基于BST微悬臂梁横向挠曲电系数的测定 被引量：5

1

作者 李康 骆英 +3 位作者 徐晨光 许伯强 王晶晶 桑胜 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第5期798-800,804,共4页

挠曲电材料具有高力电耦合系数、尺度效应及对环境温度无特定要求等特点,有望用于传感器、作动器及结构健康监测等领域。基于钛酸锶钡(BST)微悬臂梁结构,实验分析了横向挠曲电系数对驱动频率的依赖关系,并讨论了尺度效应。利用压电微驱... 挠曲电材料具有高力电耦合系数、尺度效应及对环境温度无特定要求等特点,有望用于传感器、作动器及结构健康监测等领域。基于钛酸锶钡(BST)微悬臂梁结构,实验分析了横向挠曲电系数对驱动频率的依赖关系,并讨论了尺度效应。利用压电微驱动器的低频激振,获得了横向挠曲电系数。结果表明,作为传感器,挠曲电材料在传感方面呈现出明显的尺度效应,当梁的厚度减小到微纳米尺度时,其传感特性将优于压电材料。 展开更多

关键词 钛酸锶钡(bst) 挠曲电效应 应变梯度 电极化 微悬臂梁

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化妆品用钛白粉的溶胶凝胶合成及其性能研究

2

作者 马虹 王艳 《日用化学工业（中英文）》 CAS 北大核心 2024年第5期574-580,共7页

采用溶胶凝胶法合成了钛白粉、钛酸锶和钛酸钡3种防晒剂。晶体结构表征表明钛白粉为四方晶系的金红石相的TiO_(2),空间群为P42/mnm(136);钛酸锶为立方晶系,空间群为Pm-3m(221);钛酸钡为四方晶系,空间群为P4/mmm(123)。官能团信息表征发... 采用溶胶凝胶法合成了钛白粉、钛酸锶和钛酸钡3种防晒剂。晶体结构表征表明钛白粉为四方晶系的金红石相的TiO_(2),空间群为P42/mnm(136);钛酸锶为立方晶系,空间群为Pm-3m(221);钛酸钡为四方晶系,空间群为P4/mmm(123)。官能团信息表征发现,钛白粉和钛酸钡为纯相,而钛酸锶中含有少量C-O官能团。SEM和TEM观察发现,钛白粉、钛酸锶和钛酸钡的颗粒均近似呈球形,平均颗粒尺寸分别为30,40和60 nm。光学性质表征表明,3种防晒剂均具有高的紫外光吸收系数,且钛白粉的光学吸收系数可拓展到400 nm范围。经计算可知,钛白粉、钛酸锶和钛酸钡的光学带隙值分别为3.03,3.27和3.25 eV。钛白粉具有宽的紫外光吸收能力且颗粒分布均匀,颜色为白色,可潜在应用于各种香料、防晒霜、皂片、白色香皂和牙膏中。 展开更多

关键词 钛白粉 钛酸锶 钛酸钡 防晒剂

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溶胶-凝胶法制备硼硅玻璃掺杂BST陶瓷的研究 被引量：2

3

作者 王疆瑛 吴宇平 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期93-96,共4页

研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响。实验结果表明,当x(SiO_2)>10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相。x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相... 研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响。实验结果表明,当x(SiO_2)>10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相。x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度大于等于600℃,不存在第二相。Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的烧结温度低于传统工艺。Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的显微结构呈细晶结构(晶粒尺寸<1μm)。随玻璃含量的增加,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷介电常数ε降低,介电峰变低,平坦,峰形宽化,介电损耗降低,居里温度T_C向低温移动。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 Si—B-O 溶胶-凝胶工艺 玻璃 介电性能

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BST/Si-NPA复合薄膜的湿敏电容特性研究 被引量：1

4

作者 肖顺华 李隆玉 +1 位作者 姜卫粉 李新建 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1369-1374,共6页

本文采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以Si-NPA为衬底,制备了钛酸锶钡(BST)/Si-NPA复合薄膜,并对其形貌、结构及湿敏电容特性进行了研究。结果表明,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率和退火温度均对湿敏电容特性具有较大影响。在100Hz的测试... 本文采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以Si-NPA为衬底,制备了钛酸锶钡(BST)/Si-NPA复合薄膜,并对其形貌、结构及湿敏电容特性进行了研究。结果表明,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率和退火温度均对湿敏电容特性具有较大影响。在100Hz的测试信号频率下,当环境的相对湿度从11%上升到95%时,BST/Si-NPA湿敏元件的电容增量可达起始值的4400%,显示出较高的湿度敏感性。同时,元件的响应时间和恢复时间均约为42s,表现出较快的时间响应和均衡的吸附/脱附。最后,通过复阻抗法讨论了元件的感湿机理。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 硅纳米孔柱阵列 复合薄膜 湿敏电容特性

