氮气流量对ZrN/Zr薄膜色度特性的影响 被引量：3

1

作者 李新领 周志男 +3 位作者 孙维连 孙铂 王会强 安广 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期13-15,41,共4页

采用中频孪生靶磁控溅射技术,在不锈钢和铝基体上沉积出ZrN/Zr薄膜,表征了薄膜的厚度、色度及表面形貌,研究了氮气流量对ZrN/Zr薄膜的沉积速率和色度的影响。结果表明:随着氮气流量的增加,薄膜的沉积速率先降低,后升高,氮气流量在2.5... 采用中频孪生靶磁控溅射技术,在不锈钢和铝基体上沉积出ZrN/Zr薄膜,表征了薄膜的厚度、色度及表面形貌,研究了氮气流量对ZrN/Zr薄膜的沉积速率和色度的影响。结果表明:随着氮气流量的增加,薄膜的沉积速率先降低,后升高,氮气流量在2.5×10-10～3.5×10-10m3/s范围内时对薄膜的沉积速率影响很小;随着氮气流量的变化,薄膜的颜色呈现规律性的变化,在氮气流量2.5×10-10～3.5×10-10m3/s范围内,可以制备出色彩亮丽的仿金薄膜ZrN,且膜层致密。 展开更多

关键词 氮气流量 zrN zr薄膜 色度 沉积速率 中频孪生靶

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溅射功率对PET衬底上ZnO:Zr薄膜性能的影响 被引量：1

2

作者 刘汉法 张化福 +2 位作者 袁玉珍 袁长坤 类成新 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期58-60,共3页

采用直流磁控溅射法在室温下柔性PET衬底上制备出了高质量的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜表面形貌、结构、电学和光学性能的影响。溅射功率对ZnO:Zr薄膜的电阻率影响显著:当溅射功率从60W增加到90W时,... 采用直流磁控溅射法在室温下柔性PET衬底上制备出了高质量的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜表面形貌、结构、电学和光学性能的影响。溅射功率对ZnO:Zr薄膜的电阻率影响显著:当溅射功率从60W增加到90W时,薄膜的电阻率先减小后增大,在最佳功率80W时,电阻率具有最小值3.67×10-3Ω·cm。所制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,在可见光区平均透射率高达90%。 展开更多

关键词 ZnO:zr薄膜 透明导电薄膜 磁控溅射 溅射功率

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离子束辅助沉积Ta/Zr薄膜及栅网应用研究 被引量：1

3

作者 杨鹏云 张宏志 +1 位作者 李文旭 邱立 《真空电子技术》 2022年第3期69-74,91,共7页

利用离子束辅助沉积方法在Si片上沉积Ta/Zr薄膜,研究辅源离子能量对薄膜表面形貌和粗糙度的影响,通过扫描电镜和光学表面轮廓仪对其表面形貌和粗糙度进行表征。实验结果表明:辅源离子能量对薄膜的生长有很大的影响。Ta/Zr薄膜的沉积速... 利用离子束辅助沉积方法在Si片上沉积Ta/Zr薄膜,研究辅源离子能量对薄膜表面形貌和粗糙度的影响,通过扫描电镜和光学表面轮廓仪对其表面形貌和粗糙度进行表征。实验结果表明:辅源离子能量对薄膜的生长有很大的影响。Ta/Zr薄膜的沉积速率随着辅源能量的增加而减小,表面粗糙度随着辅源能量的增加先减小后增加,在离子能量为200 eV时,沉积得到的Ta/Zr薄膜较好,这主要因为在溅射过程中,适当的辅源离子能量可促进原子在薄膜表面的迁移,从而减少空隙的生成,引起薄膜表面致密化。在此基础上将该制备工艺固化并应用到栅控脉冲行波管中,该应用得到了较好的效果。 展开更多

关键词 离子束辅助沉积 栅控脉冲行波管 Ta/zr薄膜 栅网膜层

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射频磁控溅射法低温制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及特性研究 被引量：16

4

作者 张化福 刘汉法 +1 位作者 类成新 袁长坤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期287-291,共5页

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响... 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响。SEM和XRD研究结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的C轴择优取向。当厚度为300nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.77×10-3Ω.cm。所制备薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过92%。 展开更多

关键词 ZnO:zr薄膜 透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能

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利用射频磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文) 被引量：7

5

作者 刘汉法 张化福 +2 位作者 类成新 袁玉珍 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期183-186,共4页

