大口径ZnSe晶体单点金刚石车削工艺技术研究

1

作者 兰喜瑞 张宇佳 +1 位作者 孙宏宇 吴凡 《光电技术应用》 2023年第3期72-74,84,共4页

表面质量是衡量大口径ZnSe晶体能否用于红外成像和激光光学系统中最重要评价参数之一。大口径ZnSe晶体通常采用单点金刚石车削的加工方式。这种方式表面容易产生白点、云雾状缺陷,严重影响红外和激光光学系统质量。ZnSe晶体的表面质量... 表面质量是衡量大口径ZnSe晶体能否用于红外成像和激光光学系统中最重要评价参数之一。大口径ZnSe晶体通常采用单点金刚石车削的加工方式。这种方式表面容易产生白点、云雾状缺陷,严重影响红外和激光光学系统质量。ZnSe晶体的表面质量与主轴转速、进给速度、切削深度、刀具半径等多个加工工艺参数影响因素密切相关。采用Taguchi法设计加工实验,对各个工艺参数进行深入研究,得到优化加工工艺参数组合,最终得到大口径ZnSe晶体的加工工艺技术方案。 展开更多

关键词 大口径znse晶体 单点金刚石车削 加工工艺参数 Taguchi法

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ZnSe晶体的气相法制备和性能研究 被引量：3

2

作者 刘翠霞 坚增运 朱满 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期20-22,共3页

采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析。结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,... 采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体。比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析。结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,具有较好的结晶性能,晶格常数为5.668nm,Zn与Se的化学成分比为1∶1,没有其它杂质峰;未加碘的产物为多孔状陶瓷,说明加碘可以明显提高ZnSe的结晶性能,解决了一致升华范围较窄的限制条件,避免了ZnSe生长动力学的限制,因此可以获得理想化学计量比的ZnSe晶体。 展开更多

关键词 znse晶体 化学气相输运法 晶体结构 形貌

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ZnSe晶体加工工艺研究 被引量：4

3

作者 张亮 李建立 +1 位作者 魏东 刘景和 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2003年第4期67-69,共3页

制备了ZnSe晶体 ,对其生长和加工工艺进行了研究 ,提出了一些合理的解决办法。测试结果表明 。

关键词 znse晶体 加工工艺 红外窗口材料 II-IV族半导体

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ZnSe晶体气相生长输运剂Zn(NH_4)_3Cl_5的热分解行为及动力学 被引量：2

4

作者 李焕勇 胡荣祖 介万奇 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期312-317,共6页

发展了一种新的ZnSe晶体气相生长输运剂Zn(NH4 ) 3Cl5;用非等温TG DTG技术 ,在 5 0、10 0、15 0和 2 0 0℃ /min 4个不同线性升温条件下 ,研究了其热行为和热分解过程的非等温动力学。结果表明 ,分解过程分 2步完成 ,讨论了与ZnSe... 发展了一种新的ZnSe晶体气相生长输运剂Zn(NH4 ) 3Cl5;用非等温TG DTG技术 ,在 5 0、10 0、15 0和 2 0 0℃ /min 4个不同线性升温条件下 ,研究了其热行为和热分解过程的非等温动力学。结果表明 ,分解过程分 2步完成 ,讨论了与ZnSe晶体生长实验有关的第 1步分解过程。第 1步分解机理为随机成核与生长 ,机理函数为Avrami Erofeev方程 ,f(α) ={ 12 ( 1-α) [-ln ( 1-α) ]-1} ,G(α) =[-ln ( 1-α) ]2 。表观活化能E =16 2 94kJ/mol,指前因子A =10 11 75s-1,动力学方程为 dαdt =10 11.75{ 12 ( 1-α) [-ln ( 1-α) ]-1}exp( - 195 98.3T )。研究表明 ,Zn(NH4 ) 3Cl5具有良好的热稳定性 ,是一种适合气相生长ZnSe晶体的输运剂 ;报道了应用此输运剂生长出ZnSe体单晶的最新结果。 展开更多

关键词 znse晶体 气相生长输运剂 热分解 晶体生长 非等温动力学 硒化锌

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Fe^(2+):ZnSe晶体制备及光学吸收 被引量：1

5

作者 夏士兴 莫小刚 +3 位作者 李兴旺 王永国 张月娟 徐学珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期I0002-I0002,共1页

