光强度及发射光波长,同时腐蚀剂成分中氢氟酸含量的增加使得光致发光峰值位置发生红移,而超声时长及超重力系数的增加使得SiC量子点光致发光峰值位置发生蓝移。并对SiC颗粒腐蚀过程相关机制也进行了探讨。
关键词
sic量子点
腐蚀法
工艺参数
光谱特征
Keywords
silicon carbide quantum dots
chemical etching
process parameters
spectral characteristics
分类号
O482 [理学—固体物理]
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
溶液浓度对SiC量子点光学性能的影响及表面修饰
被引量：
1
3
作者
康杰
丁紫阳
孙为云
焦璨
王晓燕
宋月鹏
机构
郑州职业技术学院材料工程系
山东农业大学机械与电子工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第8期645-649,657,共6页
基金
河南省重点研发与推广专项(192102210062)。
文摘
采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰。采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC量子点在不同溶液浓度下的光致发光谱和平均间距;采用傅里叶变换红外光谱仪对SiC量子点表面的功能团进行检测,对其表面亲水性基团耦合的机理进行分析。结果表明,随着SiC量子点溶液浓度的增大(4~12μmol·L^(-1)),其光致发光强度先增大后减小,且光致发光强度峰值出现在8μmol·L-1时;SiC量子点表面形成亲水性基团的关键在于腐蚀法制备过程中超声空化环节所营造的局部高压高温环境。
关键词
sic量子点
浓度
光致发光强度
特征发射谱图
生物相容性
Keywords
sic
quantum dot
concentration
photoluminescence intensity
characteristic emission spectrum
biocompatibility
分类号
O649.4 [理学—物理化学]
原文传递
题名
基于量子点标记技术串珠镰孢菌的成像及示踪
4
作者
康杰
白玲
丁紫阳
焦璨
孙为云
机构
郑州职业技术学院新材料工程学院
出处
《山东工业技术》
2024年第1期30-37,共8页
基金
河南省重点研发与推广专项(科技攻关)(212102210551)
河南省科技攻关项目(222102220118)。
文摘
本文采用化学腐蚀工艺制备的碳化硅量子点作为新型标记材料,成功实现了其对串珠镰孢菌的标记,并基于该标记技术研究了酚酸类物质对该菌分裂过程的影响,揭示了串珠镰孢菌对拟南芥幼苗的侵染机制。结果表明,腐蚀法制备的量子点直径约为5 nm,近似呈球状,在激发光波长340 nm时光致发光强度峰值达到最大,量子点表面未经修饰既已形成了羟基、羧基及巯基亲有机基团;串珠镰孢菌在苯甲酸的胁迫下呈现出分裂迅速、产孢数量多、孢子侵染毒力强等生长变化态势,且该趋势与苯甲酸含量正相关;长时成像及示踪结果表明,拟南芥根毛区是该菌对其侵染的第一部位,其次为表皮细胞,最后该菌冲破植株最后一道安全屏障细胞壁进入细胞核,完成整个侵染过程。
关键词
sic量子点
串珠镰孢菌
荧光标记
长时程成像
动态示踪
Keywords
sic
quantum dots
fusarium moniliforme
fluorescence labeling
long-term imaging
dynamic tracing
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
腐蚀法制备SiC量子点粒径调控及尺寸对其光学性能的影响
康杰
丁紫阳
王晓燕
李连荣
孙为云
焦璨
宋月鹏
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究
朱彦敏
宋月鹏
康杰
高东升
毛志泉
KIM Hyoungseop
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
3
溶液浓度对SiC量子点光学性能的影响及表面修饰
康杰
丁紫阳
孙为云
焦璨
王晓燕
宋月鹏
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
1
原文传递
4
基于量子点标记技术串珠镰孢菌的成像及示踪
康杰
白玲
丁紫阳
焦璨
孙为云
《山东工业技术》
2024
0
下载PDF
职称材料
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