ZnS∶TbF_3薄膜电致发光器件性能的研究 被引量：1

1

作者 何大伟 杨胜 +1 位作者 王永生 徐叙瑢 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期570-574,共5页

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS∶TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS∶TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响 ,诸如 ,磁控溅射过程中衬底温度 ,发光层厚度 ,退火等。

关键词 稀土 电致发光 磁控溅射 电子束蒸发 硫化锌 氟化镱 zns:tbf3薄膜 电致发光器件

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ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3薄膜电致发光的亮度和色度 被引量：1

2

作者 李长华 孟立建 +1 位作者 宋航 钟国柱 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期23-27,共5页

研究了ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3两种材料制备的交流驱动的绿色电致发光薄膜(ACELTF)的发光亮度和色度与ErF_3和HOF_3掺杂浓度的关系。对于ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3,其最佳掺杂浓度分别为7×10^(-3)和2×10^(-3)mol/mol基质;获得的最... 研究了ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3两种材料制备的交流驱动的绿色电致发光薄膜(ACELTF)的发光亮度和色度与ErF_3和HOF_3掺杂浓度的关系。对于ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3,其最佳掺杂浓度分别为7×10^(-3)和2×10^(-3)mol/mol基质;获得的最高发光亮度分别为900cd/m^2和550cd/m^2。当ErF_3的掺杂浓度由3×10^(-4)mol/mol基质增至3×10^(-1)mol/mol基质时,ZnS:ErF_3薄膜的色座标(x,y值)由0.251,0.664变为0.392,0.586;当HOF_3的掺杂浓度由3×10^(-4)mol/mol基质增至1×10^(-1)mol/mol基质时,ZnS:HoF_3薄膜的色座标值由0.315,0.615变为0.472,0.521。 展开更多

关键词 zns:ErF3 zns:HoF3 电致发光 薄膜

全文增补中

硫化锌（ZnS）氟化铈（CeF3）均匀混合光学薄膜的制备和应用

3

作者 朱自强 仇立进 《四川真空》 1990年第1期14-19,共6页

关键词 光学薄膜 制备 zns CeF3 薄膜

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AlN:TbF_3薄膜的电致发光 被引量：2

4

作者 赵彦立 钟国柱 +1 位作者 范希武 李长华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期320-324,共5页

用射频磁控反应溅射的方法，以金属ＡＩ和ＴｂＦ３为靶材，在总压为１Ｐａ，Ｎ２／Ａｒ比为２０／８０的气氛下，制备了ＡＩＮ：ＴｂＦ３薄膜．研究了不同制备条件对薄膜光致发光相对亮度的影响．进一步实验表明，电致发光的相对亮度具... 用射频磁控反应溅射的方法，以金属ＡＩ和ＴｂＦ３为靶材，在总压为１Ｐａ，Ｎ２／Ａｒ比为２０／８０的气氛下，制备了ＡＩＮ：ＴｂＦ３薄膜．研究了不同制备条件对薄膜光致发光相对亮度的影响．进一步实验表明，电致发光的相对亮度具有与光致发光相近的对浓度和温度的依赖关系．在衬底温度为６００℃，ＴｂＦ３含量约为４．０ｍｏｌ％的条件下制备的ＡＩＮ：ＴｂＦ３ＡＣＴ－ＦＥＬ器件，在交流驱动条件下，得到了Ｔｂ３＋离子的特征发光．为电致发光提供了新的候选材料．这在国际上是首次报导． 展开更多

关键词 电致发光 薄膜 ALN tbf3 氮化铝 氟化铽

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超声喷雾法制备掺Zn和未掺Zn α-Fe2O3薄膜的研究 被引量：3

5

作者 陈擘威 张艳辉 +4 位作者 詹水华 彭德权 姜春萍 陈金伟 王瑞林 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期873-876,共4页

