基金This work is supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 60336010 ＆ 90401001）973 Program （Grant No. TG 2000036603）the Student Innovation Program of CAS （No. 1731000500010）.
文摘获得 Si_(1-x ) Ge_x 层的作文是重要的，特别，那与高 Ge 满足， Si 上的 epitaxied 底层。二个非破坏性的考试方法，两倍晶体X光检查衍射( DCXRD )和 micro-Raman 测量，当当 x 是低的时，二个方法与对方一致时，比较地被介绍在Si_( 1-x ) Ge_x 层决定 x 价值，它显示出那，从两倍晶体X光检查衍射获得的结果不由于发生在Si_( 1-x ) Ge_x 的大紧张松驰是可信的，层 Ge 什么时候满足，比大约20%高。Micro-Raman 测量为比 DCXRD 决定高 Gecontent 是更适当的。
