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应变导引的SiO_(2)晶体折射率变化研究
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作者 马婕 缪庆元 《光学与光电技术》 2021年第4期93-97,共5页
采用第一性原理方法,对SiO_(2)晶体带隙及折射率随应变的变化进行了研究,并进一步计算了不同应变时SiO_(2)的光弹性系数。结果表明,z轴方向的张应变增大时,SiO_(2)带隙减小;z轴方向的压应变增大时,SiO_(2)带隙先增大后减小,在压应变量... 采用第一性原理方法,对SiO_(2)晶体带隙及折射率随应变的变化进行了研究,并进一步计算了不同应变时SiO_(2)的光弹性系数。结果表明,z轴方向的张应变增大时,SiO_(2)带隙减小;z轴方向的压应变增大时,SiO_(2)带隙先增大后减小,在压应变量为2%时取得极大值。从张应变过渡到压应变的过程中,折射率逐渐增大。光弹性系数各分量随应变量变化具有不同变化趋势。该研究结果有助于相关器件的优化设计。 展开更多
关键词 sio_(2)晶体 折射率 应变 带隙 非线性 光弹性系数
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