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关于分次V-环 被引量:1
1
作者 高经芳 陈清华 《福建师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第3期6-9,共4页
引入并刻划了分次 V-环 ,证明在有限群 G-型强分次环 (|G|是 R的逆元 ,e是 G的单位元 )的条件下 ,分次环 R及由它导出的非分次环 R,Re,R# G在 V-环性质上是一致的 .
关键词 v-环 分次v-环 SMASH积 分次 非分次
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Quasi-dual模和V-环的一个新的推广(英文) 被引量:1
2
作者 郭勇华 易忠 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2005年第3期33-37,共5页
定义了quasi-dual模,讨论了它的性质和等价条件,并且通过quasi-dual模,详细讨论了V-环的一个新的推广结构,得到了以下等价条件:1R/Soc(RR)是右V-环;2每一个R的本质真右理想是极大右理想的交;3存在一个奇异半单右R-模是quasi-dual的.
关键词 quasi-dual v-环 零化子 奇异模
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几乎v-整环的局部化与拉回图研究
3
作者 李庆 张廷波 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期23-27,共5页
引入了几乎v-整环的概念.举例说明了几乎v-整环的局部化不一定是几乎v-整环.证明了若{Rα}是整环R的平坦扩环且R=∩Rα具有局部有限特征,如果Rα都是几乎v-整环,则R也是几乎v-整环.也研究了关于几乎v-整环的Nagata型定理.最后研究了几... 引入了几乎v-整环的概念.举例说明了几乎v-整环的局部化不一定是几乎v-整环.证明了若{Rα}是整环R的平坦扩环且R=∩Rα具有局部有限特征,如果Rα都是几乎v-整环,则R也是几乎v-整环.也研究了关于几乎v-整环的Nagata型定理.最后研究了几乎v-整环在(ΔM)型拉回图中的性质,证明了在(ΔM)型拉回图中,整环R是几乎v-整环当且仅当整环D和T都是几乎v-整环且TM是AV-整环.特别地,给出了若k是整环D的商域,则D+Xk[X](或D+Xk[[X]])是几乎v-整环当且仅当D是几乎v-整环. 展开更多
关键词 星型算子 几乎v- 局部化 Nagata型定理 拉回图
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关于形式三角矩阵环 被引量:3
4
作者 杜先能 《数学年刊(A辑)》 CSCD 北大核心 2006年第2期197-202,共6页
本文研究形式三角矩阵环 R 的若干新性质,讨论 R-模的伪投射性,给出了形式三角矩阵环 R 是 V-环或半 V-环的充要条件.同时,给出了 R 是 PS-环的条件.
关键词 形式三角矩阵 伪投射模 v-环 v-环 PS-
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某些环上的有限直和(英文)
5
作者 段璐灵 《广西科学》 CAS 2012年第3期218-220,共3页
证明R是V-环(或GV-环;FS-环;IF-环;FC-环;n-FC环)当且仅当S和T都是V-环(或GV-环;FS-环;IF-环;FC-环;n?FC环),其中S和T是环,R=ST.一般地,当R=im=1Ri时,类似的结论也成立.
