不同受主技能杂对TiO2压敏陶瓷性能的影响 被引量：3

1

作者 王丹阳 季惠明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期160-162,共3页

本研究通过在ＴｉＯ２压敏陶瓷制备过程中掺杂不同的受主杂质，讨论了采用不同受主掺杂及不同烧结温度对双功能ＴｉＯ２压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明，在１３００℃烧结温度下，以Ｂａ或Ｓｒ掺杂的较Ｐｂ掺杂的Ｔｉ－Ｎｂ－Ｂｉ系... 本研究通过在ＴｉＯ２压敏陶瓷制备过程中掺杂不同的受主杂质，讨论了采用不同受主掺杂及不同烧结温度对双功能ＴｉＯ２压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明，在１３００℃烧结温度下，以Ｂａ或Ｓｒ掺杂的较Ｐｂ掺杂的Ｔｉ－Ｎｂ－Ｂｉ系压敏陶瓷对改善压敏性能更有利，相对而言，Ｂａ对降低压敏电压，Ｓｒ对提高非线性系数更有效。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 受主掺杂 烧结温度 性能

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烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 被引量：7

2

作者 陈海芳 甘国友 +1 位作者 严继康 张小文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-136,142,共3页

Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结... Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。 展开更多

关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 烧结温度 tio2压敏陶瓷 陶瓷性能 非线性系数 压敏电压 介电常数 过电压保护 功能元件

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Y系掺杂的TiO_2压敏陶瓷性能研究 被引量：7

3

作者 季惠明 孙清池 王丹阳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2002年第5期58-61,共4页

通过在TiO2 压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂 ,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2 压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明 :以Y系掺杂的Ti Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性。其中 ,以Y +Cu为受主掺杂剂... 通过在TiO2 压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂 ,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2 压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明 :以Y系掺杂的Ti Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性。其中 ,以Y +Cu为受主掺杂剂 ,SiO2 为烧结助剂的配方 ,在 1 30 0℃温度下烧结 ,获得压敏电压V1mA=9.4V/mm ,非线性系数α=4 .8,介电常数ε=2 1 30 0 ,介电损耗tanδ=0 .0 9较优异的压敏介电性能。 展开更多

关键词 性能 研究 tio2压敏陶瓷 Y系掺杂 Bi系掺杂 二氧化钛

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n型半导化TiO_2压敏陶瓷的导电机制 被引量：3

4

作者 周方桥 梁鸿东 +2 位作者 丁志文 陈志雄 庄严 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期29-31,共3页

分析了n型半导化TiO_2压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理地解释了该材料的I-V非线性特征;从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压,且与晶界受主态的分布函... 分析了n型半导化TiO_2压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理地解释了该材料的I-V非线性特征;从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压,且与晶界受主态的分布函数有密切关系. 展开更多

关键词 n型半导化 tio2压敏陶瓷 导电机制 压敏电阻 微观结构 二氧化钛 分布函数 受主态

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锶受主掺杂对TiO_2压敏陶瓷电性能的影响 被引量：2

5

作者 陈家才 甘国友 +2 位作者 严继康 张小文 孙加林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期21-24,共4页

采用典型的电子陶瓷工艺,制备了不同SrCO3含量掺杂的TiO2压敏陶瓷。通过对试样的压敏特性、电容特性的测试,研究了不同SrCO3含量对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。结果表明,随着掺入SrCO3含量的变化,TiO2压敏陶瓷的电性能呈现一定的变化规... 采用典型的电子陶瓷工艺,制备了不同SrCO3含量掺杂的TiO2压敏陶瓷。通过对试样的压敏特性、电容特性的测试,研究了不同SrCO3含量对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。结果表明,随着掺入SrCO3含量的变化,TiO2压敏陶瓷的电性能呈现一定的变化规律。当x(SrCO3)为0.5%时,试样表现出最好的压敏特性:V1mA为7.2 V/mm,α为3.6,εr为8.3×104,tanδ为0.53。 展开更多

关键词 电子技术 tio2压敏陶瓷 非线性系数 相对介电常数 掺锶

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Ta_2O_5对掺杂的TiO_2压敏陶瓷电性能的影响 被引量：4

6

作者 孟凡明 孙兆奇 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-56,共4页

基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度φb的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响。结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性... 基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度φb的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响。结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律,掺入摩尔分数为0.1%的Ta2O5样品显示出最低的压敏电压和最高的视在介电常数,并从理论上进行了分析。综合考虑材料的各种电性能参数,尤其是压敏电压低压化的需求,Ta2O5掺杂摩尔分数在0.1%左右为宜。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量

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TiO_2系压敏陶瓷施主掺杂研究 被引量：2

7

作者 朱道云 周方桥 庄严 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期28-30,共3页

研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和... 研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和最大的视在介电常数(εra=1.5×105)。 展开更多

关键词 电子技术 tio2压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 视在介电常数

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TiO_2压敏陶瓷的显微分析和电学性能 被引量：1

8

作者 严继康 甘国友 +2 位作者 陈海芳 张小文 孙加林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期53-55,58,共4页

