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多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
被引量:
9
1
作者
潘炜
张晓霞
+2 位作者
罗斌
吕鸿昌
陈建国
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1999年第4期324-328,337,共6页
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELs的速率方程,并给出了其方程的严格解析解.在此基础之上,讨论了VCSELs的稳态特性,并与普通开腔和三维...
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELs的速率方程,并给出了其方程的严格解析解.在此基础之上,讨论了VCSELs的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较.给出了VCSELs中阈值电流密度,光输出和自发辐射与器件结构参数(阱层数,阱宽和势垒厚度)之间的依赖关系.这对于VCSELs的理论研究和优化器件结构将会有所裨益.
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关键词
垂直腔面发射
半导体激光器
vcsels
速率方程
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职称材料
题名
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
被引量:
9
1
作者
潘炜
张晓霞
罗斌
吕鸿昌
陈建国
机构
西南交通大学计算机与通信工程学院
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1999年第4期324-328,337,共6页
文摘
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELs的速率方程,并给出了其方程的严格解析解.在此基础之上,讨论了VCSELs的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较.给出了VCSELs中阈值电流密度,光输出和自发辐射与器件结构参数(阱层数,阱宽和势垒厚度)之间的依赖关系.这对于VCSELs的理论研究和优化器件结构将会有所裨益.
关键词
垂直腔面发射
半导体激光器
vcsels
速率方程
Keywords
vcsels
,
enhancing effect of spontaneous emission
,
spontaneous emission factor
,
multi-quantum well
,
closed cavities
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
潘炜
张晓霞
罗斌
吕鸿昌
陈建国
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1999
9
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参考文献
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