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用于双极化T/R组件的X~Ku波段MEMS环行隔离组件的设计
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作者 周嘉 汪蔚 高纬钊 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期93-97,共5页
多极化合成孔径雷达(SAR)能够提供丰富的目标特性,增强目标的识别、分类和抗干扰能力,成为重要的发展方向。其关键组件T/R组件采用了发射分时、接收同时的模式,每个通道射频(RF)前端包含一路发射通路和两路接收通路。利用微电子机械系统... 多极化合成孔径雷达(SAR)能够提供丰富的目标特性,增强目标的识别、分类和抗干扰能力,成为重要的发展方向。其关键组件T/R组件采用了发射分时、接收同时的模式,每个通道射频(RF)前端包含一路发射通路和两路接收通路。利用微电子机械系统(MEMS)技术设计了一款X~Ku波段环行隔离组件,在实现射频前端小型化双接收通路集成的同时解决了两路通道隔离问题。该环行隔离组件工作频率为10~18 GHz,尺寸为6 mm×11 mm×2.5 mm,三端口回波损耗均≥16 dB,并且双接收通路的隔离度≥29 dB。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 双极化 环行器 隔离器 共轭匹配 x~Ku波段
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应用于收发链路多模块级联的优化设计方法
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作者 余秋实 郭润楠 +7 位作者 陈昊 庄园 梁云 闫昱君 吴霞 葛逢春 王维波 陶洪琪 《电子技术应用》 2024年第5期77-83,共7页
为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及... 为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及设计流程进行了简要分析,并通过加工一款采用优化设计方案的4通道X/Ku波段的射频收发芯片,验证了该设计方案的可实现性与有效性。在8 GHz~18 GHz频带范围内,该芯片与基于端口驻波设计体系的原芯片相比,收发链路增益分别为6.5 dB和14 dB,提升了超过2 dB。发射链路输出功率21 dBm,发射效率为15.7%,分别提升了1 dB和9%。接收链路噪声系数为8.72 dB,降低了1.2 dB。收发链路最大移相均方根误差为5.12°和5.25°,分别下降了3.17°和1.75°。 展开更多
关键词 多模块级联 x/Ku波段 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 相控阵收发芯片
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一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的X/Ku波段数字有源移相器 被引量:2
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作者 王巍 徐巍 +3 位作者 钟武 林涛 袁军 徐骅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期59-63,共5页
提出了一种用于X/Ku波段相控阵天线系统、带数字控制电路的4位有源移相器。该移相器采用两个相位正交的输入信号的相位内插技术来合成所需要的相位。基于JAZZO.18μmSiGeBiCMOS工艺技术,采用CadenceSpectreRF,对电路系统进行仿真分... 提出了一种用于X/Ku波段相控阵天线系统、带数字控制电路的4位有源移相器。该移相器采用两个相位正交的输入信号的相位内插技术来合成所需要的相位。基于JAZZO.18μmSiGeBiCMOS工艺技术,采用CadenceSpectreRF,对电路系统进行仿真分析。仿真结果为:S11小于-10dB,S2z小于-11dB,S12小于-90dB,在12GHz处,所有4位相位状态的电压增益范围都是20.80~23.57dB,在整个频段内,电压增益误差的RMS小于1.1dB,噪声系数为2.82~4.45dB。在7~18GHz内,相位误差的RMS小于4°。 展开更多
关键词 有源移相器 相控阵 正交网络 智能天线 x KU波段 BICMOS
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X~Ku波段宽带驱动放大器设计 被引量:1
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作者 周守利 陈瑞涛 +1 位作者 周赡成 李如春 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期21-25,共5页
基于SiC衬底的0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一款X~Ku波段宽带1W驱动放大器单片微波集成电路。设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaN HEMT工艺模型的准确性,并获得了不同尺寸的GaN HEMT的大信号输出阻抗。第一... 基于SiC衬底的0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一款X~Ku波段宽带1W驱动放大器单片微波集成电路。设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaN HEMT工艺模型的准确性,并获得了不同尺寸的GaN HEMT的大信号输出阻抗。第一级管芯采用负反馈结构,降低匹配网络的Q值,通过带通匹配网络拓扑,实现了宽带匹配。测试结果表明,在28V的工作电压下,8~18GHz的频率内驱动放大器实现了输出功率大于30dBm,功率附加效率大于21%,功率增益大于15dB。芯片尺寸为:2.20mm×1.45mm。该芯片电路具有频带宽、效率高、尺寸小的特点,主要用于毫米波收发组件、无线通讯等领域,具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 x^Ku波段 氮化镓 驱动放大器 负反馈 单片微波集成电路
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X+Ku波段超宽带铁氧体移相器的仿真设计 被引量:2
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作者 高昌杰 《火控雷达技术》 2020年第3期68-71,75,共5页
本文对已有超越方程解析求解分析方法的准确度和适用性进行了仿真比对,在此基础上,以实现较好幅相传输特性为约束条件,给出了脊波导双环铁氧体加载移相器传输线设计参数;再通过初值设计和仿真优化,得到了阻抗匹配特性较好的宽带匹配网... 本文对已有超越方程解析求解分析方法的准确度和适用性进行了仿真比对,在此基础上,以实现较好幅相传输特性为约束条件,给出了脊波导双环铁氧体加载移相器传输线设计参数;再通过初值设计和仿真优化,得到了阻抗匹配特性较好的宽带匹配网络设计参数。仿真结果表明,相应设计参数能够确保移相器在X+Ku波段80%以上相对带宽内实现较好性能。 展开更多
