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题名ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管
被引量：9
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作者
仲飞
叶勤
刘彭义
翟琳
吴敬
张靖垒
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机构
暨南大学物理系
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期877-881,共5页
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基金
广东省自然科学基金资助项目(06025173)
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文摘
采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。
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关键词
有机发光二极管
zns超薄膜
空穴缓冲层
电流效率
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Keywords
OLEDs
zns thin film
hole buffer layer
current efficiency
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分类号
TN383.1
[电子电信—物理电子学]
TN873.3
[电子电信—信息与通信工程]
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