本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,获得尺寸达20 mm×2.0 mm的晶体样品。光谱测试分析结果显示,晶体样品在3.0μm附近具有显著的Fe2+∶ZnSe晶体的特征吸收,相对吸收强度达85%;通过ICP-AES测试该晶体样品中铁离子为4.5&... 本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,获得尺寸达20 mm×2.0 mm的晶体样品。光谱测试分析结果显示,晶体样品在3.0μm附近具有显著的Fe2+∶ZnSe晶体的特征吸收,相对吸收强度达85%;通过ICP-AES测试该晶体样品中铁离子为4.5×1017cm-3;分析了影响掺杂铁离子浓度的主要因素。 展开更多

关键词 Fe2+ znse晶体 扩散掺杂 铁离子浓度 光学吸收

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Se^+注入ZnSe晶体的深能级研究

6

作者 喀蔚波 杨锡震 +1 位作者 王世润 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期192-197,共6页

将Se离子注入到ZnSe晶体中,用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se^+前后ZnSe晶体中深能级的变化,发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带下0.30eV和0.33eV的两个能级在注Se^+和退火后消失。这个结果进一步证实了Beomi等人提出的以上两个能级... 将Se离子注入到ZnSe晶体中,用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se^+前后ZnSe晶体中深能级的变化,发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带下0.30eV和0.33eV的两个能级在注Se^+和退火后消失。这个结果进一步证实了Beomi等人提出的以上两个能级分别与Se双空位和包含一个Se单空位的复合体有关的论点。同时注Se^+后在导带下0.34eV出现一个新的能级,其电子俘获截面明显区别于0.33eV能级。该能级可能与Se填隙原子或占Zn位的反位Se原子有关。 展开更多

关键词 Se^+ 注入 znse晶体 深能级

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室温350~850nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析

7

作者 王仍 焦翠灵 +3 位作者 陆液 霍勤 乔辉 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期601-604,共4页

室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得ZnSe晶体在400~550 nm的阴极荧光光谱,阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462 nm的本... 室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得ZnSe晶体在400~550 nm的阴极荧光光谱,阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462 nm的本征发光峰和453 nm的缺陷发光峰,结合能谱分析,ZnSe晶体表面缺陷处的Zn:Se比约为6:4。阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光。 展开更多

关键词 znse晶体 阴极荧光光谱(CL) Zn夹杂

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ZnSe晶体制备的工艺研究 被引量：3

8

作者 王锋 常芳娥 +3 位作者 坚增运 惠增哲 程萍 龙伟 《西安工业学院学报》 2005年第1期61-63,67,共4页

　采用X射线衍射仪和扫描电镜,研究分析了环境气氛对以纯Zn和Se为原料制备ZnSe晶体的结构和微观形貌的影响.研究表明,环境气氛不仅影响ZnSe晶体的晶粒尺寸,而且影响其形貌.在真空环境下,ZnSe晶体的晶界面圆滑、没有棱角,晶粒尺寸为7～8... 　采用X射线衍射仪和扫描电镜,研究分析了环境气氛对以纯Zn和Se为原料制备ZnSe晶体的结构和微观形貌的影响.研究表明,环境气氛不仅影响ZnSe晶体的晶粒尺寸,而且影响其形貌.在真空环境下,ZnSe晶体的晶界面圆滑、没有棱角,晶粒尺寸为7～8μm;在Ar气环境下,ZnSe晶体有明显的棱角,晶粒尺寸为10～11μm.环境气氛对ZnSe晶体的结构不产生影响,两种环境下制备出的ZnSe晶体均为面心立方结构. 展开更多

关键词 znse晶体 工艺研究 X射线衍射仪 环境气氛 晶粒尺寸 面心立方结构 扫描电镜 微观形貌 原料制备 研究分析 真空环境 气环境 棱角

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ZnSe晶体生长技术的发展现状

9

作者 武梦鸽 袁昕 +2 位作者 汪洋 崔亮 贺世杰 《山东工业技术》 2015年第24期39-39,共1页

本文简述了ZnSe晶体的溶液生长法、熔体生长法、气相输运法等制备方法以及ZnSe晶体研究现状和发展趋势,分析了这些制备方法的优缺点并详述了ZnSe晶体的生长过程和工艺参数的设置,对获得高质量的ZnSe晶体具有十分重要的指导意义。