关键词 超宽带 铁氧体 移相器 x+Ku波段
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一种X/Ku/Ka三频波纹喇叭的设计
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作者 曹国光 吴建明 《河北省科学院学报》 CAS 2017年第1期35-39,共5页
介绍了一种应用于X/Ku/Ka三频的波纹喇叭设计,该喇叭分别工作于8.6GHz-9.5GHz;15.7GHz-17.7GHz;33GHz-36GHz。波纹喇叭由输入段、模转换段、变角段和辐射段组成,其中模转换段采用环加载的形式。仿真和实测结果表明,设计的天线电气性能优... 介绍了一种应用于X/Ku/Ka三频的波纹喇叭设计,该喇叭分别工作于8.6GHz-9.5GHz;15.7GHz-17.7GHz;33GHz-36GHz。波纹喇叭由输入段、模转换段、变角段和辐射段组成,其中模转换段采用环加载的形式。仿真和实测结果表明,设计的天线电气性能优良,具有良好的实用性。测试结果表明波纹喇叭具良好的辐射特性。 展开更多
关键词 波纹喇叭 x频段 KU频段 KA频段
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单层薄型双波段雷达吸收涂层的研制 被引量:5
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作者 王智永 熊克敏 +3 位作者 刘俊能 任淑芳 邢丽英 邓龙江 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 1998年第1期51-55,共5页
研制出一种新的雷达波吸收涂层(RAC)。涂层厚度不超过0.5mm,在X、Ku两个频段范围内具有低于-4dB的反射率。该材料综合性能优异,是一种实用型飞行器隐身材料。
关键词 雷达吸波材料 隐身涂料 KU波段 x波段 RAC
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微波宽频段高性能高集成T/R组件设计 被引量:2
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作者 桂勇锋 金来福 +3 位作者 丁德志 解启林 吴士伟 邹永庆 《雷达科学与技术》 北大核心 2021年第2期137-143,共7页
基于微波宽频段有源相控阵系统T/R组件工程化迫切需求,针对传统T/R组件工作频带不够宽、体积尺寸大、稳定性差、移相衰减精度不高等问题,本文设计了一种X-Ku波段宽频段高性能高集成T/R组件。在突破八通道组件架构设计技术、基于LTCC整... 基于微波宽频段有源相控阵系统T/R组件工程化迫切需求,针对传统T/R组件工作频带不够宽、体积尺寸大、稳定性差、移相衰减精度不高等问题,本文设计了一种X-Ku波段宽频段高性能高集成T/R组件。在突破八通道组件架构设计技术、基于LTCC整板的高密度集成设计技术、宽带GaN功放高可靠高效率及散热设计技术、高频宽带高隔离防腔体效应设计技术、组件模块化设计及可制造性设计技术等关键技术基础上,研制出X-Ku波段10~18 GHz八通道T/R组件。组件具有收发放大、幅相控制和安全保护等主要功能,实测结果全频带内输出功率≥23.9 W、噪声系数≤3.52 dB、移相精度≤3.90°(RMS,均方根值)、衰减精度≤0.94 dB(RMS)、驻波≤1.98、效率≥23%。其中,工作带宽指标由之前的单频段10~12 GHz、15~17 GHz拓宽到宽频段10~18 GHz,输出功率由之前的10 W量级提高到20 W量级,噪声系数由之前的4.3 dB提升到小于3.52 dB。本组件具有高频、宽带、高效、高集成的特性,可应用于新型综合传感器雷达系统、多功能综合电子系统等装备中。 展开更多
关键词 宽频段 x-Ku波段 T/R组件 高性能 高集成 氮化镓
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大角度稳定的双频双极化频率选择表面
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作者 盛夕琛 葛俊祥 韩可 《雷达科学与技术》 北大核心 2018年第5期573-577,582,共6页
设计了一种X波段透射,Ku波段反射,具有大角度入射和较好极化稳定性的Y单元六边形紧凑排列的频率选择表面(FSS)。实测结果表明,当TE和TM波在±80°内入射时,该频率选择表面在中心频率9.41 GHz的5%带宽内透射损耗小于1 dB,同时在... 设计了一种X波段透射,Ku波段反射,具有大角度入射和较好极化稳定性的Y单元六边形紧凑排列的频率选择表面(FSS)。实测结果表明,当TE和TM波在±80°内入射时,该频率选择表面在中心频率9.41 GHz的5%带宽内透射损耗小于1 dB,同时在中心频率14. 5 GHz的5%带宽内反射率约大于90%。FSS在通带和反射都有着良好的角度稳定性和极化稳定性,对于分频复用的反射面天线和曲面流线型隐身雷达罩有很好的应用价值。 展开更多
关键词 频率选择表面(FSS) x/Ku波段 角度稳定性 极化稳定性
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Broadband, High Gain, Narrow Width Rectangular Dielectric Resonator Antenna with Air Gap
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作者 Ankit Kumar Roy Sukla Basu 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS CSCD 2019年第1期90-96,共7页
The broadband, narrow width, rectangular dielectric resonator antenna(RDRA) of aluminum nitride(εr=8.6) was designed and the effect of inclusion of air gap at the bottom of the dielectric resonator antenna(DRA),above... The broadband, narrow width, rectangular dielectric resonator antenna(RDRA) of aluminum nitride(εr=8.6) was designed and the effect of inclusion of air gap at the bottom of the dielectric resonator antenna(DRA),above the ground plane, was investigated. Gain around 7 dBi was obtained for DRA with air gap(DRAAG) over a broad bandwidth in upper X, Ku, and K bands. Further enhancement in gain could be obtained by placing a metal wall parallel to the length of DRA. However, due to the presence