Al掺杂量和衬底温度对ALD沉积的ZnMgO∶Al薄膜的影响

1

作者 郭栋豪 唐芝平 +3 位作者 邓陈坤 朱文超 周驰宇 谈晓辉 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第2期67-71,共5页

ZnMgO∶Al具有近紫外透明导电薄膜的应用潜力.使用原子层沉积(ALD)制备了ZnMgO∶Al薄膜,研究了Al掺杂量和衬底温度对ZnMgO∶Al薄膜的物相和光电性能的影响.研究结果表明,在较高Mg含量下,Al重掺杂(>5%)将破坏ZnMgO∶Al的结晶性,迅速... ZnMgO∶Al具有近紫外透明导电薄膜的应用潜力.使用原子层沉积(ALD)制备了ZnMgO∶Al薄膜,研究了Al掺杂量和衬底温度对ZnMgO∶Al薄膜的物相和光电性能的影响.研究结果表明,在较高Mg含量下,Al重掺杂(>5%)将破坏ZnMgO∶Al的结晶性,迅速恶化其电学性能.ZnMgO∶Al的光学性质对衬底温度不敏感,但较高的衬底温度(210℃)能大幅改善薄膜的导电性. 展开更多

关键词 znmgo∶Al AL掺杂 衬底温度 透明导电薄膜

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ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED的紫外电致发光 被引量：7

2

作者 宿世臣 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期821-824,共4页

利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结器件中观察到了明显的整流特性。异质结的电致发光强... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结器件中观察到了明显的整流特性。异质结的电致发光强度随着注入电流的增大而逐渐增强。室温下在注入电流为20 mA时,电致发光光谱由位于370 nm和430 nm的两个发光峰构成。通过异质结的电致发光光谱与ZnO和GaN材料的光致发光光谱相比较确认:位于370 nm的发光来源于ZnO的自由激子,这主要是利用了ZnMgO/ZnO/ZnMgO的双异质结结构,这种双异质结结构能够阻挡ZnO中的电子进入GaN中,而GaN中的空穴可以进入到ZnO层中。盖层的ZnMgO作为一个限制层,能够提高载流子的复合效率,从而实现ZnO异质结的室温电致激子发光。 展开更多

关键词 ZNO GAN znmgo 电致发光

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利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜 被引量：2

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作者 赵龙 殷伟 +7 位作者 夏晓川 王辉 史志锋 赵旺 王瑾 董鑫 张宝林 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1020-1023,共4页

利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光... 利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析。结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性;480～520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33Ω.cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V.s);室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能。 展开更多

关键词 znmgo薄膜 P型掺杂 MOCVD

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立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术 被引量：1

4

作者 唐利斌 段瑜 +7 位作者 郑云 张筱丹 赵俊 周旭昌 吴刚 黄晖 宋炳文 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第2期91-95,共5页

首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替... 首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小。SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37eV)大。AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的。 展开更多

关键词 ZnO量子点 znmgo 化学溶液法 椭圆偏振光谱 X射线衍射

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ZnO/ZnCdO和ZnO/ZnMgO超晶格的子带研究 被引量：1

5

作者 雷红文 张红 +4 位作者 王雪敏 赵妍 阎大伟 沈昌乐 吴卫东 《太赫兹科学与电子信息学报》 2013年第3期480-483,共4页

ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带的减小和增大。采用较为简单的一维K P势模型结合有效质量理论得到了ZnO/Zn1-xCdxO及ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱的能量色散关... ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带的减小和增大。采用较为简单的一维K P势模型结合有效质量理论得到了ZnO/Zn1-xCdxO及ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱的能量色散关系,以及子带的MeV跃迁与超晶格带阶、阱垒宽度之间的关系。将该多量子阱应用于太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区,对粒子数反转和跃迁矩阵进行了相关讨论。 展开更多

关键词 ZnCdO znmgo 量子级联激光器 粒子数反转 跃迁矩阵

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Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光 被引量：1

6

作者 叶志镇 林时胜 +8 位作者 何海平 顾修全 陈凌翔 吕建国 黄靖云 朱丽萍 汪雷 张银珠 李先杭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1433-1435,共3页

