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题名离子束辅助沉积Ta/Zr薄膜及栅网应用研究
被引量：1
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作者
杨鹏云
张宏志
李文旭
邱立
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机构
北京真空电子技术研究所
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出处
《真空电子技术》
2022年第3期69-74,91,共7页
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文摘
利用离子束辅助沉积方法在Si片上沉积Ta/Zr薄膜,研究辅源离子能量对薄膜表面形貌和粗糙度的影响,通过扫描电镜和光学表面轮廓仪对其表面形貌和粗糙度进行表征。实验结果表明:辅源离子能量对薄膜的生长有很大的影响。Ta/Zr薄膜的沉积速率随着辅源能量的增加而减小,表面粗糙度随着辅源能量的增加先减小后增加,在离子能量为200 eV时,沉积得到的Ta/Zr薄膜较好,这主要因为在溅射过程中,适当的辅源离子能量可促进原子在薄膜表面的迁移,从而减少空隙的生成,引起薄膜表面致密化。在此基础上将该制备工艺固化并应用到栅控脉冲行波管中,该应用得到了较好的效果。
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关键词
离子束辅助沉积
栅控脉冲行波管
ta/zr薄膜
栅网膜层
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Keywords
Ion beam assisted deposition
Grid-controlled pulse traveling wave tubes
ta/zr film
Grid film
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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