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题名导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点
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作者
杨文娟
卜予哲
赛青林
齐红基
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机构
中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心
中国科学院大学材料与光电研究中心
杭州光学精密机械研究所
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出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第3期414-419,共6页
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基金
国家重点研发计划(2022YFB3605500)。
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文摘
β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,所以β-Ga_(2)O_(3)晶体的缺陷检测技术显得尤为重要。过去通常采用刻蚀的方法进行位错的检测和密度计算,但这种方法是破坏性的,只适用于实验样品的研究分析。本文突破传统缺陷分析方法的局限,引入X射线形貌分析术(XRT)并结合酸性腐蚀法,对导模法生长β-Ga_(2)O_(3)的(001)、(010)、(100)面分别进行了深入研究,揭示了位错在三维空间的分布特征,明确指出,在导模法晶体中,沿着b轴[010]方向的位错占主导地位,为理解β-Ga_(2)O_(3)位错的结构和特征提供了宝贵的信息,进而为之后外延和器件晶面的选择指明了新的方向。
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关键词
氧化镓
宽禁带半导体
位错
x射线形貌分析术
导模法
腐蚀法
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Keywords
β-Ga_(2)O_(3)
wide bandgap semiconductor
dislocation
xRT
EFG method
etching method
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分类号
O77
[理学—晶体学]
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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