利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获... 利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获得ZnO:Zr薄膜的最小电阻率为1 .55×10-3Ω.cm。实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90 %。 展开更多

关键词 ZnO:zr薄膜 柔性衬底 磁控溅射 透明导电薄膜

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利用直流磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr新型透明导电薄膜(英文) 被引量：6

6

作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期732-737,共6页

室温下利用直流磁控溅射法在有ZnO缓冲层的柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜,研究了厚度对ZnO∶Zr薄膜结构及光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜。实验获... 室温下利用直流磁控溅射法在有ZnO缓冲层的柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜,研究了厚度对ZnO∶Zr薄膜结构及光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜。实验获得ZnO∶Zr薄膜的最小电阻率为2.4×10-3Ω.cm,其霍尔迁移率为18.9 cm2.V-1.s-1,载流子浓度为2.3×1020cm-3。实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光平均透过率超过92%。 展开更多

关键词 ZnO∶zr薄膜 柔性衬底 直流磁控溅射 透明导电薄膜

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透明导电薄膜ZnO∶Zr的制备及特性研究 被引量：2

7

作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期61-65,共5页

利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜... 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。在溅射功率为115W时,ZZO薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω.cm,其霍尔迁移率和载流子浓度分别为18.7cm2.V-1.s-1和2.07×1020cm-3。所制备ZZO薄膜样品具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率均超过92%。 展开更多

关键词 ZnO∶zr薄膜 透明导电薄膜 溅射功率 磁控溅射

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直流磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及性能研究

8

作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期78-80,共3页

利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向。在厚度... 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向。在厚度为593nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω·cm。所制备薄膜样品的可见光平均透过率都超过93%。 展开更多

关键词 ZnO∶zr薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 透明导电薄膜

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缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)

9

作者 张化福 李雪 +2 位作者 类成新 刘汉法 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期490-493,共4页

利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒... 利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。 展开更多

关键词 ZnO∶zr薄膜 缓冲层 磁控溅射 透明导电薄膜

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直流反应磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)

10

作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期977-981,共5页

以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉... 以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉积压强对ZnO∶Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大。当沉积压强为2 Pa时,ZnO∶Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 ZnO∶zr薄膜 透明导电薄膜 沉积压强

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MoS_2/Zr复合薄膜的制备及性能研究 被引量：3

11

作者 宋文龙 邓建新 张辉 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期39-43,47,共6页

采用新型中频磁控溅射技术及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)考察MoS2/Zr复合薄膜表面及截面的形貌,利用能谱分析(EDX)薄膜的成分组成。测试涂层的厚度、显微硬度... 采用新型中频磁控溅射技术及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)考察MoS2/Zr复合薄膜表面及截面的形貌,利用能谱分析(EDX)薄膜的成分组成。测试涂层的厚度、显微硬度及涂层与基体之间的结合力等性能参数。结果表明:制备的MoS2/Zr复合薄膜结构致密,结合力约为60N,厚度约为2.6μm,硬度约为HV800。 展开更多

关键词 涂层刀具 MoS2软涂层 中频磁控溅射 MoS2/zr复合薄膜

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室温磁控溅射制备(Ti,Zr)N薄膜及其性能研究 被引量：5

12

作者 黄佳木 徐成俊 王亚平 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期517-520,共4页

采用直流反应磁控溅射工艺,在载波片和Al基材上制备出金黄色的(Ti,Zr)N薄膜。(Ti,Zr)N薄膜具有比TiN薄膜更高的硬度和更强的耐腐蚀性能。用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜对薄膜的晶体结构、微观表面形貌和电子结构进行了测试分析。XRD结... 采用直流反应磁控溅射工艺,在载波片和Al基材上制备出金黄色的(Ti,Zr)N薄膜。(Ti,Zr)N薄膜具有比TiN薄膜更高的硬度和更强的耐腐蚀性能。用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜对薄膜的晶体结构、微观表面形貌和电子结构进行了测试分析。XRD结果表明,(Ti,Zr)N薄膜为多晶态,存在TiN和ZrN两种分离相;从表面形貌可知,薄膜表面平整,晶粒排列致密且无连接松散的大颗粒;STS谱表明,Zr掺杂后,禁带宽度仍为1.64eV,但在禁带内增加了新能级,新能级的宽度分别为0.33eV和0.42eV,这也正是掺杂Zr后,薄膜仍呈现金黄色的主要原因。 展开更多

