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电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管
1
作者 杜晓松 王宇 孔祥兔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期991-994,1019,共5页
无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO_(2)薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO_(2)为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测... 无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO_(2)薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO_(2)为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测试。测试结果表明,该IGZO FET展现了优良的电学性能:高源漏电流开关比(1.1×10^(6))、高电子迁移率(1.4 cm^(2)/(V·s))、较小的回滞差分电压(<2 V)、极低的栅极漏电流(<1 nA),这为无掩模版制备高性能氧化物半导体器件及柔性全透明集成电路提供了全新的方法。 展开更多
关键词 电子束光刻 无掩模版图形化 直写技术 氧化物半导体器件 In-ga-zn-O
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新型无铅焊料合金Sn-Zn-Ga的研究 被引量：26
2
作者 陈国海 黎小燕 +1 位作者 耿志挺 马莒生 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1222-1225,共4页
以 Sn-Zn 合金为母合金,添加 Ga 元素,得到了新型的无铅焊料合金。测量了其熔点、硬度、剪切强度和可焊性等性能。研究发现,Ga 元素的添加使焊料的熔点降低,熔程增大。焊料的硬度和剪切强度有所降低。焊料的铺展率增大,浸润角减小,提高... 以 Sn-Zn 合金为母合金,添加 Ga 元素,得到了新型的无铅焊料合金。测量了其熔点、硬度、剪切强度和可焊性等性能。研究发现,Ga 元素的添加使焊料的熔点降低,熔程增大。焊料的硬度和剪切强度有所降低。焊料的铺展率增大,浸润角减小,提高了焊料的可焊性。通过实验研究确定了具有较好综合性能的焊料的成分范围。 展开更多
关键词 无铅焊料 Sn-zn-ga 熔点 剪切强度 浸润角
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Zn(Ga，Fe)_2O_4固溶体尖晶石结构中阳离子分布研究 被引量：3
3
作者 王静 邓彤 +1 位作者 杨彩琴 王伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期190-194,共5页
应用X射线衍射密度法(R因子法)计算了Zn(Ga,Fe)_2O_4固溶体尖晶石结构中阳离子分布,结果表明:金属离子在ZnGa_2O_4尖晶石结构中采取中间偏反型分布.随Fe^(3+)离子进入尖晶石结构,促使Zn^(2+)进入A位的量增多,而Ga^(3+)进入B位的量增多.... 应用X射线衍射密度法(R因子法)计算了Zn(Ga,Fe)_2O_4固溶体尖晶石结构中阳离子分布,结果表明:金属离子在ZnGa_2O_4尖晶石结构中采取中间偏反型分布.随Fe^(3+)离子进入尖晶石结构,促使Zn^(2+)进入A位的量增多,而Ga^(3+)进入B位的量增多.同时,各样品的IR光谱表明:Fe^(3+)进入尖晶石结构取代Ga^(3+)对代表电子传导活化能的极限频率影响很大. 展开更多
关键词 R因子 zn(ga Fe)2O4 尖晶石结构
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在ZSM－5分子筛上引入Zn、Ga物种对乙烷芳构化的影响 被引量：12
4
作者 熊国兴 邵春岩 +2 位作者 崔巍 缪清 鲁孟成 《石油化工》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期1-6,共6页
报道了在Ｚｎ、Ｇａ改性的ＺＳＭ－５分子筛上进行乙烷芳构化与乙烯芳构化反应的结果，并考察了反应温度对Ｚｎ－ＺＳＭ－５催化剂乙烷芳构化性能的影响和催化剂Ｇａ－ＺＳＭ－５的焙烧时间对其性能的影响等。试验结果表明：（１）乙烷... 报道了在Ｚｎ、Ｇａ改性的ＺＳＭ－５分子筛上进行乙烷芳构化与乙烯芳构化反应的结果，并考察了反应温度对Ｚｎ－ＺＳＭ－５催化剂乙烷芳构化性能的影响和催化剂Ｇａ－ＺＳＭ－５的焙烧时间对其性能的影响等。试验结果表明：（１）乙烷脱氢活化步骤是乙烷芳构化反应的控制步骤，Ｚｎ、Ｇａ物种对乙烷脱氢活化起着至关重要的作用，并且ｚｎ物种的作用大于Ｇａ物种。Ｚｎ、Ｇａ物种还能促进聚合环化物脱氢向芳烃转化：（２）升高反应温度对乙烷脱氢活化和聚合环化物脱氢有利，同时会使聚合环化物的裂解反应速度增加，因而在乙烷芳构化反应中存在最佳温度；（３）延长焙烧时间，有利于乙烷的活化及乙烯、Ｃ＿３等芳构化中间产物向芳烃的转化。 展开更多