of metal wall, bandwidth was reduced. These structures with the metal wall are capable of operating over a wide band extending from Ku band to lower K band with the gain of around 10 dBi. CST Microwave Studio Software was used to simulate all these structures.Performance parameters of DRA with air gap were compared with several broadband DRA structures reported in recent literature. The proposed DRAAG with the metal wall in this paper is capable of operating over a wide bandwidth along with a significant gain. 展开更多
关键词 DIELECTRIC RESONATOR antenna(DRA) RECTANGULAR DIELECTRIC RESONATOR antenna(RDRA) wide band DIELECTRIC RESONATOR ANTENNA x Ku and K bands DIELECTRIC RESONATOR ANTENNA
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An 8~20GHz Monolithic SPDT GaAs pin Diode Switch 被引量:3
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作者 吴茹菲 尹军舰 +1 位作者 刘会东 张海英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1864-1867,共4页
Monolithic GaAs pin diode single pole double throw (SPDT) switches based on the fabrication technology of IMECAS are designed,fabricated,and tested. These SPDT switches achieve an insertion loss of 1.5dB,isolation o... Monolithic GaAs pin diode single pole double throw (SPDT) switches based on the fabrication technology of IMECAS are designed,fabricated,and tested. These SPDT switches achieve an insertion loss of 1.5dB,isolation of 32dB, and input and output return losses over 10dB from 8 to 20GHz. The switch design uses 2.5μm thick I-region GaAs pin diodes and a series-shunt-shunt switch topology in each arm. These performance characteristics are measured at a normal bias setting of 1.3V,which corresponds to 7mA of series diode bias current. 展开更多
关键词 x/ku-band SPDT switches GAAS pin diodes
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An 8–18 GHz power amplifier with novel gain fluctuation compensation technique in 65 nm CMOS 被引量:2
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作者 Jie Gong Wei Li +2 位作者 Jintao Hu Jiao Ye Tao Wang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2018年第12期201-207,共7页
A wideband CMOS power amplifier with high gain and excellent gain flatness for X-Ku-band radar phased array is proposed in this paper. Excellent gain flatness is achieved with transformer based matching networks(TMNs)... A wideband CMOS power amplifier with high gain and excellent gain flatness for X-Ku-band radar phased array is proposed in this paper. Excellent gain flatness is achieved with transformer based matching networks(TMNs), in which the gain fluctuation of an inter-stage matching network can be compensated by the proposed design methods. The circuit is fabricated in the TSMC 65 nm RF CMOS process. The proposed technique is verified by the measurement results, which show that the wideband PA achieves gain of 21-22.5 dB with only±0.75 dB gain fluctuation and 13-14.6 dBm flat output power between 7.5 and 15.5 GHz,and a little more ripple in the rest of the X-Ku band due to the inaccuracy of passive modelling at high frequency. The circuit delivers saturated and 1 dB-compressed output power of 14.6 and 11.3 dBm respectively at 13 GHz, for a maximal poweradded efficiency(PAE) of 23%. 展开更多
关键词 CMOS wideband power amplifier xku-band gain flatness
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