使用自制的超声雾化热裂解设备(UPS)成功地制备了掺Zn和未掺Zn的α-Fe2O3薄膜,并对其光电特性进行了较为系统的研究。XRD结果证实了所获得的薄膜为α-Fe2O3,AFM测试结果表明:薄膜致密,晶粒成沟壑状地生长,粒径在0.1μm到0.2μm之间。紫... 使用自制的超声雾化热裂解设备(UPS)成功地制备了掺Zn和未掺Zn的α-Fe2O3薄膜,并对其光电特性进行了较为系统的研究。XRD结果证实了所获得的薄膜为α-Fe2O3,AFM测试结果表明:薄膜致密,晶粒成沟壑状地生长,粒径在0.1μm到0.2μm之间。紫外-可见光谱实验发现Zn掺杂的α-Fe2O3薄膜吸收发生了"红移",带隙发生变化。XRD分析也证实Zn掺杂对Fe2O3的晶体结构有影响。Mott-Schottky测试的结果获得了UPS制备的n型α-Fe2O3薄膜的导带、价带电位,而Zn掺杂α-Fe2O3薄膜的导电类型由n-型转变为p-型,且它的价带、价带电位能够更适合氢和氧的析出。这说明了自制的UPS设备可以用于太阳光水解制氢半导体薄膜材料的制备。 展开更多

关键词 超声喷雾热分解设备 Α-FE2O3 薄膜 zn掺杂 吸收红移

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GaAs多结电池宽光谱ZnS/Al_2O_3/MgF_2减反射膜的设计与分析 被引量：4

6

作者 肖祥江 涂洁磊 白红艳 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期670-674,共5页

为了提高砷化镓(GaAs)多结太阳电池的光电转换效率,设计了宽光谱(300nm^1 800nm)ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响。结果表明:对于整个波长,ZnS厚度对有效反射率的影响要大于Al2O3和MgF2... 为了提高砷化镓(GaAs)多结太阳电池的光电转换效率,设计了宽光谱(300nm^1 800nm)ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响。结果表明:对于整个波长,ZnS厚度对有效反射率的影响要大于Al2O3和MgF2,MgF2厚度对有效反射率的影响最小;适当减小MgF2的折射率或增加ZnS的折射率可得到更低的有效反射率。同时,当ZnS,Al2O3和MgF2的最优物理厚度分别为52.77nm,82.61nm,125.17nm时,此时最小有效反射率为2.31%。 展开更多

关键词 薄膜光学 GaAs多结太阳电池 zns/Al2O3/MgF2三层减反射膜 有效反射率

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衬底温度对Al/Zn_3N_2薄膜制备的影响 被引量：1

7

作者 冯军勤 陈俊芳 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2287-2291,共5页

运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N*2第一正系B3Πg→A3Σ+u,N*2第二正系C3Πu→B3Πg,N+*2第一负系B2Σ+u→X2Σ+g,Zn*以及Zn+*活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度... 运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N*2第一正系B3Πg→A3Σ+u,N*2第二正系C3Πu→B3Πg,N+*2第一负系B2Σ+u→X2Σ+g,Zn*以及Zn+*活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度逐渐增强;由于衬底温度升高,腔室中各离子动能增加,使得碰撞电离加剧,导致N*2,N+*2,Zn*以及Zn+*活性基团的等离子体离子密度增加;等离子体发射光谱分析结果表明衬底温度在一定范围内升高有利于氮化锌薄膜生长。采用离子源辅助磁控溅射技术在Al薄膜上制备Zn3N2薄膜;X射线衍射图谱(XRD)分析结果表明:室温下,反应生长出单一择优取向面(321)氮化锌薄膜;随着温度的升高,在Al膜上反应生长的氮化锌薄膜择优取向面逐渐丰富,出现(222),(400),(600),(411),(332),(431)以及(622)择优取向面,体现出随着衬底温度的升高,薄膜的结晶度逐渐增加。XP-1台阶仪分析的结果表明,随着衬底温度的升高,氮化锌薄膜的沉积率逐渐增大。场效应扫描电子显微镜(SEM)图表明氮化锌薄膜晶粒尺寸随着衬底温度的升高逐渐变小,表面结构更加致密,晶粒排列更加有序;SEM断面扫描显示Al膜和氮化锌薄膜结合非常紧密。衬底温度影响薄膜性能实验分析结果与等离子体发射光谱分析的结果基本一致,体现出等离子体发射光谱了解等离子体内在特性的有效、快捷性。 展开更多