关键词 分子筛 催化
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Ga、Zn改性方法对HZSM-5催化剂丙烯芳构化性能的影响 被引量：27
5
作者 王恒强 张成华 +2 位作者 吴宝山 任杰 李永旺 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期576-581,共6页
以浸渍法和水热合成法对ZSM-5分子筛进行Ga、Zn改性,制得不同酸性的分子筛催化剂。采用XRD、SEM、NH3-TPD和XPS等表征手段,研究考察了Ga、Zn和不同引入方法对催化剂的孔结构、骨架结构特性和表面酸性的影响,并以丙烯芳构化为模型反应,... 以浸渍法和水热合成法对ZSM-5分子筛进行Ga、Zn改性,制得不同酸性的分子筛催化剂。采用XRD、SEM、NH3-TPD和XPS等表征手段,研究考察了Ga、Zn和不同引入方法对催化剂的孔结构、骨架结构特性和表面酸性的影响,并以丙烯芳构化为模型反应,考察了Ga、Zn改性对ZSM-5催化剂烯烃芳构化催化性能的影响。研究结果表明,Ga、Zn改性对催化剂形貌影响较小,但能明显改变催化剂的表面酸性和烯烃芳构化性能。Zn改性能降低催化剂的酸性,而Ga改性与其引入的方式有关,浸渍法引入催化剂的中强酸位略有下降,而水热合成法引入则显著增加了催化剂的总酸量。Ga、Zn改性均提高了芳构化反应的活性和芳烃选择性,并抑制催化剂表面积炭。 展开更多
关键词 HZSM-5 酸性 ga zn 丙烯芳构化 积炭
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复合添加Ga,Al,Ag对Sn-9Zn钎料性能的影响 被引量：3
6
作者 王慧 薛松柏 +1 位作者 陈文学 王俭辛 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期21-24,共4页
采用润湿平衡法研究了合金元素Ga,Al,Ag复合添加对Sn-9Zn钎料润湿性的影响.结果表明,Ga,Al,Ag的最佳添加量分别为0.2,0.002,0.25(质量分数,%);添加合金元素后钎料的高温抗氧化性能显著提高.俄歇电子能谱分析表明,Sn-9Zn-0.2Ga-0.002Al-0... 采用润湿平衡法研究了合金元素Ga,Al,Ag复合添加对Sn-9Zn钎料润湿性的影响.结果表明,Ga,Al,Ag的最佳添加量分别为0.2,0.002,0.25(质量分数,%);添加合金元素后钎料的高温抗氧化性能显著提高.俄歇电子能谱分析表明,Sn-9Zn-0.2Ga-0.002Al-0.25Ag钎料表面Al高度富集并形成一层致密的氧化膜,可阻挡氧向液态钎料内部扩散,减少钎料的氧化.Sn-9Zn-0.2Ga-0.002Al-0.25Ag钎料与Cu/Ni/Au基板之间的金属间化合物由一层平坦的AuZn3和颗粒状的AuAgZn2化合物组成.另外,微焊点力学试验表明,采用Sn-9Zn-0.2Ga-0.002Al-0.25Ag钎料时,电子元器件与基板间微焊点的力学性能比Sn-9Zn钎料略有提高. 展开更多
关键词 无铅钎料 SN-zn ga元素 润湿性
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Al-Zn-In-Ga-Si牺牲阳极合金在地热水中的电化学性能研究 被引量：7
7
作者 李春福 王斌 +2 位作者 代家林 刘大红 罗建民 《西南石油学院学报》 CSCD 2004年第3期56-58,共3页
对自行研制的Al- 3.5wt%Zn - 0 .0 2wt%In - 0 .0 2wt%Ga- 0 .1 5wt%Si牺牲阳极合金在不同温度地热水中的电化学性能进行了测试研究 。
关键词 Al基牺牲阳极 电化学性能 地热井 完井筛管
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Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能影响 被引量：18
8
作者 袁传军 梁成浩 安晓雯 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期502-505,共4页
采用电化学测试技术和原子光谱、电子探针等分析技术,研究了Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能的影响,分析了Ga、In等元素在合金中的分布形态和在铝合金活性溶解过程中的作用.结果表明,在3%的NaCl溶液中Al-4%Zn-0.022%In-0.015%Ga牺... 采用电化学测试技术和原子光谱、电子探针等分析技术,研究了Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能的影响,分析了Ga、In等元素在合金中的分布形态和在铝合金活性溶解过程中的作用.结果表明,在3%的NaCl溶液中Al-4%Zn-0.022%In-0.015%Ga牺牲阳极工作电位为-1039mV,电流效率为96.3%.随着Al-Zn-In-Ga阳极中Ga的增加,阳极工作电位负移、电流效率下降,孔蚀愈加严重.电子探针分析发现,在Al-4%Zn-0.022%In-0.015%Ga阳极中Ga均匀地固溶于合金中,而In在阳极表面产生局部富集.Al-Zn-In-Ga阳极由于In3+的活化作用,破坏了表面钝化膜,使电极电位负移,从而激活了Ga3+的活性,使得Ga3+、In3+、Zn2+等产生共同沉积,维持了阳极活性溶解. 展开更多
