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原料颗粒度对AlN晶体生长的影响
1
作者
俞瑞仙
王国栋
+4 位作者
王守志
曹文豪
胡小波
徐现刚
张雷
《人工晶体学报》
北大核心
2024年第1期58-64,共7页
本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布...
本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布情况。使用不同颗粒度的原料进行了AlN晶体生长,发现最适合AlN晶体生长的温度梯度和原料颗粒度。最后用颗粒度为1~3 mm的多晶颗粒料进行晶体生长,生长出直径为1英寸、厚度为15 mm的AlN晶体。对晶体进行切割、研磨、抛光,得到1英寸AlN晶片。采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱对晶片进行表征。结果发现HRXRD摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为154.66″,E_(2)(high)声子模的峰位置和FWHM分别为656.7和4.3 cm^(-1),表明该AlN晶体结晶质量良好。
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关键词
AlN晶体
多晶颗粒料
孔隙率
vr-pvt
温场
杂质
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职称材料
题名
原料颗粒度对AlN晶体生长的影响
1
作者
俞瑞仙
王国栋
王守志
曹文豪
胡小波
徐现刚
张雷
机构
山东大学深圳研究院
山东大学新一代半导体材料研究院
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2024年第1期58-64,共7页
基金
深圳市科技计划(JCYJ20210324141607019)
山东省自然科学基金(ZR2022QF044)。
文摘
本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布情况。使用不同颗粒度的原料进行了AlN晶体生长,发现最适合AlN晶体生长的温度梯度和原料颗粒度。最后用颗粒度为1~3 mm的多晶颗粒料进行晶体生长,生长出直径为1英寸、厚度为15 mm的AlN晶体。对晶体进行切割、研磨、抛光,得到1英寸AlN晶片。采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱对晶片进行表征。结果发现HRXRD摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为154.66″,E_(2)(high)声子模的峰位置和FWHM分别为656.7和4.3 cm^(-1),表明该AlN晶体结晶质量良好。
关键词
AlN晶体
多晶颗粒料
孔隙率
vr-pvt
温场
杂质
Keywords
AlN crystal
polycrystalline granular material
porosity
vr-pvt
temperature field
impurity
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原料颗粒度对AlN晶体生长的影响
俞瑞仙
王国栋
王守志
曹文豪
胡小波
徐现刚
张雷
《人工晶体学报》
北大核心
2024
0
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