研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷的显微结构、显微成分、势垒结构和电学性能的影响。采用SEM和EDS测试其显微结构和晶粒的化学组成。根据热电子发射理论和电学性能计算了势垒结构。在1350℃烧结的TiO2压敏陶瓷具有均匀而致密的显微结构,... 研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷的显微结构、显微成分、势垒结构和电学性能的影响。采用SEM和EDS测试其显微结构和晶粒的化学组成。根据热电子发射理论和电学性能计算了势垒结构。在1350℃烧结的TiO2压敏陶瓷具有均匀而致密的显微结构,其晶粒大小为15μm左右,施主掺杂Nb5+在TiO2晶粒中的固溶度为1.49%;势垒高度?B为0.28eV,势垒宽度xD为48nm;压敏电压V1mA为5.25V/mm,非线性系数α为4.2,εr为1.1×104。 展开更多

关键词 电子技术 tio2压敏陶瓷 烧结温度 显微结构 势垒结构 电学性能

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石英砂对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 被引量：2

9

作者 陈海芳 甘国友 +1 位作者 严继康 张小文 《佛山陶瓷》 2005年第9期4-6,共3页

本文主要研究SiO2对TiO2压敏陶瓷电性能的影响,并对其原因进行了分析。结果表明:通过掺入SiO2可以有效调控TiO2陶瓷的压敏特性,使TiO2压敏陶瓷具有良好的电性能。

关键词 二氧化钛 石英砂 压敏陶瓷 tio2压敏陶瓷 陶瓷性能 石英砂 tio2陶瓷 SIO2 压敏特性 电性能

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烧结条件对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 被引量：1

10

作者 陈妍妍 邹敏 +3 位作者 王琪琳 王晓燕 张云 王远 《四川有色金属》 2008年第4期27-32,共6页

本文研究了烧结温度和保温时间对TiO2压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响;用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的微观形貌;用X射线衍射(XRD)表征了样品的物相、晶体结构。结果表明:用一次直接烧结法制备的TiO2压敏陶瓷,以1350℃烧结2h样品... 本文研究了烧结温度和保温时间对TiO2压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响;用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的微观形貌;用X射线衍射(XRD)表征了样品的物相、晶体结构。结果表明:用一次直接烧结法制备的TiO2压敏陶瓷,以1350℃烧结2h样品的性能最佳,具有最优微结构和性能。烧结温度与保温时间两者之间在一定程度上相互制约,因此必须严格控制最高烧成温度和保温时间,在一定烧结条件下获得致密的微观结构以及较好的电学特性。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 显微结构 烧结温度 保温时间

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退火对TiO2-Ta2O5-CaCO3陶瓷结构及压敏性能的影响

11

作者 康昆勇 朱刚 徐开蒙 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第4期694-699,共6页

本文研究了退火对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的压敏性能的影响,采用球磨-成型-烧结的传统方法制备TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷,并将TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷在不同温度下退火,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB,采用XRD... 本文研究了退火对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的压敏性能的影响,采用球磨-成型-烧结的传统方法制备TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷,并将TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷在不同温度下退火,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB,采用XRD、SEM和STEM分析微观结构。结果表明,适宜温度下退火适当时间,可使晶粒适当长大,并使晶粒粒度分布均匀,减少气孔和提高致密度。退火过程中,半径较大的受主离子获得动能进一步向晶界偏析,增大晶界受主态密度,从而提高非线性系数α。晶粒适当长大,晶界数量和晶界总面积减小,有助于减小压敏电压;提高致密度可减小电阻率,从而进一步减小压敏电压。当掺杂浓度为0.20mol%,烧结温度为1350℃,700℃退火3 h的TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷获得最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=8.6,EB=22.5 V·mm-1),优于没有退火样品。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 非线性系数 压敏电压 退火

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CaCO_3对TiO_2系压敏陶瓷性能的影响 被引量：1

12

作者 巩云云 初瑞清 +4 位作者 徐志军 张宪楠 曾文静 窦同福 李国荣 《陶瓷学报》 北大核心 2017年第2期212-216,共5页

采用传统的固相烧结工艺制备了TiO_2系压敏陶瓷。通过对其晶体结构、表面形貌分析和对样品压敏性能、介电性能的测定,研究了不同CaCO_3含量对TiO_2压敏陶瓷性能的影响。研究发现:在1300℃烧结条件下,掺入0.50 mol%CaCO_3的样品具有非常... 采用传统的固相烧结工艺制备了TiO_2系压敏陶瓷。通过对其晶体结构、表面形貌分析和对样品压敏性能、介电性能的测定,研究了不同CaCO_3含量对TiO_2压敏陶瓷性能的影响。研究发现:在1300℃烧结条件下,掺入0.50 mol%CaCO_3的样品具有非常致密的微观结构,晶粒的均匀性最好;除TiO_2金红石晶相外,还存在着第二相;具有良好的综合电性能,显示出低的压敏电压(E_(1mA)=2.07 V/mm)、高的非线性系数(α=3.35)、最高的介电常数(ε_r=2.60×10~5)和相对低的介电损耗(tanδ=0.23)。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 CaCO3掺杂 非线性性能 介电性能