在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推... 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用. 展开更多

关键词 LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/znmgo多量子阱

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ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析 被引量：1

7

作者 张俊 马向丽 +1 位作者 王钰萍 吕建国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期22-26,32,共6页

ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注。当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰... ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注。当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰位于300nm附近,响应时间最高可达ns量级,紫外可见光抑制比亦可大于4个数量级。扼要介绍了国内外相关小组的研究进展,并着重分析了薄膜组分、结构以及探测器性能参数等。 展开更多

关键词 znmgo 紫外探测器 性能参数

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ZnMgO/ZnO异质结构中极化对二维电子气的影响

8

作者 周远明 田锋 +5 位作者 钟才 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期140-144,共5页

基于ZnMgO/ZnO异质结构模型,从压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了ZnMgO势垒层的厚度、Mg组分和应变弛豫度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响,并结合极化和能... 基于ZnMgO/ZnO异质结构模型,从压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了ZnMgO势垒层的厚度、Mg组分和应变弛豫度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响,并结合极化和能带偏移对计算结果进行了分析讨论。结果表明通过改变Mg组分和应变弛豫度可以调节异质界面两边的极化强度不连续性,进而有效地调控异质结中的二维电子气。 展开更多

关键词 znmgo/ZnO异质结 二维电子气 极化

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调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构中的二维电子气

9

作者 周远明 钟才 +4 位作者 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期138-141,共4页

基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电... 基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电子和掺杂层转移的电子,通过改变掺杂浓度和空间层厚度可以有效地调控异质结中的二维电子气。采取的研究方法和所得结果可以为ZnO基异质结构及相关器件的构筑提供基础。 展开更多

关键词 znmgo/ZnO异质结 二维电子气 调制掺杂

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宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

10

作者 吴惠桢 梁军 +3 位作者 劳燕锋 余萍 徐天宁 邱东江 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期218-222,共5页

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等... 首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A. 展开更多

关键词 立方相和六方相znmgo 薄膜场效应晶体管 电学特性

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ZnMgO合金薄膜晶体质量与生长温度的依赖关系

11

作者 宿世臣 杨孝东 胡灿栋 《广州化工》 CAS 2011年第13期65-66,73,共3页

利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构和光学性质的影响。X射线衍射谱表明所有的ZnMgO合金样品都是(002)取向。晶体结构为六角纤锌矿。随着生长... 利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构和光学性质的影响。X射线衍射谱表明所有的ZnMgO合金样品都是(002)取向。晶体结构为六角纤锌矿。随着生长温度的增加,ZnMgO的(002)衍射峰的最大半宽度逐渐减小。在ZnMgO合金中的Mg组分随衬底温度升高逐渐增大。样品的表面形貌随着衬底的温度改变而变化。ZnMgO的X射线衍射,透射光谱,光致发光谱和扫描电镜照片都表明在800℃得到了高质量的ZnMgO合金薄膜。并且通过控制衬底温度实现了ZnMgO中Mg组分的调节。 展开更多

关键词 znmgo 等离子体辅助分子束外延 光致发光

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Si2O3粒径对传感器用L-MBE沉积Pt/ZnMgO/Si2O3导电性能和组织的影响

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作者 韩训梅 张奔 陈宾星 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期862-866,共5页