关键词 磁控反应溅射 等离子体发射光谱 Al/zn3N2 双层薄膜

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前驱液中Er^(3+)离子对ZnO薄膜形貌、结构和光学性质的影响

8

作者 孙景昌 郎月怡 +5 位作者 张曦文 高瑞雪 李沛达 马章微 李成仁 王玉新 《辽宁师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第4期482-488,共7页

利用超声喷雾热解法,研究了Zn(CH3COO)2·2H2O的浓度、生长温度及前驱液中Er^(3+)离子对ZnO薄膜形貌、结构和光学性质的影响.扫描电子显微镜测试表明,前驱液中未加入Er^(3+)离子时,所制备的ZnO薄膜呈现团簇状结构.随着Zn(CH3COO)2&#... 利用超声喷雾热解法,研究了Zn(CH3COO)2·2H2O的浓度、生长温度及前驱液中Er^(3+)离子对ZnO薄膜形貌、结构和光学性质的影响.扫描电子显微镜测试表明,前驱液中未加入Er^(3+)离子时,所制备的ZnO薄膜呈现团簇状结构.随着Zn(CH3COO)2·2H2O的浓度的增加,ZnO薄膜中团簇状结构的尺寸逐渐变大.前驱液中加入Er^(3+)离子后制备的ZnO薄膜均呈现片状结构,随着Zn(CH3COO)2·2H2O的浓度的增加,其片状结构的尺寸也逐渐变大.X射线衍射测试结果表明,前驱液中Er^(3+)离子的加入改善了ZnO薄膜的结晶质量.光致发光测试结果表明,所有样品中均出现了一个位于380nm附近的近带边(NBE)发射峰,和一个位于550~650nm的深能级(DL)发射峰.前驱液中Er^(3+)离子的加入使得ZnO薄膜中的NBE/DL比值有所提高,改善了ZnO薄膜的光学性质. 展开更多

关键词 znO薄膜 超声喷雾热解 zn(CH3COO)2·2H2O的浓度 生长温度 Er3+离子

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NH_3-Ar气氛下制备的Zn_3N_2薄膜的结构和光学性能(英文)

9

作者 李宏光 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期695-699,共5页

Zn3N2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400°C氧化可生成p型ZnO:N,p型ZnO:N在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在NH3-Ar气氛下,用RF磁控溅射金属Zn靶在玻璃衬底上室温制备了Zn3N2薄膜.用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、X射... Zn3N2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400°C氧化可生成p型ZnO:N,p型ZnO:N在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在NH3-Ar气氛下,用RF磁控溅射金属Zn靶在玻璃衬底上室温制备了Zn3N2薄膜.用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、X射线光电子谱分析仪、荧光分光光度计对Zn3N2薄膜的光学透过、光学吸收、结构、化学键态和光致发光进行了测量,研究了NH3分压对Zn3N2薄膜的结构和光学特性的影响.XRD分析表明Zn3N2薄膜呈现多晶结构,具有(321)择优取向,Zn3N2(321)衍射峰强度随NH3分压增加而增强.在NH3分压5%～10%制备的Zn3N2薄膜有较低透过率,透过率随NH3分压增加而提高.Zn3N2薄膜是间接带隙半导体,当NH3分压从5%变化到25%时,光学带隙从2.33eV升高到2.70eV.XPS分析表明Zn3N2薄膜在潮湿空气中容易水解.室温下Zn3N2薄膜在437nm和459nm波长出现了发光峰. 展开更多

关键词 zn3n2薄膜 磁控溅射 nh3分压 光致发光

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热处理温度对Ca(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3/CaTiO_3介电薄膜的影响