关键词 znse晶体 熔体生长法 气相输运法

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HPVB法Fe^(2+):ZnSe激光晶体生长及激光输出特性

10

作者 夏士兴 谢文强 +3 位作者 付秋月 魏磊 丁宇 张丰发 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1033-1036,共4页

本文采用纯度为99.999%的颗粒状ZnSe为基质材料,纯度为99.998%的FeSe粉末为掺杂物,通过HPVB法生长了Fe^(2+):ZnSe晶体,晶体尺寸达Φ50.8 mm×120 mm。采用电感耦合等离子发射光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度为3.0... 本文采用纯度为99.999%的颗粒状ZnSe为基质材料,纯度为99.998%的FeSe粉末为掺杂物,通过HPVB法生长了Fe^(2+):ZnSe晶体,晶体尺寸达Φ50.8 mm×120 mm。采用电感耦合等离子发射光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度为3.048×10^(18)cm^(-3)。采用粉末XRD衍射仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的X-射线衍射谱,其衍射谱与基质ZnSe样品衍射谱匹配度达92%。采用UV/VIS/NIR分光光度计和傅里叶红外光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的透过谱图,透过谱在波长3.0μm处出现了明显的Fe^(2+)离子吸收峰。采用2.94μm Er:YAG激光器为泵浦源抽运尺寸为10 mm×10 mm×4 mm的Fe^(2+):ZnSe晶体样品,重复频率为100 Hz时,激光能量输出达12 mJ,输出波长调谐范围3.95~4.15μm。 展开更多

关键词 HPVB法 Fe^(2+):znse晶体 离子掺杂浓度 中波红外 激光输出

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双温区热扩散掺杂Fe^(2+)∶ZnSe激光晶体的制备及激光输出性能

11

作者 夏士兴 周龙 +3 位作者 许聪 魏磊 丁宇 张丰发 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第11期1845-1850,共6页

本文以CVD ZnSe晶片为基质材料,以FeSe粉末为掺杂物,采用双温区热扩散掺杂技术获得了尺寸为ϕ22 mm×4 mm的Fe^(2+)∶ZnSe激光晶体。通过二次离子质谱(SIMS)测试该晶体样品表面铁离子浓度为3.43×10^(18) cm^(-3),并通过X射线光... 本文以CVD ZnSe晶片为基质材料,以FeSe粉末为掺杂物,采用双温区热扩散掺杂技术获得了尺寸为ϕ22 mm×4 mm的Fe^(2+)∶ZnSe激光晶体。通过二次离子质谱(SIMS)测试该晶体样品表面铁离子浓度为3.43×10^(18) cm^(-3),并通过X射线光电子能谱(XPS)分析了晶体样品中铁元素的离子价态。采用UV/Vis/NIR分光光度计和傅里叶红外光谱仪测试了Fe^(2+)∶ZnSe激光晶体的透过谱图。测试结果显示,在3.0μm处出现了明显的Fe^(2+)吸收峰,峰值透过率为5.5%。以波长为2.93μm的Cr,Er∶YAG激光器为泵浦源,温度77 K时抽运尺寸10 mm×10 mm×4 mm的Fe^(2+)∶ZnSe晶体,获得了能量为191 mJ、中心波长4.04μm的中红外激光输出,光光转换效率13.84%。 展开更多

关键词 Fe^(2+)∶znse激光晶体 热扩散掺杂 中红外 透过率 激光输出 光光转换效率

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中红外Fe:ZnSe激光技术最新研究进展 被引量：13

12

作者 柯常军 孔心怡 +1 位作者 王然 李志永 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第3期136-142,共7页

3-5μm中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性... 3-5μm中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性的Fe：ZnSe晶体是高效、宽带可调谐中红外激光介质的有力竞争者,介绍并分析了Fe：ZnSe晶体的光谱特性及其制备方法,综合评述了Fe：ZnSe激光技术的发展历程和最新研究进展,指出制备高光学质量的Fe：ZnSe晶体和研制3μm波段高效、高能窄脉冲泵浦源是发展实用室温Fe：ZnSe激光器当前面临的挑战。并对实现室温高能、高功率Fe：ZnSe激光的关键问题进行了讨论。 展开更多