关键词 (Ti zr)N薄膜 金黄色 表面形貌 电子结构 多晶态

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磁控溅射工艺参数对Pb(Zr,Ti)O_3薄膜织构的影响 被引量：3

13

作者 杨帆 孙跃 +1 位作者 李伟力 费维栋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期60-62,共3页

利用RF磁控溅射法制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,利用X射线衍射(XRD)法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明,在小靶基距时,过高溅射功率不利于获得纯钙钛矿相的PZT铁电薄膜。溅射功率及溅射气压影响PZT薄膜... 利用RF磁控溅射法制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,利用X射线衍射(XRD)法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明,在小靶基距时,过高溅射功率不利于获得纯钙钛矿相的PZT铁电薄膜。溅射功率及溅射气压影响PZT薄膜的织构及其织构散漫度,提高溅射气压及溅射功率,(111)织构漫散度随之提高。在靶基距为80mm时,选择150W、0.7Pa的溅射工艺可获得具有最佳(100)织构的PZT薄膜。 展开更多

关键词 磁控溅射 Pb(zr Ti)O3薄膜 织构

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Zr/C纳米自蔓延反应薄膜制备及表征 被引量：1

14

作者 杜军 杨吉哲 王尧 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期98-102,共5页

目的研究物理气相沉积技术制备Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜的可行性,以及多层膜的结构和反应特征。方法利用扫描电镜法(SEM)、透射电镜法(TEM)、能谱分析法(EDS)、X射线衍射法(XRD)、差示扫描量热法(DSC)等手段,对薄膜的微观形貌、周期... 目的研究物理气相沉积技术制备Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜的可行性,以及多层膜的结构和反应特征。方法利用扫描电镜法(SEM)、透射电镜法(TEM)、能谱分析法(EDS)、X射线衍射法(XRD)、差示扫描量热法(DSC)等手段,对薄膜的微观形貌、周期结构、成分组成、晶体结构及反应特征等进行表征,分析了薄膜的沉积时间、结构周期、层间结构、反应温度等工艺参数对多层膜结构和性能的影响。结果 Zr层的沉积速率为27 nm/min,C层的沉积速率为11.8 nm/min。薄膜中存在单质Zr(002)和Zr(101)峰,C以非晶形态存在。Zr/C多层膜的表面形貌呈"菜花状",Zr层与C层结构清晰,分布均匀。透射电镜观察Zr层与C层界面,发现两者之间存在一定厚度的界面反应层,表明沉积过程中两者之间发生了轻微扩散或是预先反应。DSC发现,600℃时Zr/C多层膜发生放热反应,但反应前后多层膜质量未发生明显变化。结论利用物理气相沉积技术可制备较纯的Zr/C纳米多层自蔓延反应薄膜,自蔓延反应时,Zr层与C层之间发生快速的剧烈放热反应,并有Zr C生成,无其他产物生成。 展开更多

关键词 磁控溅射 zr/C纳米薄膜 自蔓延反应 制备工艺 表征

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Zr/Nb薄膜材料的制备及界面结构研究 被引量：3

15

作者 姚文清 张立武 +6 位作者 牟豪杰 张川 严谨 朱永法 杨江荣 刘柯钊 鲜晓斌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期134-137,共4页

通过直流磁控溅射法在单晶Si(100)基底上制备了Zr/Nb/Si薄膜材料。X射线衍射(XRD)研究表明Zr薄膜以多晶形式存在,而Nb薄膜则形成了(110)晶面择优生长。薄膜中Zr和Nb晶粒大小分别为14,6 nm。扫描电镜研究表明形成的薄膜表面平整光滑,没... 通过直流磁控溅射法在单晶Si(100)基底上制备了Zr/Nb/Si薄膜材料。X射线衍射(XRD)研究表明Zr薄膜以多晶形式存在,而Nb薄膜则形成了(110)晶面择优生长。薄膜中Zr和Nb晶粒大小分别为14,6 nm。扫描电镜研究表明形成的薄膜表面平整光滑,没有微裂纹存在。扫描俄歇电子能谱及X射线光电子能谱的研究表明,Zr/Nb/Si薄膜样品具有清晰的界面结构。在薄膜表面形成了致密的氧化层物种,而在膜层内部少量氧则以吸附态形式存在。 展开更多