10

作者 瞿晓玲 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2015年第2期337-340,共4页

采用溶胶一凝胶法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底上制备了多晶Ca（Zn1/3Nb2，3）O3／CaTiO3（CZN／CT）异质叠层薄膜。XRD分析表明，CZN／CT薄膜的结晶度随退火温度的升高而增大，CZN和CT相均在700℃时出现钙钛矿晶型，且CZN相... 采用溶胶一凝胶法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底上制备了多晶Ca（Zn1/3Nb2，3）O3／CaTiO3（CZN／CT）异质叠层薄膜。XRD分析表明，CZN／CT薄膜的结晶度随退火温度的升高而增大，CZN和CT相均在700℃时出现钙钛矿晶型，且CZN相的特征峰相对于CT相偏左微移。微观结构分析显示，薄膜于700℃快速退火2min并保温30min后晶粒尺寸为30-50nm，表面相当光滑，原子力显微镜分析显示其粗糙度（RMS）值仅为4．9nm，此时，薄膜的介电常数和介电损耗分别为30和0．006。CZN／CT薄膜的介电常数和损耗与退火温度密切相关。 展开更多

关键词 介电薄膜 Ca(zn1/3Nb2/3)O3/CaTiO3 钙钛矿 温度介电性能

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Zn掺杂Sn_2S_3薄膜的特性 被引量：2

11

作者 李云 李健 王艳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期3180-3184,共5页

高纯Sn和S粉按1∶0.41%(质量分数)配比,均匀掺入9%(质量分数)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9%(质量分数)的薄膜经370℃热处理15... 高纯Sn和S粉按1∶0.41%(质量分数)配比,均匀掺入9%(质量分数)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9%(质量分数)的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为60.5(Ω·cm),比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn 9%(质量分数)薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。 展开更多

关键词 Sn2S3薄膜 zn掺杂 单源共蒸发 热处理 电、光特性

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氮氩流量比对磁控溅射Zn3N2薄膜微观结构的影响 被引量：2

12

作者 王燕 陈俊芳 +1 位作者 熊文文 王勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期456-461,共6页

采用射频感应耦合等离子体增强磁控溅射装置在p型Si〈100〉基片上制备Zn3N2薄膜,用于研究不同氮氩流量比对薄膜结晶质量及微观结构的影响。用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）和四探针测试仪表... 采用射频感应耦合等离子体增强磁控溅射装置在p型Si〈100〉基片上制备Zn3N2薄膜,用于研究不同氮氩流量比对薄膜结晶质量及微观结构的影响。用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）和四探针测试仪表征薄膜的微观结构、表面形貌和电学特性。实验结果表明：不同氮氩流量比条件下制备的Zn3N2薄膜均为多晶态,（400）,（411）和（332）晶面生长明显。随着氮氩流量比增加,（400）晶面衍射峰逐渐增加,在3∶1时达到极值,结晶度逐渐变佳;（332）晶面衍射峰逐渐减小,结晶度随之变弱;（411）晶面则无明显变化。随氮氩流量比增加,薄膜结晶度、晶粒尺寸和表面平整度先增加后减小。氮氩流量比为2∶1时,结晶质量和表面平整度达到最佳且导电性能最好,较大的氮氩流量比有利于磁控溅射制备性能更好的Zn3N2薄膜。 展开更多