为了提高高温下声表面传感器导电稳定性,采用激光分子束外延方(L-MBE)法沉积制备Pt/ZnMgO/Si2O3三层薄膜,通过实验测试的方式研究Si2O3粒径对其导电性能和结构的影响,重点研究了薄膜受到高温作用时发生的导电性变化及其微观组织结构的... 为了提高高温下声表面传感器导电稳定性,采用激光分子束外延方(L-MBE)法沉积制备Pt/ZnMgO/Si2O3三层薄膜,通过实验测试的方式研究Si2O3粒径对其导电性能和结构的影响,重点研究了薄膜受到高温作用时发生的导电性变化及其微观组织结构的转变。研究结果表明:不同Si2O3粒径下Pt/ZnMgO/Si2O3三层薄膜电阻表现为和温度相近的变化规律,当温度上升后都发生了缓慢增大。当薄膜表面Si2O3粒径为60μm时,电阻发生明显变化的温度依次为1100℃与1150℃。粒径达到90μm以上的薄膜经过保温后电阻保持基本恒定。对200μm粒径Si2O3膜薄膜进行热处理形成了平整表面,生成了许多小尺寸晶粒。随着Si2O3粒径降低,表面区域产生了更大外径尺寸的Pt颗粒,形成了部分Pt微孔。提高Si2O3粒径后,形成强度较低的Pt(111)衍射峰,以及更大半峰宽。Pt(111)衍射峰峰半高宽随Si2O3粒径增加表现出降低变化。 展开更多

关键词 Pt/znmgo/Si2O3三层薄膜 导电稳定性 Si2O3粒径 激光分子束外延 微观组织

原文传递

磁控溅射法制备ZnO及ZnO/ZnMgO异质结薄膜及其光学性能研究

13

作者 张变莲 成桢 孟瑜 《现代科学仪器》 2020年第5期34-38,45,共6页

采用磁控溅射仪,分别在硅和玻璃衬底上,制备纯ZnO薄膜及掺Mg浓度分别为0.05%、0.25%、0.5%、1.0%的ZnO/ZnMgO异质结薄膜。采用SEM、XRD和光谱仪对薄膜样品的表面形貌、微观结构、透反射率及拉曼特性进行表征。研究结果表明:(1)相比于玻... 采用磁控溅射仪,分别在硅和玻璃衬底上,制备纯ZnO薄膜及掺Mg浓度分别为0.05%、0.25%、0.5%、1.0%的ZnO/ZnMgO异质结薄膜。采用SEM、XRD和光谱仪对薄膜样品的表面形貌、微观结构、透反射率及拉曼特性进行表征。研究结果表明:(1)相比于玻璃衬底,ZnO薄膜更易于在硅衬底衬底上生长,在硅衬底上生长的薄膜更加致密均匀,结晶度更好;(2)相比于掺杂的ZnO/ZnMgO异质结薄膜,单层的纯ZnO薄膜具有良好的致密性和平整的生长状态;(3)掺杂Mg会使薄膜表面变粗糙,对光的反射率降低,反射率的波动周期变短;(4)薄膜的拉曼光谱峰值不仅受到衬底材料的影响,同时还受掺杂浓度的影响。 展开更多

关键词 磁控溅射 ZNO薄膜 znmgo/ZnO异质结薄膜 表面形貌 光学性能

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退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性能的影响 被引量：3

14

作者 孙冬晓 李金华 +5 位作者 方铉 陈新影 方芳 楚学影 魏志鹏 王晓华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1789-1792,共4页

针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象,进行了相应的实验研究分析。采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜,对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射仪(X... 针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象,进行了相应的实验研究分析。采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜,对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)和紫外可见(UV-Vis)吸收光谱测试,系统的分析了不同退火温度对ALD法制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明:退火温度为600℃时,薄膜的晶体质量得到改善,且(100)衍射峰的强度明显增强。结合PL和UV-Vis吸收光谱的测试分析得出:退火温度为600℃时,能明显促进薄膜中Mg组分的增加使薄膜的禁带宽度进一步增大。从而说明适当温度的退火处理可有效的改善ZnMgO薄膜的晶体质量及光学特性。 展开更多

关键词 原子层沉积 znmgo薄膜 退火温度

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MOCVD法在MgO(100)衬底上生长m面ZnMgO薄膜 被引量：2

15

作者 张亚琳 黄靖云 +2 位作者 吴科伟 卢洋藩 叶志镇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期195-198,207,共5页

本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜。采用扫... 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMgO薄膜表面平整,由条纹状结构组成。透射电子显微镜(TEM)分析进一步证明ZnMgO为具有m面取向的单晶薄膜。X射线光电子能谱(XPS)定量分析表明ZnMgO薄膜中Mg含量为3at.%。 展开更多

