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Tb^(3+)激活硅酸盐玻璃的发光性能及其X射线转换屏应用研究
被引量：
19
1
作者
祖成奎
陈洁
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期283-286,298,共5页
通过成分设计、试样制备得到了荧光性能良好的Tb3+ 激活硅酸盐发光玻璃 ,利用荧光光度计测试了玻璃的激发光谱和发射光谱 ,在能量为 9MeV的X射线电荷耦合器件 (charge coupleddevice,CCD)摄像系统中 ,比较了Tb3+ 激活硅酸盐玻璃转换屏与...
通过成分设计、试样制备得到了荧光性能良好的Tb3+ 激活硅酸盐发光玻璃 ,利用荧光光度计测试了玻璃的激发光谱和发射光谱 ,在能量为 9MeV的X射线电荷耦合器件 (charge coupleddevice,CCD)摄像系统中 ,比较了Tb3+ 激活硅酸盐玻璃转换屏与Gd2 O2 S∶Tb多晶转换屏的发光性能。结果表明 :在Tb3+ 激活硅酸盐发光玻璃的发射波长中 ,5 43nm处的绿光发射最强 ,并且在X射线和紫外线的激发下 ,发射峰有不同程度的分裂。当Tb3+ 浓度增加时 ,由于能量在Tb3+ 离子间发生了无辐射共振转移 ,发光玻璃的蓝色荧光减弱 ,绿色荧光增强。发光玻璃在X射线CCD摄像系统中的使用效果良好 ,成像质量较高 ,可望作为X射线转换屏在CCD摄像系统中获得应用。
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关键词
铽离子
激活
硅酸盐玻璃
发光性能
x射线转换屏
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职称材料
大面积高分辨率CsI(Tl)X射线转换屏实验研究
被引量：
1
2
作者
廖华
胡昕
+3 位作者
杨勤劳
王光超
王云程
阔晓梅
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
北大核心
2014年第2期174-178,共5页
通过对X射线转换屏制备过程中,Tl+掺杂浓度、基底刻蚀、晶柱生长过程和防潮解等方面的大量实验研究,得到最佳掺杂浓度(摩尔比为0.055%)及合适的基底刻蚀深度(5μm)与工艺,实现对晶柱生长过程中表面形貌、温度、压力和转速的控制,研制出...
通过对X射线转换屏制备过程中,Tl+掺杂浓度、基底刻蚀、晶柱生长过程和防潮解等方面的大量实验研究,得到最佳掺杂浓度(摩尔比为0.055%)及合适的基底刻蚀深度(5μm)与工艺,实现对晶柱生长过程中表面形貌、温度、压力和转速的控制,研制出有效直径为100 mm、空间分辨率约为12lp/mm(厚度为300μm)的CsI(Tl)X射线转换屏.
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关键词
数字成像
掺杂浓度
基底刻蚀
晶柱生长
空间分辨
x射线转换屏
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职称材料
基于ZnO:In纳米棒阵列的X射线闪烁转换屏制备与性能研究
被引量：
1
3
作者
李乾利
胡亚华
+5 位作者
马逸凡
孙志祥
王敏
刘小林
赵景泰
张志军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期89-97,共9页
为了满足高能物理和核物理领域在探究一些超快物理事件时,对兼顾高时间和高空间分辨的X射线闪烁转换屏的迫切需求,本文利用磁控溅射和水热反应法制备了ZnO:In纳米棒阵列X射线闪烁转换屏,并对其进行氢气氛下的等离子处理优化其闪烁发光性...