关键词 钙 Al-zn-In合金 牺牲阳极 电化学性能 铝合金 原子光谱分析
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Ga、Al对Sn-Zn钎料耐蚀及高温抗氧化性能的影响 被引量：12
9
作者 王慧 薛松柏 +1 位作者 陈文学 马秀萍 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2187-2190,共4页
采用侵蚀失重法研究Ga、Al对Sn-9Zn钎料在3.5%NaCl水溶液中耐腐蚀性的影响。结果表明,添加Ga元素后,腐蚀产物的粘附性提高,均匀覆盖在钎料表面上,提高了钎料的耐蚀性能;添加Al以后,Zn和Al被选择性腐蚀,腐蚀随着Al含量的增加而加剧。采... 采用侵蚀失重法研究Ga、Al对Sn-9Zn钎料在3.5%NaCl水溶液中耐腐蚀性的影响。结果表明,添加Ga元素后,腐蚀产物的粘附性提高,均匀覆盖在钎料表面上,提高了钎料的耐蚀性能;添加Al以后,Zn和Al被选择性腐蚀,腐蚀随着Al含量的增加而加剧。采用热重分析(TGA)和俄歇电子能谱(AES)研究Ga、Al对Sn-9Zn钎料高温抗氧化性的影响。结果表明,Ga可在钎料表面形成一层集肤层;Al可在钎料表面形成一层致密的氧化膜,两者均可阻挡空气中的氧向钎料内部扩散,从而大大改善钎料的高温抗氧化性。 展开更多
关键词 ga AL Sn—zn 无铅钎料 耐腐蚀性 高温抗氧化性
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Al-Ga-Mg-Sn-xZn阳极合金组织和腐蚀电化学性能 被引量：5
10
作者 文九巴 高军伟 +1 位作者 贺俊光 祝要民 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期131-136,共6页
对不同Zn含量的Al-Ga-Mg-Sn-xZn系列阳极合金的组织及腐蚀形貌进行观察和分析,并测试了该系列合金在4 mol/L NaOH溶液中的析氢速率、开路电位、极化曲线等腐蚀电化学性能指标,研究了Zn对Al-Ga-Mg-Sn合金组织和腐蚀电化学性能的影响。结... 对不同Zn含量的Al-Ga-Mg-Sn-xZn系列阳极合金的组织及腐蚀形貌进行观察和分析,并测试了该系列合金在4 mol/L NaOH溶液中的析氢速率、开路电位、极化曲线等腐蚀电化学性能指标,研究了Zn对Al-Ga-Mg-Sn合金组织和腐蚀电化学性能的影响。结果表明:Al-0.1Ga-1Mg-0.1Sn-xZn合金中的析出相主要为富Sn相,合金元素Zn主要固溶于Al基体中,添加0.5%和1%(mass%)的Zn后,合金的耐蚀性提高,开路电位和恒电流放电工作电位均有所负移,Al-0.1Ga-1Mg-0.1Sn-1Zn合金的综合腐蚀电化学性能较好,在4 mol/L NaOH溶液中,稳定开路电位约-1.72 V(vs.Hg/HgO),析氢速率为0.202 mL·cm-2·min-1,100 mA·cm-2放电时工作电位达-1.41 V(vs.Hg/HgO),腐蚀形貌均匀。 展开更多
关键词 Al-ga-Mg-Sn-zn 阳极合金 显微组织 腐蚀 电化学性能
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Cu(In,Ga)Se_2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用 被引量：3
11
作者 刘琪 冒国兵 敖建平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期726-730,共5页
在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ>500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3·51... 在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ>500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3·51eV.ZnS薄膜沉积时间对Cu(In,Ga)Se2太阳电池影响显著,当薄膜沉积时间在25～35min时,电池的综合性能最好.对比了不同缓冲层的电池性能,采用CBD-CdS为缓冲层的电池转换效率、填充因子、开路电压稍高于CBD-ZnS为缓冲层的无镉电池,但无镉电池的短路电流密度高于前者,两者转换效率相差2%左右.ZnS可以作为CIGS电池的缓冲层,替代CdS,实现电池的无镉化. 展开更多
关键词 化学水浴沉积 znS薄膜 CIGS太阳电池
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溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响
12
作者 张锁良 贾长江 +6 位作者 郝彦磊 史守山 张二鹏 李钗 娄建忠 刘保亭 闫小兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1343-1346,1352,共5页