关键词 zn3N2薄膜 磁控溅射 氮氩流量比 晶体结构 微观结构

原文传递

反应磁控溅射法制备Zn_3N_2薄膜的工艺研究

13

作者 孙舒宁 王凤翔 +2 位作者 陈志华 付刚 张秀全 《山东建筑大学学报》 2015年第1期47-52,共6页

制备和研究高质量的Zn3N2薄膜有助于拓展新型薄膜材料体系。文章采用反应磁控溅射技术,研究不同的溅射功率、N2-Ar流量比、衬底类型和衬底温度等沉膜工艺对Zn3N2薄膜结晶质量的影响;采用XRD、SEM和AFM等测试手段,分析Zn3N2薄膜的微结构... 制备和研究高质量的Zn3N2薄膜有助于拓展新型薄膜材料体系。文章采用反应磁控溅射技术,研究不同的溅射功率、N2-Ar流量比、衬底类型和衬底温度等沉膜工艺对Zn3N2薄膜结晶质量的影响;采用XRD、SEM和AFM等测试手段,分析Zn3N2薄膜的微结构和表面形貌。结果表明:几种衬底上,以石英玻璃作衬底沉积的Zn3N2薄膜晶粒尺寸较大,衍射峰较强,且为多晶向薄膜;当N2-Ar流量比提高时,Zn3N2薄膜为单一择优取向的结晶薄膜;衬底温度升高后,Zn3N2薄膜晶粒尺寸减小,但是单一择优取向不变;溅射功率提高后,薄膜晶粒尺寸增大,择优取向改变,由单一晶向变为多晶向,以<100>晶向单晶硅作衬底可获得单一晶向Zn3N2薄膜,而以<111>单晶硅作衬底制备的Zn3N2薄膜经XRD测试,未检测到Zn3N2晶体。 展开更多

关键词 磁控溅射技术 zn3N2薄膜 衬底 择优取向

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ZnO/WO_3纳米片薄膜的光电催化性能研究

14

作者 查亚鑫 陈荣生 倪红卫 《武汉科技大学学报》 北大核心 2017年第3期184-190,共7页

采用水热法在不锈钢基底上制备WO3纳米片阵列,然后将其浸渍于不同浓度Zn(NO_3)_2溶液中以负载ZnO纳米颗粒,从而制备出ZnO/WO_3纳米片薄膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis... 采用水热法在不锈钢基底上制备WO3纳米片阵列,然后将其浸渍于不同浓度Zn(NO_3)_2溶液中以负载ZnO纳米颗粒,从而制备出ZnO/WO_3纳米片薄膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和电化学阻抗图谱(EIS)等方法对ZnO/WO_3复合薄膜的形貌、结构、物相组成和光电性能等进行分析,重点考察了薄膜电极对亚甲基蓝(MB)的光电催化降解性能。结果表明,WO_3纳米片均匀垂直于基底生长,Zn元素以ZnO颗粒的形式分布在WO_3表面;ZnO的引入促进了WO_3中产生的光生电子-空穴对的分离,从而使ZnO/WO_3复合薄膜表现出比纯WO_3薄膜更优异的光电性能和光电催化活性;在Zn(NO_3)_2浸渍液浓度为20mmol/L时,所制ZnO/WO_3复合薄膜具有最佳的光电催化性能,在MB溶液初始浓度为10mg/L、外加偏压为0.8V、光照1h的条件下,采用该样品对MB的降解率达96.5%,并且复合薄膜具有良好的循环稳定性,在重复使用5次后,对MB的光电催化降解效率没有明显降低,有望在实际污水处理中得到应用。 展开更多

关键词 WO3薄膜 znO纳米颗粒 zn(NO3)2 复合薄膜电极 光电催化活性 光电性能 亚甲基蓝降解

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衬底对原位氧化制备的ZnO薄膜结构和光学性质的影响 被引量：2

15

作者 张军 谢二庆 +2 位作者 谢毅柱 付玉军 邵乐喜 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期657-660,共4页

采用射频反应溅射法在不同衬底上制备Zn3N2薄膜,然后对其原位氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)等表征技术研究了不同衬底对ZnO薄膜的结晶特性和发光性能的影响。XRD研究结果显示:Zn3N2薄... 采用射频反应溅射法在不同衬底上制备Zn3N2薄膜,然后对其原位氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)等表征技术研究了不同衬底对ZnO薄膜的结晶特性和发光性能的影响。XRD研究结果显示:Zn3N2薄膜在500℃原位氧化3 h后完全转变为ZnO薄膜,在玻璃和熔融石英衬底上制备的多晶ZnO薄膜无择优取向,而单晶硅(100)衬底上的多晶ZnO薄膜具有较好的沿(002)方向的择优取向。PL测试结果显示:硅和熔融石英衬底上的多晶ZnO薄膜发光性能良好,激子复合产生的紫外发光峰很强,且半高宽较窄,而来自于深能级发射的绿色发光峰很弱;而玻璃衬底上的多晶ZnO薄膜发光性能较差。 展开更多