为了满足高能物理和核物理领域在探究一些超快物理事件时,对兼顾高时间和高空间分辨的X射线闪烁转换屏的迫切需求,本文利用磁控溅射和水热反应法制备了ZnO:In纳米棒阵列X射线闪烁转换屏,并对其进行氢气氛下的等离子处理优化其闪烁发光性能.X射线激发发射谱显示ZnO:In纳米棒阵列具有395 nm的紫外发光和450-750 nm的可见发光两个发光峰,同时表明氢气氛等离子体处理可显著增强ZnO:In纳米棒阵列的紫外发光,抑制其可见发光.发光衰减时间测量表明,ZnO:In纳米棒阵列紫外发光衰减时间在亚纳秒级,其可见发光衰减时间在纳秒级,两者均可满足高时间分辨的X射线探测需求.在上海同步辐射光源的X射线空间分辨率测试表明,在能量为20 keV的X射线光束辐照下,厚度为12μm的ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏可达到1.5μm的系统空间分辨率.本研究表明利用ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏是实现兼顾高时间和高空间分辨的X射线探测与成像的一种可行方案.
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关键词
x
射线
闪烁
转换
屏
ZnO:In纳米棒阵列
超快衰减时间
高空间分辨率
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职称材料
CsI:Na(CsI:Tl)荧光透过率和对X射线的转换因子
被引量：
5
4
作者
徐向晏
牛憨笨
《计算物理》
CSCD
北大核心
2002年第3期195-202,共8页
在建立模型的基础上 ,较为全面地分析了CsI:Na(CsI:Tl)X射线转换屏的荧光透过率及对X射线的转换因子 ,明确了转换因子与X光子能量、转换屏厚度、衬底反射率、荧光吸收系数之间的函数关系 .计算表明 ,荧光透过率 (及转换因子 )与衬底反...
在建立模型的基础上 ,较为全面地分析了CsI:Na(CsI:Tl)X射线转换屏的荧光透过率及对X射线的转换因子 ,明确了转换因子与X光子能量、转换屏厚度、衬底反射率、荧光吸收系数之间的函数关系 .计算表明 ,荧光透过率 (及转换因子 )与衬底反射率和 1 (σL)值有较强的关系 ,为有较高的荧光透过率 ,实际制作的CsI:Na转换屏的 1 (σL)值应在 10以上 ,最好能达到 30～ 40 .在相同情况下 ,反射方式的转换因子高于透射方式 .用增加厚度来提高转换因子时应考虑荧光透过率降低的负面影响 .可选择适当的CsI:Na(CsI:Tl)
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关键词
CsI:Na
CsI:Tl
x
射线
成像
转换
因子
荧光透过率
x射线转换屏
碘化铯
钠掺杂
铊掺杂
x
射线
影像增强器
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职称材料
电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究
被引量：
1
5
作者
陈婷婷
顾牡
+2 位作者
于怀娜
刘小林
黄世明
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2015年第11期48-52,共5页
采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析，分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明，在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成；改变电流密度，可以有效调控孔径大小；在电阻率3...
采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析，分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明，在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成；改变电流密度，可以有效调控孔径大小；在电阻率30~50Ω＆#183;cm、电流密度20×10^–3A/cm^2的条件下，可以得到最优化多孔硅结构。通过模板引导法制备了高度有序的多孔硅阵列，孔径2.5μm，周期4μm。在电解液中添加十六烷基三甲基氯化铵（CTAC），反应生成的气泡更容易逸出，有利于改善多孔硅阵列形貌。研究成果为基于硅孔洞填充的像素化X射线闪烁转换屏的研制提供了必要的基础。
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关键词
电化学刻蚀
多孔硅阵列
形貌
孔径调控
模板引导
x射线转换屏