关键词 Fe:znse晶体 光谱特性 宽带调谐 中红外激光 HF激光

原文传递

弹光调制压电晶体驱动控制器的设计 被引量：9

13

作者 魏海潮 张记龙 +2 位作者 王志斌 王艳超 赵冬娥 《电子技术应用》 北大核心 2012年第6期68-71,共4页

针对弹光调制器需要高压、小电流双向正弦电源的工作特点,设计了一种压电晶体驱动控制器,主要由功率放大电路、充放电回路、LC谐振电路等部分组成。它能提供正负输出,并能对压电晶体进行快速充放电。输出正弦电压频率为50.018 kHz,峰-... 针对弹光调制器需要高压、小电流双向正弦电源的工作特点,设计了一种压电晶体驱动控制器,主要由功率放大电路、充放电回路、LC谐振电路等部分组成。它能提供正负输出,并能对压电晶体进行快速充放电。输出正弦电压频率为50.018 kHz,峰-峰值电压可达1 500 V,ZnSe晶体的最大振动位移可以达到4.5μm。实验结果表明,该驱动控制器可满足压电晶体的驱动要求。 展开更多

关键词 弹光调制 驱动控制器 LC谐振 压电晶体 znse晶体

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ZnSe单晶的生长 被引量：5

14

作者 顾庆天 魏景谦 +3 位作者 吕孟凯 史伟 王继扬 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期147-,共1页

ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第... ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第一只蓝绿光半导体激光器后 ,各国纷纷开展深入研究。目前 ,已经得到在室温下连续工作 40 0h的激光器。但是由于GaAs和ZnSe热膨胀系数和晶格常数的差异引起的缺陷 ,严重影响器件的寿命 ,为了克服这个问题 ,现正研究在ZnSe衬底上进行同质外延生长。这就需要大块的优质单晶 ,因此 ,我们对ZnSe单晶的生长展开了研究。我们采用物理气相输运法 (PVT)和化学气相输运法 (CVT)生长 ,均得到ZnSe单晶。CVT法采用I2 作输运剂 ,生长温度 85 0℃左右 ,温度梯度 2℃ ,晶体由于I2 进入晶相显桔黄色 ,生长面为 ( 1 0 0 )和 ( 1 1 1 )。PVT法生长温度在 1 0 5 0℃左右 ,温度梯度为 2℃ ,晶体只有 ( 1 1 0 )面自然显露 ,由于Zn含量的不同而呈现不同的颜色 ,我们研究了Zn/Se比例对晶体质量及性能的影响。用 30 %NaOH溶液对晶体 ( 1 1 1 )晶片进行腐蚀 ,蚀坑密度低于 2× 1 0 4/cm2 ;采用高分辨X射线衍射仪对 ( 1 0 0 )晶片进行了一系列测试。结果表明我们生长的单晶具有良好的结晶性质 ,无孪? 展开更多

关键词 znse晶体 激光材料 物理气相输运法 化学气相输运法

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室温脉冲Fe^(2+):ZnSe中红外激光特性研究 被引量：3

15

作者 孔心怡 柯常军 +1 位作者 吴天昊 杭寅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期85-89,共5页

处于3~5μm波段的激光源在遥感、环境保护、医疗、通信和红外对抗等民用和军用领域都有广阔的应用前景。Fe^(2+):ZnSe晶体由于在材料特性和光学特性等方面都具有明显优势,是3~5μm波段极具潜力的激光介质之一。在室温条件下利用自制非... 处于3~5μm波段的激光源在遥感、环境保护、医疗、通信和红外对抗等民用和军用领域都有广阔的应用前景。Fe^(2+):ZnSe晶体由于在材料特性和光学特性等方面都具有明显优势,是3~5μm波段极具潜力的激光介质之一。在室温条件下利用自制非链式脉冲HF激光器作为泵浦光源,对晶体直径为10 mm,厚度1 mm,Fe^(2+)离子掺杂浓度为3×1019/cm3的Fe^(2+):ZnSe晶体进行了研究,获得了中心波长4 295 nm、最大输出能量78.8 mJ的中红外激光输出。输出激光能量相对于晶体吸收泵浦能量的转换效率为27.7%,斜率效率达28.8%。采用小角度(3°)斜入射的方案很好地解决了Fe^(2+):ZnSe激光器谐振腔镜镀膜问题。 展开更多