关键词 v-环 Gv-环 FS- IF- FC- n-FC
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FCG-内射模、FCGP-内射模与某些环 被引量:5
6
作者 朱占敏 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期127-132,共6页
定义了左FCG内射模和左FCGP内射模 ,研究了它们的一些性质 ,用左FCG内射模刻画了左V环 .称一个环R为左FCG遗传环 ,如果投射左R模的有限余生成子模是投射的 .给出了环R为左FCG遗传环的一些等价条件和左FCG遗传环为半单环的条件 .当R为左... 定义了左FCG内射模和左FCGP内射模 ,研究了它们的一些性质 ,用左FCG内射模刻画了左V环 .称一个环R为左FCG遗传环 ,如果投射左R模的有限余生成子模是投射的 .给出了环R为左FCG遗传环的一些等价条件和左FCG遗传环为半单环的条件 .当R为左余Noether环时 ,R为左FCG遗传环当且仅当R的每个有限余生成左理想是投射的 . 展开更多
关键词 FCG-M-内射模 FCG-内射模 v-环 左FCG-遗传 半单
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FCG-投射模和FCGP-环 被引量:4
7
作者 朱占敏 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期1-3,17,共4页
一个左 R 模RA称为 FCG 投射模 ,如果对于任一有限余生成模 RM,A是 M 投射的 .环 R称为 FCGP环 ,如果任一 FCG投射 R模都为投射模 .给出了 FCG投射模的等价条件 ,并用 FCG投射模刻画了左 V环和半单环 .讨论了 FCGP环的性质和等价条件 ,... 一个左 R 模RA称为 FCG 投射模 ,如果对于任一有限余生成模 RM,A是 M 投射的 .环 R称为 FCGP环 ,如果任一 FCG投射 R模都为投射模 .给出了 FCG投射模的等价条件 ,并用 FCG投射模刻画了左 V环和半单环 .讨论了 FCGP环的性质和等价条件 ,得出了 R为半单环当且仅当 R为左 V环且为 FCGP 环 ,FCGP 环是 Morita不变的 . 展开更多
关键词 FCG-投射模 FCGP- v-环 半单 有限余生成模 等价条件 络合
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有限余相关模及模和环的有限余相关维数 被引量:3
8
作者 朱占敏 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期605-611,共7页
给出了有限余相关模的刻画 ,用有限余相关模刻画了余 Noether环和 V-环 ,给出了余正则环为 V-环的条件和遗传环为半单环的一个条件 .定义了模和环的有限余相关维数 ,研究了它们的一些性质 ,对于余凝聚环 。
关键词 有限余相关模 有限余相关维数 余Noether v-环 半单 余凝聚 余正则 模论
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On right GP-V-rings 被引量:1
9
作者 杨春兰 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期249-253,共5页
主要研究GP-V-环(GP—V-模),它是P—V-环(P—V-模)的推广.讨论了这一类环的某些性质,例如:设R是GP—V-环,则对主右理想U=αR的任意极大子理想K,存在n∈Z^+和R的极大右理想H使得H∩α^nR=K∩α^nR;右GP—V-环的每个主右理想... 主要研究GP-V-环(GP—V-模),它是P—V-环(P—V-模)的推广.讨论了这一类环的某些性质,例如:设R是GP—V-环,则对主右理想U=αR的任意极大子理想K,存在n∈Z^+和R的极大右理想H使得H∩α^nR=K∩α^nR;右GP—V-环的每个主右理想都是幂等的;右GP—V-环的直和项仍是右GP—V-环;等等.此外,还讨论了右GP—V-环什么时候是Von Neumann正则环. 展开更多
关键词 GP—v-环 GP-内射 Von Neumann正则
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FCG-内射模对某些环的刻画 被引量:1
10
作者 班秀和 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期24-26,共3页
用FCG内射模刻画了V环、半单环、QF环等特殊环.另外,还给出了FCG遗传环是遗传环、FCG内射模的子模也是FCG内射模的条件.
关键词 FCG-M-内射模 FCG-内射模 v-环 半单 QF- FCG-遗传
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伪内射模与特殊环 被引量:1
11
作者 班秀和 韦儒和 《阜阳师范学院学报(自然科学版)》 2008年第2期12-14,共3页
研究了伪内射模的性质,用伪内射模刻画了半单环,Noether、V-环,半Artin环和半局部环,得到的主要结果为:(1)伪内射模的完全不变子模是伪内射模;(2)R是半单环当且仅当伪内射模与半单模一致当且仅当半本原模是伪内射模,且本质基座的模是伪... 研究了伪内射模的性质,用伪内射模刻画了半单环,Noether、V-环,半Artin环和半局部环,得到的主要结果为:(1)伪内射模的完全不变子模是伪内射模;(2)R是半单环当且仅当伪内射模与半单模一致当且仅当半本原模是伪内射模,且本质基座的模是伪内射模当且仅当基座为0的模是伪内射模,伪内射模的直和伪内射;(3)R半Artin环当且仅当基座为0的模伪内射;(4)R是半局部环当且仅当R为左良好环且半本原模是伪内射模. 展开更多
关键词 伪内射模 半单 NOETHER v-环 半Artin 半局部
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FCG—投射模与特殊环
12
作者 班秀和 朱慕莲 黄容伟 《南阳师范学院学报》 CAS 2004年第12期1-3,共3页
一个左R—模RA称为FCG—投射模,如果对于任一有限余生成模RM,A是M—投射的。用FCG—投射模刻画了左V—环、半单环和QF—环,引进了FCG—遗传模和FCG—遗传环的概念,并对它们进行了刻画。
关键词 FCG-投射模 v-环 半单 QF- FCG-遗传模
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环及其本质理想
13
作者 夏章生 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2010年第4期418-419,共2页
小子模是与本质子模相对偶的概念,被广泛应用于小投射模的研究中.应用本质子模证明内射模是与小投射模相对偶的概念,并用本质理想来刻画几类的环:Noether环、hereditary环、V-环和半单环等.