关键词 znO薄膜 zn3N2薄膜 原位氧化 光致发光 衬底

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基于ZnO模板原位合成Cu/Zn/Al-LDHs/ZnO薄膜的工艺及性能研究

16

作者 杜宝中 王妙娟 +1 位作者 张倩岚 路蕾蕾 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期11174-11179,共6页

采用多金属片于Na2CO3溶液中在ZnO模板表面原位合成了Cu/Zn/Al-CO3-LDHs/ZnO薄膜前体和La-Cu/Zn/Al-CO3-LDHs/ZnO复合薄膜,优化了工艺条件。借助XRD、FT-IR、UV、TG/DTA及电化学测试等手段对LDHs薄膜结构及其性能进行了表征与分析。结... 采用多金属片于Na2CO3溶液中在ZnO模板表面原位合成了Cu/Zn/Al-CO3-LDHs/ZnO薄膜前体和La-Cu/Zn/Al-CO3-LDHs/ZnO复合薄膜,优化了工艺条件。借助XRD、FT-IR、UV、TG/DTA及电化学测试等手段对LDHs薄膜结构及其性能进行了表征与分析。结果表明,该薄膜中水滑石晶体的ab面平行于基体,薄膜在ZnO模板表面形成多层叠加结构;月桂酸根修饰LDHs薄膜能增强其疏水性能,薄膜与基体结合牢固,对金属锌表现出优异的耐蚀性。 展开更多

关键词 氧化锌模板 原位合成 Cu/zn/Al-CO3-LDHs/znO薄膜 缓蚀 锌

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原位氧化Zn_3N_2制备p型ZnO薄膜的性能研究 被引量：5

17

作者 张军 谢二庆 +2 位作者 付玉军 李晖 邵乐喜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期4914-4919,共6页

采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电... 采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用. 展开更多

关键词 P型znO薄膜 zn3N2 薄膜 射频溅射 原位氧化

原文传递

含钨新材料研究进展 被引量：4

18

作者 张文朴 《中国钨业》 CAS 北大核心 2005年第2期16-18,28,共4页

评述了1997年以来我国在含钨新材料研究上的一些进展。用前驱物脱水法制备了ZrW2O8和ZrM o2O8化合物,并证明具有立方晶体结构的ZrW2-XM o2XO8当W:M o为一定范围时都有热伸缩性质,有望成为热伸缩性能优良的材料。用机械-物理固相反应法... 评述了1997年以来我国在含钨新材料研究上的一些进展。用前驱物脱水法制备了ZrW2O8和ZrM o2O8化合物,并证明具有立方晶体结构的ZrW2-XM o2XO8当W:M o为一定范围时都有热伸缩性质,有望成为热伸缩性能优良的材料。用机械-物理固相反应法制得了W S2纳米晶体,并证明其S-W-S纳米簇团为中空球,且W S2纳米晶粒径越小摩擦性能优越,更适用于超真空等领域。用煅烧钨酸铵制成的纳米W O3掺杂ZnS气敏材料对H2S具有较高的选择性和灵敏度。用溶胶-凝胶法和旋转镀膜技术制出的气致变色W O3纳米薄膜,在节能、信息等领域应用前景良好。 展开更多

关键词 研究进展 溶胶-凝胶法 新材料研究 1997年 晶体结构 纳米晶体 固相反应 摩擦性能 气敏材料 纳米薄膜 气致变色 镀膜技术 WO3 化合物 脱水法 前驱物 灵敏度 H2S zns 钨酸铵 伸缩 证明

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