采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜。研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。... 采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜。研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低。透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量。光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小。In-Ga-Zn-O薄膜在500～800 nm可见光区平均透过率超过90%。 展开更多
关键词 In-ga-zn-O薄膜 溅射功率 电阻率 禁带宽度 透过率
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真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究
13
作者 闫小兵 张二鹏 +3 位作者 贾长江 史守山 娄建忠 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2304-2308,共5页
采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧（In—Ga—Zn-O）透明导电薄膜，并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射（XRD）表明，在300℃至500℃退火温度... 采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧（In—Ga—Zn-O）透明导电薄膜，并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射（XRD）表明，在300℃至500℃退火温度范围内，In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着退火温度的增加，薄膜的电阻率先减小后增大。透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500—800nm可见光区平均透过率超过80％，且在350nm附近表现出较强的紫外吸收特性。经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小，350℃最大达到3．91eV。 展开更多
关键词 In—ga—zn-O薄膜 退火温度 磁控溅射 光学带隙
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温度对Ga掺杂ZnS纳米结构的形貌及光致发光性能的影响 被引量：1
14
作者 王坤鹏 章海霞 +3 位作者 翟光美 姜武 翟化松 许并社 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期31-37,共7页
分别以Zn粉和S粉为原材料，Ga为掺杂剂，Au纳米颗粒为催化剂，采用低温化学气相沉积法（CVD），在Si（100）衬底上制备了Ga掺杂的ZnS纳米结构。利用X射线衍射仪（XRD）、能量弥散X-ray谱（EDS）、场发射扫描电子显微镜（SEM）和光致发... 分别以Zn粉和S粉为原材料，Ga为掺杂剂，Au纳米颗粒为催化剂，采用低温化学气相沉积法（CVD），在Si（100）衬底上制备了Ga掺杂的ZnS纳米结构。利用X射线衍射仪（XRD）、能量弥散X-ray谱（EDS）、场发射扫描电子显微镜（SEM）和光致发光光谱（PL）等测试手段对样品的结构、成分、形貌和发光性能进行了分析。结果表明：随着温度的升高（450—550℃），Ga掺杂ZnS纳米结构的形貌发生了从蠕虫状纳米线到光滑纳米线再到纳米棒的演变，所制备的Ga掺杂的ZnS纳米结构均为六方纤锌矿结构，分别在波长为336nm和675nm处存在一个较强的近带边紫外发射峰和一个Ga掺杂引起的微弱红光峰，而其它发光峰均是缺陷引起的。此外，本文还对Ga掺杂ZnS纳米结构的形成过程进行了探讨，并提出了可能的形成机理。 展开更多
关键词 znS纳米结构 ga掺杂 光致发光 化学气相沉积法 生长机理
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Zn、Ga改性ZSM-5/SAPO-34复合分子筛的制备及其甲醇芳构化应用 被引量：4
15
作者 蒋忠祥 王海彦 +1 位作者 张玲 魏民 《天然气化工—C1化学与化工》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期10-14,共5页