关键词 中红外激光 Fe^2+:znse晶体 脉冲HF激光 小角度斜入射泵浦

原文传递

ZnSe体单晶生长技术 被引量：3

16

作者 李焕勇 介万奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期7-10,共4页

简述了ZnSe体单晶熔体生长、气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质,分析并认为这些基本理化性质对ZnSe单晶生长过程控制存在不同程度的影响,理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制,对获得高质... 简述了ZnSe体单晶熔体生长、气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质,分析并认为这些基本理化性质对ZnSe单晶生长过程控制存在不同程度的影响,理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制,对获得高质量大尺寸ZnSe单晶十分重要。分析了不同方法的工艺与相应ZnSe单晶研究现状及发展趋势。 展开更多

关键词 熔体生长 气相生长 体单晶生长技术 znse晶体 硒化锌 半导体 溶液生长

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硒化锌晶体的水热控制生长 被引量：2

17

作者 赵秀琴 刘俊 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期584-586,共3页

以水合肼为还原剂,分别用ZnCl2和Se粉作锌源和硒源,在140℃水热处理24h合成了ZnSe纳米粉末。然后以其为原料,在270℃,NaOH浓度为4mol/L,填充度为65%时,通过改变反应时间,生长了不同形貌的硒化锌晶体。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(... 以水合肼为还原剂,分别用ZnCl2和Se粉作锌源和硒源,在140℃水热处理24h合成了ZnSe纳米粉末。然后以其为原料,在270℃,NaOH浓度为4mol/L,填充度为65%时,通过改变反应时间,生长了不同形貌的硒化锌晶体。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)等技术手段,分别对产物进行了表征,并从ZnSe晶体的结构上对其形貌的形成进行了初步分析。 展开更多

关键词 水热法 znse晶体 纳米粉末

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Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算 被引量：1

18

作者 刘翠霞 坚增运 +1 位作者 朱满 陈连阳 《西安工业大学学报》 CAS 2014年第10期819-823,共5页

为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明：ZnS... 为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明：ZnSe本体为直接带隙半导体.掺杂Cu后,ZnSe晶体表现出明显的金属性.本征吸收区明显向低能端移动,约位于0.9-6.0eV.吸收系数明显降低33%.在低能端产生了新的价电峰,可以吸收较低能量的光子. 展开更多

关键词 znse晶体 CU掺杂 光电性质 第一性原理

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闪锌矿结构ZnSe的光电性质和有效质量研究

19

作者 刘翠霞 坚增运 +1 位作者 王少刚 罗贤 《西安工业大学学报》 CAS 2019年第2期191-196,共6页

为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附... 为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附近电子的有效质量。研究结果表明:ZnSe晶体属于直接带隙半导体材料,反射峰的出现主要是因为Se原子的4p电子和Zn原子的3d态电子向导带跃迁,介电峰的分布与电子结构直接相关,介电峰主要是由于Zn的3d和Se的4p轨道价带向Zn的4s和Se的4s轨道导带的过渡。分析了价带顶端的电子有效质量,计算结果与文献资料基本一致,发现载流子的有效质量具有各向异性,k_a方向的电子和空穴的有效质量均较小。从而挖掘了ZnSe晶体的光电性质与有效质量的内在本质,这些分析结果对Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子材料具有非常重要的参考价值。 展开更多

关键词 闪锌矿znse晶体 光学性质 电学性质 有效质量

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0.5～22 μm宽光谱ZnSe单晶窗口制备 被引量：1

20

作者 王瑛伟 程灏波 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期152-155,共4页

采用电阻加热水平物理输运法对生长 ZnSe 晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用 Bridgman 单晶生长方式生长 ZnSe 晶体,所得晶体尺寸为35 mm×100 mm.在对晶体性能进行分析后,对晶体进行切割、研磨、抛光,获得相糙度为... 采用电阻加热水平物理输运法对生长 ZnSe 晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用 Bridgman 单晶生长方式生长 ZnSe 晶体,所得晶体尺寸为35 mm×100 mm.在对晶体性能进行分析后,对晶体进行切割、研磨、抛光,获得相糙度为光学四级的晶体器件.晶体抛光后未镀膜,在0.5～22μm的波长范围,平均透过率达到60%以上。晶体镀膜后,在波长为10.6μm处的透过率可达98%以上。 展开更多

关键词 znse晶体 宽光谱 电阻加热 透过率

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