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职称材料
题名
Tb^(3+)激活硅酸盐玻璃的发光性能及其X射线转换屏应用研究
被引量：
19
1
作者
祖成奎
陈洁
机构
中国建筑材料科学研究院
北京航空材料研究院
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期283-286,298,共5页
文摘
通过成分设计、试样制备得到了荧光性能良好的Tb3+ 激活硅酸盐发光玻璃 ,利用荧光光度计测试了玻璃的激发光谱和发射光谱 ,在能量为 9MeV的X射线电荷耦合器件 (charge coupleddevice,CCD)摄像系统中 ,比较了Tb3+ 激活硅酸盐玻璃转换屏与Gd2 O2 S∶Tb多晶转换屏的发光性能。结果表明 :在Tb3+ 激活硅酸盐发光玻璃的发射波长中 ,5 43nm处的绿光发射最强 ,并且在X射线和紫外线的激发下 ,发射峰有不同程度的分裂。当Tb3+ 浓度增加时 ,由于能量在Tb3+ 离子间发生了无辐射共振转移 ,发光玻璃的蓝色荧光减弱 ,绿色荧光增强。发光玻璃在X射线CCD摄像系统中的使用效果良好 ,成像质量较高 ,可望作为X射线转换屏在CCD摄像系统中获得应用。
关键词
铽离子
激活
硅酸盐玻璃
发光性能
x射线转换屏
Keywords
terbium ion
activated
silicate glasses
luminescence properties
x
-ray conversion screens
分类号
TQ171.73 [化学工程—玻璃工业]
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职称材料
题名
大面积高分辨率CsI(Tl)X射线转换屏实验研究
被引量：
1
2
作者
廖华
胡昕
杨勤劳
王光超
王云程
阔晓梅
机构
深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
北大核心
2014年第2期174-178,共5页
基金
国家高技术发展计划资助项目(2008AA8040071)~~
文摘
通过对X射线转换屏制备过程中,Tl+掺杂浓度、基底刻蚀、晶柱生长过程和防潮解等方面的大量实验研究,得到最佳掺杂浓度(摩尔比为0.055%)及合适的基底刻蚀深度(5μm)与工艺,实现对晶柱生长过程中表面形貌、温度、压力和转速的控制,研制出有效直径为100 mm、空间分辨率约为12lp/mm(厚度为300μm)的CsI(Tl)X射线转换屏.
关键词
数字成像
掺杂浓度
基底刻蚀
晶柱生长
空间分辨
x射线转换屏
Keywords
digital imaging
doping concentration
etching substrate
growing crystal columns
spatial resolution
x
-ray converting screen
分类号
TN143 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于ZnO:In纳米棒阵列的X射线闪烁转换屏制备与性能研究
被引量：
1
3
作者
李乾利
胡亚华
马逸凡
孙志祥
王敏
刘小林
赵景泰
张志军
机构
上海大学材料科学与工程学院
嘉兴学院南湖学院
同济大学物理科学与工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期89-97,共9页
基金
国家自然科学基金(批准号:11905122,51772185,51402184,U1832159)
中国博士后科学基金(批准号:2019M651469)
嘉兴市科技计划项目(批准号:2017AY13015)资助的课题.
文摘
为了满足高能物理和核物理领域在探究一些超快物理事件时,对兼顾高时间和高空间分辨的X射线闪烁转换屏的迫切需求,本文利用磁控溅射和水热反应法制备了ZnO:In纳米棒阵列X射线闪烁转换屏,并对其进行氢气氛下的等离子处理优化其闪烁发光性能.X射线激发发射谱显示ZnO:In纳米棒阵列具有395 nm的紫外发光和450-750 nm的可见发光两个发光峰,同时表明氢气氛等离子体处理可显著增强ZnO:In纳米棒阵列的紫外发光,抑制其可见发光.发光衰减时间测量表明,ZnO:In纳米棒阵列紫外发光衰减时间在亚纳秒级,其可见发光衰减时间在纳秒级,两者均可满足高时间分辨的X射线探测需求.在上海同步辐射光源的X射线空间分辨率测试表明,在能量为20 keV的X射线光束辐照下,厚度为12μm的ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏可达到1.5μm的系统空间分辨率.本研究表明利用ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏是实现兼顾高时间和高空间分辨的X射线探测与成像的一种可行方案.