关键词 zr/Nb/Si薄膜 磁控溅射法 界面 扫描电镜 X射线衍射 俄歇电子能谱 X射线光电子能谱

原文传递

Pb(Zr,Ti)O_3薄膜微区残余应力的X射线面探扫描分析 被引量：2

16

作者 杨帆 费维栋 +1 位作者 高忠民 蒋建清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1097-1101,共5页

根据在X射线二维衍射几何关系下建立的应力应变方程,提出了一种基于X射线多晶面探衍射仪系统分析射频磁控溅射制备的Pb(Zr,Ti)O3薄膜微区残余应力的测量方法,即通过基于X射线衍射圆锥形变的分析来表征薄膜的残余应力,试验结果表明薄膜... 根据在X射线二维衍射几何关系下建立的应力应变方程,提出了一种基于X射线多晶面探衍射仪系统分析射频磁控溅射制备的Pb(Zr,Ti)O3薄膜微区残余应力的测量方法,即通过基于X射线衍射圆锥形变的分析来表征薄膜的残余应力,试验结果表明薄膜所受为残余拉应力,同时利用X射线面探扫描方法评价了薄膜的残余应力分布。 展开更多

关键词 Pb(zr Ti)O3薄膜 X射线二维衍射 多晶面探衍射仪 残余应力

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MoS_2/Zr复合薄膜的制备工艺研究

17

作者 宋文龙 邓建新 张辉 《郑州大学学报（工学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期124-128,共5页

采用中频磁控溅射及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)考察了复合薄膜表面及截面的形貌,利用能谱分析(EDX)薄膜的成分组成.研究了沉积温度、基体负偏压及Zr电流等沉... 采用中频磁控溅射及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)考察了复合薄膜表面及截面的形貌,利用能谱分析(EDX)薄膜的成分组成.研究了沉积温度、基体负偏压及Zr电流等沉积工艺参数对复合薄膜的结合力、显微硬度、厚度等性能的影响.结果表明:沉积工艺参数对MoS2/Zr复合薄膜的性能影响很大,合理选择沉积工艺参数能够明显提高和改善复合薄膜的性能,并分析了沉积参数对性能的影响机理.在本实验条件下,最佳沉积工艺参数为:沉积温度200℃,基体偏压180 V,Zr电流30 A,制备的MoS2/Zr复合薄膜结构致密,其结合力约为60 N,厚度约为2.4μm,显微硬度约为HV900. 展开更多

关键词 MoS2软涂层 中频磁控溅射 多弧离子镀 MoS2/zr复合薄膜 性能

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外延生长四方相Pb(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3薄膜 被引量：1

18

作者 刘敬松 李惠琴 +1 位作者 曹林洪 徐光亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期70-74,共5页

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于... 以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相。对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流。氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降。电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降。当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降。 展开更多

关键词 外延生长 Pb(zr0.65Ti0.35)O3薄膜 射频磁控溅射 漏电流 损耗

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Sol-gel法制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜 被引量：1

19

作者 郭冬云 毛薇 +4 位作者 秦岩 黄志雄 王传彬 沈强 张联盟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第22期16-19,28,共5页

利用Sol—gel工艺在Pt／Ti／SiO2／si衬底上制备了Pb（Zr0.53Ti0.47）O3（PZT）薄膜，研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相；在550℃退火处理的PZT薄膜... 利用Sol—gel工艺在Pt／Ti／SiO2／si衬底上制备了Pb（Zr0.53Ti0.47）O3（PZT）薄膜，研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相；在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构；升高退火温度（500-850℃）、延长保温时间（30～150min）、增加薄膜厚度（120-630nm）都有利于PZT晶粒的长大。在650～750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能，保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大，PZT薄膜的厚度为200-300nm时可以得到比较好的铁电性能。在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜，其剩余极化值（2Pr）和矫顽电场（2Ec）分别是72μC／cm^2、158kV/cm。 展开更多

关键词 Pb(zr0.53Ti0.47)O3薄膜 Sol—gel工艺 退火温度 保温时间 薄膜厚度 铁电性能

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后退火温度对溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜结构和性能的影响 被引量：6

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作者 赖珍荃 李新曦 +3 位作者 俞进 王根水 郭少令 褚君浩 《南昌大学学报（理科版）》 CAS 北大核心 2003年第1期26-28,44,共4页

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-... 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 展开更多

关键词 PZT铁电薄膜 薄膜结构 铁电性能 介电性能 后退火温度 射频磁控溅射 Pb(zr0.52Ti0.48)O3薄膜

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