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12dB微波薄膜衰减器的设计与制备 被引量：5
1
作者 李凌 王磊 +2 位作者 彭斌 张万里 蒋洪川 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期64-66,共3页
基于T型衰减网络结构设计并仿真了工作频率为DC^3GHz的微波薄膜衰减器,并采用磁控溅射法在BeO基片上制备了TaN微波薄膜衰减器。仿真结果表明,所设计的微波薄膜衰减器在DC^3GHz工作频率内,衰减量为12 dB,输入端口电压驻波比小于1.1。测... 基于T型衰减网络结构设计并仿真了工作频率为DC^3GHz的微波薄膜衰减器,并采用磁控溅射法在BeO基片上制备了TaN微波薄膜衰减器。仿真结果表明,所设计的微波薄膜衰减器在DC^3GHz工作频率内,衰减量为12 dB,输入端口电压驻波比小于1.1。测试结果表明,所制备的微波薄膜衰减器在DC^3GHz工作频率内,衰减量为(12.0±0.5)dB。 展开更多
关键词 微波薄膜衰减器 taN薄膜 t型衰减网络
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