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直流磁控溅射法在管道内壁镀TiZrV薄膜 被引量：7
1
作者 张波 王勇 +4 位作者 尉伟 范乐 王建平 张玉方 李为民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2124-2128,共5页
用氩气作为放电气体,采用直流磁控溅射法,成功地在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜。分别利用能量弥散X射线谱和X射线光电子能谱测量薄膜的成分组成,应用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对薄膜进行了测试,并对TiZrV的二次电子产额进行了测... 用氩气作为放电气体,采用直流磁控溅射法,成功地在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜。分别利用能量弥散X射线谱和X射线光电子能谱测量薄膜的成分组成,应用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对薄膜进行了测试,并对TiZrV的二次电子产额进行了测量。测试结果表明:TiZrV的成分基本保持在Ti原子分数为30%,Zr原子分数为30%,V原子分数为40%左右,位于"低激活温度区"内;薄膜具有无定形的结构,由微小的纳米晶粒组成;加热激活后TiZrV的二次电子产额有所下降,其峰值由2.03降到1.55,低于不锈钢和无氧铜。 展开更多
关键词 tizrv薄膜 非蒸散型吸气剂 直流磁控溅射 粒子加速器
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TiZrV吸气剂薄膜吸气性能的研究 被引量：3
2
作者 张波 尉伟 +6 位作者 范乐 王建平 裴香涛 洪远志 张玉方 李为民 王勇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期114-117,共4页
TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在粒子加速器领域得到应用。采用直流磁控溅射法在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜,并研究了薄膜对CO和H2的吸气性能。在200℃下加热24 h后TiZrV对CO和H... TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在粒子加速器领域得到应用。采用直流磁控溅射法在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜,并研究了薄膜对CO和H2的吸气性能。在200℃下加热24 h后TiZrV对CO和H2的抽速分别为0.23和0.02 L.s-1.cm-2,吸气容量分别为6.8×10-5和6.6×10-2Pa.L.cm-2,且随着激活温度和时间的增加,吸气性能会有所提高。 展开更多
关键词 tizrv薄膜 非蒸散型吸气剂 吸气性能 粒子加速器
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合肥光源真空室内壁镀TiZrV吸气剂薄膜的研究 被引量：4
3
作者 张波 王勇 +4 位作者 尉伟 范乐 王建平 张玉方 李为民 《真空》 CAS 北大核心 2010年第4期39-42,共4页
TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在国外一些粒子加速器得到应用。采用直流磁控溅射法,氩气作为放电气体,成功的在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜。薄膜中TiZrV之比为3:3:4左右,位于&qu... TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在国外一些粒子加速器得到应用。采用直流磁控溅射法,氩气作为放电气体,成功的在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜。薄膜中TiZrV之比为3:3:4左右,位于"低激活温度区"。利用三段一米长的螺线管串联所产生的磁场维持放电,完成了对三米长的波荡器真空室的镀TiZrV薄膜处理,并已安装在合肥光源储存环上,目前运行情况正常。 展开更多
关键词 tizrv薄膜 非蒸散型吸气剂 直流磁控溅射 粒子加速器
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TiZrV吸气剂薄膜的性能研究 被引量：2
4
作者 张波 王勇 +6 位作者 尉伟 范乐 裴香涛 洪远志 王建平 张玉方 李为民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期674-677,共4页
采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空... 采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空室在镀TiZrV薄膜处理后其PSD效应显著降低,在200℃下加热24h后,各气体的PSD产额与初始值相比可降低两个量级左右。TiZrV薄膜对CO和H2有较好的吸气效果,相同激活条件下对CO的抽速比H2高一个量级,吸气容量则较之低两个量级;另外,随着加热温度的提高和时间的延长,其吸气能力会有所提高。 展开更多
关键词 tizrv吸气剂薄膜 直流磁控溅射 二次电子产额 光致解吸 吸气性能
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MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述 被引量：12
5
作者 周超 李得天 +2 位作者 周晖 张凯锋 曹生珠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期438-443,共6页
MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易... MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易产生微小颗粒污染。在器件的真空腔室内镀上吸气剂薄膜,吸气剂薄膜在器件高温键合的同时被激活,就可在后期维持真空腔内的真空度。非蒸散型吸气剂薄膜激活后在室温下即具有优异的吸气性能,应用于MEMS器件真空封装可以提高器件的寿命和可靠性。目前,提高非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能,降低其激活温度是国内外研究的焦点。本文简要介绍了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气原理,从膜系材料和制备技术两方面分析了国内外研究现状。在膜材料方面,目前采用ⅣB族+ⅤB族组合的三元合金作为非蒸散型吸气剂薄膜的膜系材料。另外,在材料中掺入Fe、稀土元素等进行薄膜结构的修饰也是较常用的手段。值得指出的是,TiZrV合金薄膜是兼具较好的吸气性能和最低激活温度的非蒸散型吸气剂(NEG)薄膜。在制备技术方面,MEMS器件用非蒸散型吸气剂薄膜一般采用磁控溅射镀膜,磁控溅射镀膜工艺的关键是制备出柱状的纳米晶结构,该结构存在大量的晶界,可促进原子的扩散,降低激活温度。磁控溅射镀膜工艺的研究围绕靶材选择、基片温度、溅射电压、溅射气氛等。探索综合性能更优的新型材料体系和增大薄膜的比表面积仍然是目前非蒸散型吸气剂薄膜研究的关键。本文最后对非蒸散型吸气剂薄膜的研究趋势进行了展望,指出加入调节层的双层膜的激活性能和吸气性能优于单层膜,但调控机理有待明确,今后可以在TiZrV薄膜研究的基础上进一步进行双层薄膜的研究,也可横向拓展进行新型薄膜体系,如ZrCoRE等新型合金薄膜的研究。 展开更多
关键词 MEMS真空封装 非蒸散型吸气剂薄膜 吸气机理 tizrv薄膜 磁控溅射
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