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一种全MOS低温漂电压基准源的研究 被引量：1
1
作者 宋文青 于奇 +3 位作者 冯纯益 张军 朱波 郑杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期210-212,217,共4页
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:... 通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:在-40℃～125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51dB。 展开更多
关键词 tracking-vgs 温度补偿 NMOS栅源电压 电压基准源
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