关键词 znmgo m面 金属有机化学气相沉积(MOCVD)

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ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响 被引量：2

16

作者 陈慧 顾书林 朱顺明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期482-486,共5页

利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5... 利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。 展开更多

关键词 znmgo薄膜 衬底 生长压强

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衬底温度对ZnMgO薄膜结构和光致发光性能的影响 被引量：1

17

作者 董李娜 王玉新 +5 位作者 孙景昌 郑亚茹 张焕 梁鸣 林茂魁 崔硕 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期2051-2054,共4页

利用超声喷雾热解方法以不同的沉积温度(450～550℃)在石英衬底上制备出一系列ZnMgO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构、表面形貌和光学性能。结果表明衬底温度对薄膜结构性能和光... 利用超声喷雾热解方法以不同的沉积温度(450～550℃)在石英衬底上制备出一系列ZnMgO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构、表面形貌和光学性能。结果表明衬底温度对薄膜结构性能和光学特性影响显著。所有薄膜都呈六角纤锌矿多晶结构,其中在530℃条件下制备的样品C轴择优最明显,晶粒尺寸均匀,表面形貌平整,结晶质量最好。薄膜的光致发光谱显示随着温度的升高深能级跃迁范围逐渐减小,近紫外带边发光峰逐步出现。衬底温度为530℃时在374.5nm处出现了明显的近紫外发光峰,且几乎没有明显的深能级跃迁出现。 展开更多

关键词 znmgo薄膜 超声喷雾热解法 衬底温度 光致发光谱

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ZnMgO基阻变存储器的制备及性能探究

18

作者 戴丽萍 申野 《中国科技期刊数据库 工业A》 2019年第4期237-238,共2页

采用磁控共溅射法在ITO衬底上制备了ZnMgO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和能谱仪(EDS)分析了其成分、结构特征,并对其I-V特性和阻变机理进行探讨。ZnMgO呈现六方纤维矿结构并具有良好的c轴取向,相比纯ZnO薄膜(002)衍射峰得到增强,表明Mg2+有... 采用磁控共溅射法在ITO衬底上制备了ZnMgO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和能谱仪(EDS)分析了其成分、结构特征,并对其I-V特性和阻变机理进行探讨。ZnMgO呈现六方纤维矿结构并具有良好的c轴取向,相比纯ZnO薄膜(002)衍射峰得到增强,表明Mg2+有效地融入ZnO晶格中并改善了晶格质量。薄膜中Mg与Zn的原子比为1:3.23。I-V测试指出薄膜具有典型的双极型阻变特性,在一定循环内具有优异的开关比(103~104),展示了良好的稳定性。进一步分析得出其高阻态和低阻态的阻变机理分别符合空间电荷限制电流模型和欧姆定律。 展开更多

关键词 ZNO znmgo 磁控溅射 阻变开关

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衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响

19

作者 叶康 叶志镇 +3 位作者 胡少华 赵炳辉 何海平 朱丽萍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期499-502,共4页

利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征... 利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征。结果表明,Ga-N共掺杂p型ZnMgO薄膜具有高度c轴择优取向的结构特征。生长在玻璃、(111)Si和氧化硅衬底上的ZnMgO薄膜显示p型导电性,而生长在石英衬底上的ZnMgO薄膜显示n型导电性。生长在氧化硅片衬底上的共掺杂ZnMgO薄膜的晶体质量和电学性能最优,载流子浓度为2.28×1017cm-3,电阻率为27.7Ω·cm。而且其表面形貌明显不同于生长在其他衬底上的薄膜。Ga2p和N1s的XPS谱表明Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜中存在Ga—N键,有利于N的掺入,从而易于实现p型生长。 展开更多

关键词 znmgo薄膜 Ga-N共掺杂 磁控溅射 衬底

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ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究

20

作者 朱振邦 顾书林 +4 位作者 朱顺明 叶建东 黄时敏 顾然 郑有炓 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期449-452,共4页

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。... 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。 展开更多

关键词 ZnO/znmgo 异质结场效应管 迁移率

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