关键词 本质理想 内射模 NOETHER Hereditary v-环
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正则环与V-环的挠论性质
14
作者 张力宏 刘仁政 《松辽学刊(自然科学版)》 1994年第4期7-10,共4页
本文证明了文献[2]提出的问题,并且更进一步的证明了环R是τV-挠正则环当且仅当R是,τV-挠环.
关键词 挠理论 τ-挠正则 τv- 可换 v-环 τ-正则 平坦模 内射模
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PT整环的研究 被引量:3
15
作者 万吉湘 王芳贵 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期27-31,共5页
引入了PT整环的概念,通过例子说明PTW整环不是PT整环,刻画了PT整环的局部化性质;然后讨论了其拉回图;最后对PT整环的几类扩环的性质进行了描述.
关键词 t-理想 PT整 v-凝聚整 SM整 NOETHER
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DT整环的研究 被引量:1
16
作者 周凤杰 王芳贵 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期45-48,共4页
引入了DT整环的概念,证明了当R是v-凝聚环时,如果R是DT整环,那么R的局部化也是DT整环,以及其它几种等价情况.在拉回图的情况下,研究了DT整环与某些特殊整环的一些关系,并讨论了在拉回图中环R,D,T间的关系.通过例子给出了DT整环与DW整环... 引入了DT整环的概念,证明了当R是v-凝聚环时,如果R是DT整环,那么R的局部化也是DT整环,以及其它几种等价情况.在拉回图的情况下,研究了DT整环与某些特殊整环的一些关系,并讨论了在拉回图中环R,D,T间的关系.通过例子给出了DT整环与DW整环和TW整环之间的联系. 展开更多
关键词 v-凝聚整 DW整 TW整 Milnor方图 fgv-
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关于PTW整环的多项式环 被引量:1
17
作者 万吉湘 唐再良 《绵阳师范学院学报》 2008年第11期15-17,共3页
在整闭条件下描述了PTW整环R及其多项式环R[X],R〈x〉,R|x|之间的关系,证明了若R是整闭整环,则R是PTW整环,且R[X]中素w-理想可扩张当且仅当R[X]是PTW整环,最后对TW得到了类似的结论。
关键词 W-理想 PTW整 TW整 v-凝聚整
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On Torsion Theories of Regulars and V-Rings
18
作者 Zhang Lihong(Department of Mathematics, Siping Normal College,136000) 《Chinese Quarterly Journal of Mathematics》 CSCD 1998年第3期12-17, ,共6页
In the paper,we proved that R is τυ ring if and only if R is τ regular ring and studied their properties further.
关键词 正则 v-环 挠理论
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广义Rickart模
19
作者 王永铎 任玉芳 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2023年第6期169-172,共4页
引入了广义Rickart模的概念,讨论了广义Rickart模与Rickart模及GSIP模的关系.给出了半单阿廷环及V-环新的刻画.
关键词 广义Rickart模 Rickart模 GSIP模 半单阿廷 v-环
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Analyses and Simulation of V-I Characteristics for Solar Cells Based on P-N Junction
20
作者 ZHENG Jian-bang REN Ju GUO Wen-ge HOU Chao-qi 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2005年第4期253-258,共6页
Through theoretical analyses of the Shockley equation and the difference between a practical P-N junction and its ideal model, the mathematical models of P-N junction and solar cells had been obtained. With Matlab sof... Through theoretical analyses of the Shockley equation and the difference between a practical P-N junction and its ideal model, the mathematical models of P-N junction and solar cells had been obtained. With Matlab software, the V-I characteristics of diodes and solar cells were simulated, and a computer simulation model of the solar cells based on P-N junction was also established. Based on the simulation model, the influences of solar cell’s internal resistances on open-circuit voltage and short-circuit current under certain illumination were numerically analyzed and solved. The simulation results showed that the equivalent series resistance and shunt resistance could strongly affect the V-I characteristics of solar cell, but their influence styles were different. 展开更多
关键词 P-N junction v-I characteristics Solar cell Equivalent circuit SIMULATION
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