关键词
x
射线
闪烁
转换
屏
ZnO:In纳米棒阵列
超快衰减时间
高空间分辨率
Keywords
x
-ray scintillation screen
ZnO:In nanorod arrays
ultrafast decay time
high spatial resolution
分类号
TL816.1 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
CsI:Na(CsI:Tl)荧光透过率和对X射线的转换因子
被引量：
5
4
作者
徐向晏
牛憨笨
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2002年第3期195-202,共8页
文摘
在建立模型的基础上 ,较为全面地分析了CsI:Na(CsI:Tl)X射线转换屏的荧光透过率及对X射线的转换因子 ,明确了转换因子与X光子能量、转换屏厚度、衬底反射率、荧光吸收系数之间的函数关系 .计算表明 ,荧光透过率 (及转换因子 )与衬底反射率和 1 (σL)值有较强的关系 ,为有较高的荧光透过率 ,实际制作的CsI:Na转换屏的 1 (σL)值应在 10以上 ,最好能达到 30～ 40 .在相同情况下 ,反射方式的转换因子高于透射方式 .用增加厚度来提高转换因子时应考虑荧光透过率降低的负面影响 .可选择适当的CsI:Na(CsI:Tl)
关键词
CsI:Na
CsI:Tl
x
射线
成像
转换
因子
荧光透过率
x射线转换屏
碘化铯
钠掺杂
铊掺杂
x
射线
影像增强器
Keywords
CsI:Na(CsI:Tl) phosphor
x
-ray imaging
converting factor
fluorescence escape efficiency
分类号
O434.1 [机械工程—光学工程]
TN144.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究
被引量：
1
5
作者
陈婷婷
顾牡
于怀娜
刘小林
黄世明
机构
同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室
中国科学院上海应用物理研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2015年第11期48-52,共5页
基金
国家自然科学基金项目(No.11475128
No.11375129
+3 种基金
No.11475127)
科学技术部国家重大科学仪器设备开发专项项目(No.2011YQ3001902)
上海航天科技创新基金(No.SAST201445)
中科院大科学装置开放研究项目"自组装技术与超高密度纳米阵列研究"资助
文摘
采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析，分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明，在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成；改变电流密度，可以有效调控孔径大小；在电阻率30~50Ω＆#183;cm、电流密度20×10^–3A/cm^2的条件下，可以得到最优化多孔硅结构。通过模板引导法制备了高度有序的多孔硅阵列，孔径2.5μm，周期4μm。在电解液中添加十六烷基三甲基氯化铵（CTAC），反应生成的气泡更容易逸出，有利于改善多孔硅阵列形貌。研究成果为基于硅孔洞填充的像素化X射线闪烁转换屏的研制提供了必要的基础。
关键词
电化学刻蚀
多孔硅阵列
形貌
孔径调控
模板引导
x射线转换屏
Keywords
electrochemical etching
porous silicon array
morphologies
pores diameter modulation
pattern guiding
x
-ray converting screen
分类号
TQ035 [化学工程]
TL816.1 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Tb^(3+)激活硅酸盐玻璃的发光性能及其X射线转换屏应用研究
祖成奎
陈洁
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
19
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职称材料
2
大面积高分辨率CsI(Tl)X射线转换屏实验研究
廖华
胡昕
杨勤劳
王光超
王云程
阔晓梅
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
北大核心
2014
1
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职称材料
3
基于ZnO:In纳米棒阵列的X射线闪烁转换屏制备与性能研究
李乾利
胡亚华
马逸凡
孙志祥
王敏
刘小林
赵景泰
张志军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
4
CsI:Na(CsI:Tl)荧光透过率和对X射线的转换因子
徐向晏
牛憨笨
《计算物理》
CSCD
北大核心
2002
5
下载PDF
职称材料
5
电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究
陈婷婷
顾牡
于怀娜
刘小林
黄世明
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2015
1
下载PDF
职称材料
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