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(Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究 被引量：9

13

作者 孟凡明 胡素梅 +1 位作者 傅刚 周方桥 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期96-98,共3页

研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2... 研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0 5)及较小非线性系数 (α =2 .6 )。考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求 ,Ta2 O5最佳掺杂量在 0 .0 85mol%与 0 .1mol%之间。 展开更多

关键词 tio2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数

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Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷结构及性能的影响

14

作者 康昆勇 徐开蒙 +2 位作者 刘灿 杨晓琴 郑志锋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期447-452,共6页

TiO_2压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件,本文研究了Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影响。采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷,用压敏直流参数仪... TiO_2压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件,本文研究了Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影响。采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB和漏电流JL等电学性质,并根据相关公式计算样品平均势垒高度。XRD、XPS、SEM和STEM分析表明,Ge掺杂显著改变TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷微结构,提高非线性系数α和减小压敏电压EB。当施主Nb_2O_5和受主CaCO_3掺杂浓度分别为0.5mol%时,掺杂1.0mol%Ge的压敏陶瓷获得了最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=10.6,EB=8.7 V/mm),明显优于不掺杂Ge的TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷。此外,Ge熔点较低,作为烧结助剂可以降低陶瓷的烧结温度,TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度是1300℃。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 非线性系数 压敏电压 Ge

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Bi_2O_3对TiO_2系压敏陶瓷性能的影响 被引量：7

15

作者 李莉 屈晓田 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期49-51,共3页

采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷。通过测试其Ⅰ-Ⅴ特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度，研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响。结果表明，Bi2O3的适当掺杂范围在0．3％-0．5％（... 采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷。通过测试其Ⅰ-Ⅴ特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度，研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响。结果表明，Bi2O3的适当掺杂范围在0．3％-0．5％（摩尔分数）。其掺杂量的变化，可显著改变TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷的晶界电阻及势垒高度，进而对压敏陶瓷的电学非线性特性产生影响。当x（Bi2O3）为0．4％时，压敏陶瓷的Ⅴ1mA与α分别为40V／mm与6．2。 展开更多

关键词 电子技术 tio2系压敏陶瓷 Bi2O3添加剂 复阻抗 势垒高度

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低压TiO_2系压敏陶瓷的伏安特性实验分析 被引量：1

16

作者 朱道云 周方桥 丁志文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期25-27,共3页

采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较。结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106V/m量级)的... 采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较。结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106V/m量级)的情况下,TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷,而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似,属于肖特基热电子发射机制。 展开更多

关键词 tio2系压敏陶瓷 伏安特性 热电子发射 肖特基势垒

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Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响 被引量：4

17

作者 孟凡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第5期554-556,共3页

研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T ... 研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。 展开更多

关键词 tio2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化

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TiO_2基压敏陶瓷的研究进展

18

作者 孟凡明 鲁飞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期76-79,共4页

TiO2基压敏陶瓷的非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了此陶瓷的制备工艺、烧结制度、施主、受主掺杂和烧结助剂等对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响之研究现状,并阐述了TiO2基压敏陶瓷未来的研究方向。

关键词 tio2基压敏陶瓷 制备工艺 综述 烧结制度 施受主掺杂 烧结助剂 电性能

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TiO2电容-压敏陶瓷制备工艺研究进展

19

作者 孟凡明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期570-572,共3页

TiO2电容-压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良，具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了TiO2电容-压敏陶瓷的粉体制备、成型、烧结工艺、烧成制度以及烧结气氛等工艺过程的研究现状，并对其进行了展望。

关键词 tio2电容-压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数 工艺

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粉料埋烧的TiO_2瓷致密性和微观规整性研究 被引量：7

20

作者 孟凡明 孙兆奇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期11-12,共2页

通过与裸烧工艺的对比实验,研究了粉料埋烧对 TiO_2陶瓷性能的影响。采用金相显微分析、密度测量、压敏电压测量和介电测量等实验手段,分析了埋烧的作用机理。结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶瓷致密(密度达 4.112 g
... 通过与裸烧工艺的对比实验,研究了粉料埋烧对 TiO_2陶瓷性能的影响。采用金相显微分析、密度测量、压敏电压测量和介电测量等实验手段,分析了埋烧的作用机理。结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶瓷致密(密度达 4.112 g·cm–3)、降低压敏电压(E10mA=5.4 V·mm–1),同时提高了介电常数(εra=7.61×104)。该研究结果为 TiO_2基低压压敏电阻器的研制探索出一条新途径。 展开更多

关键词 电子技术 tio2压敏陶瓷 压敏电压 密度 晶粒结构 粉料埋烧 致密性 规整性

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