采用外延生长法合成了ZSM-5/SAPO-34复合分子筛,并通过浸渍法用金属离子Zn和Ga对其进行了改性。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、吡啶-原位傅里叶红外变换光谱(Py-IR)、氨气程序升温脱附(NH_3-TPD)、氮气吸附脱附(BET)等手段对制备... 采用外延生长法合成了ZSM-5/SAPO-34复合分子筛,并通过浸渍法用金属离子Zn和Ga对其进行了改性。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、吡啶-原位傅里叶红外变换光谱(Py-IR)、氨气程序升温脱附(NH_3-TPD)、氮气吸附脱附(BET)等手段对制备的分子筛样品进行了表征,并对催化剂进行了甲醇芳构化催化性能评价。结果表明,在复合分子筛的基础上,加入金属使分子筛的比表面积和孔容减小,且双金属改性可有效调整分子筛表面L/B酸比例,明显提高了分子筛在甲醇芳构化中的催化活性和选择性。 展开更多
关键词 镓、锌改性 ZSM-5/SAPO-34复合分子筛 外延生长法 甲醇芳构化
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镁含量对Al-Zn-In-Mg-Ti-Ga-Mn合金牺牲阳极组织和性能的影响 被引量：3
16
作者 余波 孙明先 +1 位作者 闫永贵 马力 《材料开发与应用》 CAS 2012年第3期56-59,共4页
采用金相显微、扫描电镜以及电化学测试等方法,研究了合金元素Mg含量对Al-Zn-In-Mg-Ti-Ga-Mn牺牲阳极组织及电化学性能的影响。结果表明:随着Mg含量的增加,合金阳极中偏析相逐渐增多,牺牲阳极晶间腐蚀倾向增加,阳极性能降低。当阳极中M... 采用金相显微、扫描电镜以及电化学测试等方法,研究了合金元素Mg含量对Al-Zn-In-Mg-Ti-Ga-Mn牺牲阳极组织及电化学性能的影响。结果表明:随着Mg含量的增加,合金阳极中偏析相逐渐增多,牺牲阳极晶间腐蚀倾向增加,阳极性能降低。当阳极中Mg含量低于2%时,合金中偏析相适中,阳极性能优异。 展开更多
关键词 Al-zn-In-Mg-Ti-ga-Mn Mg含量 显微组织 电化学性能
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n(Zn)∶n(Ga)比值对合成ZnGa_2O_4结构及光致发光性能的影响 被引量：2
17
作者 李春潮 张学英 +1 位作者 吴钢 管督 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期963-966,共4页
以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1... 以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1·ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2·ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga—O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga—O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn)∶n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3·ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。 展开更多
关键词 znga204 n(zn):n(ga) 晶体结构 光致发光
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Al-Zn-Sn-Bi系合金添加Ga,Ce后牺牲阳极的电化学性能 被引量：1
18
作者 韩红民 王国伟 任伟 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期7-9,23,共4页
为了提高Al-Zn-Sn-Bi合金牺牲阳极的电化学性能,通过不同方式添加Ga和稀土元素Ce,熔炼了Al-Zn-Sn-Bi(1号),Al-Zn-Sn-Bi-Ce(2号),Al-Zn-Sn-Bi-Ga(3号),Al-Zn-Sn-Bi-Ga-Ce(4号)4种阳极合金,分析了4种阳极合金在人造海水中的开路电位、电... 为了提高Al-Zn-Sn-Bi合金牺牲阳极的电化学性能,通过不同方式添加Ga和稀土元素Ce,熔炼了Al-Zn-Sn-Bi(1号),Al-Zn-Sn-Bi-Ce(2号),Al-Zn-Sn-Bi-Ga(3号),Al-Zn-Sn-Bi-Ga-Ce(4号)4种阳极合金,分析了4种阳极合金在人造海水中的开路电位、电流效率、腐蚀均匀性、腐蚀产物黏附状态等电化学性能,并通过阳极合金的微观形貌及其在3.5%NaCl溶液中的极化曲线、电化学阻抗谱分析了添加Ga,Ce对阳极合金电化学性能的作用机制。结果表明:同时添加Ga和Ce的Al-Zn-Sn-Ga-Bi-Ce电流效率达96.7%,综合电化学性能明显改善;Al-Zn-Sn-Bi和Al-Zn-Sn-Bi-Ce合金阳极的活化机理可用Rs[CcoxRcox(QR1)(L1Rad1)(L2Rad2)]等效电路表示,Al-Zn-Sn-Bi-Ga和Al-Zn-Sn-Bi-Ga-Ce合金阳极的活化可用Rs[QR1(C1Rw1)(C2Rw2)(LRad)]等效电路表示。 展开更多
关键词 牺牲阳极 Al-zn-Sn—Bi合金 稀土Ce ga 电化学性能 活化机理
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