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BST铁电薄膜的制备、应用及其研究进展 被引量：2

5

作者 丁历 廖恒成 姜云峰 《化工时刊》 CAS 2005年第11期54-57,共4页

综述了钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的4种制备工艺:磁控溅射(Magnetron sputtering)法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法、脉冲激光淀积(PLD)法,以及溶胶—凝胶(Sol—Gel)法。并介绍了BST铁电薄膜在动态随机存储器、非致冷红外探测器热成像... 综述了钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的4种制备工艺:磁控溅射(Magnetron sputtering)法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法、脉冲激光淀积(PLD)法,以及溶胶—凝胶(Sol—Gel)法。并介绍了BST铁电薄膜在动态随机存储器、非致冷红外探测器热成像、移相器等方面的应用及其研究进展。 展开更多

关键词 钛酸锶钡(bst) 铁电薄膜 制备

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BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺优化及应用初探

6

作者 黄鹤 章天金 +2 位作者 潘瑞琨 陈仁 范生强 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第4期418-421,共4页

采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜... 采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列. 展开更多

关键词 钛酸锶钡 湿法化学刻蚀 溶胶凝胶法 工艺优化 应用

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以BST为介质基片的电调谐微带天线研究

7

作者 吴昌英 李洁 +1 位作者 韦高 许家栋 《计算机仿真》 CSCD 2008年第8期312-314,共3页

在电子侦察和电子对抗领域的快速发展过程中,人们逐渐需要有性能优良的高速电调谐天线出现。制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡(Barium Strontium Titanate,BST)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料作为缝隙耦... 在电子侦察和电子对抗领域的快速发展过程中,人们逐渐需要有性能优良的高速电调谐天线出现。制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡(Barium Strontium Titanate,BST)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料作为缝隙耦合微带天线的辐射层介质基片,利用其介电常数随外加偏压改变的性质,设计了以BST为介质基片的电调谐微带天线,并采用时域有限差分法(FDTD)进行了数值仿真,发现在一定偏压下天线的调谐性在C波段达到17%,方向图和阻抗的性能保持不变。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 铁电体 电调谐天线 微带天线

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以BST进行电容加载的电调谐微带天线

8

作者 吴昌英 李洁 +1 位作者 韦高 许家栋 《遥测遥控》 2009年第1期21-24,共4页

制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡BST(Barium Strontium Titanate)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料对缝隙耦合的微带天线进行电容加载,利用其介电常数随外加偏压改变的性质,在贴片的两个辐射边分别放置一... 制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡BST(Barium Strontium Titanate)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性。采用BST材料对缝隙耦合的微带天线进行电容加载,利用其介电常数随外加偏压改变的性质,在贴片的两个辐射边分别放置一个BST块体材料,设计以BST进行电容加载的电调谐微带天线。仿真结果表明,天线的调谐性在C波段达到17%,方向图和阻抗的性能保持不变。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 铁电体 电调谐天线 微带天线

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微波低温快速合成BST纳米粉体

9

作者 陈杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期688-690,共3页

以BaCl2、TICl4为原料，以NaOH为沉淀剂，利用微波加热技术在低温下快速制备出了Ba0.8Sr0.2TiO3纳米粉体．应用XRD、TEM、XRF等对粉体的结构、形貌进行了分析．研究表明，在80℃左右，5～10min内即制备出颗粒大小分布均匀、粒径在50nm... 以BaCl2、TICl4为原料，以NaOH为沉淀剂，利用微波加热技术在低温下快速制备出了Ba0.8Sr0.2TiO3纳米粉体．应用XRD、TEM、XRF等对粉体的结构、形貌进行了分析．研究表明，在80℃左右，5～10min内即制备出颗粒大小分布均匀、粒径在50nm的高纯BST纳米粉体，该方法合成粉体属于立方相钙钛矿晶体结构，粒子形状近似为球形．粉体的杂质含量小于电子工业行业标准；粉体经过干压成型后在1180℃烧结，所得钛酸钡陶瓷的相对密度达到96．3％． 展开更多

关键词 纳米粉 bst 微波低温制备 立方相

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覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究 被引量：4

10

作者 葛微微 张国俊 +2 位作者 钟志亲 王姝娅 戴丽萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期46-48,共3页

通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构... 通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。 展开更多

关键词 半导体功率器件 钛酸锶钡(bst)膜 结终端 场限环

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稀土氧化物掺杂对BST陶瓷热释电性能的影响 被引量：2

11

作者 刘兴述 钟朝位 张树人 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1-4,共4页

采用轧膜成型工艺制备了掺杂有稀土氧化物的钛酸锶钡(BST)陶瓷,研究了不同稀土(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd和Sm)氧化物掺杂对其微观形貌、介电性能和热释电性能的影响。结果表明,Sc掺杂大幅降低了BST陶瓷的εr,严重劣化了BST陶瓷的热释电性能,并... 采用轧膜成型工艺制备了掺杂有稀土氧化物的钛酸锶钡(BST)陶瓷,研究了不同稀土(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd和Sm)氧化物掺杂对其微观形貌、介电性能和热释电性能的影响。结果表明,Sc掺杂大幅降低了BST陶瓷的εr,严重劣化了BST陶瓷的热释电性能,并引起了长条状晶粒在BST陶瓷中的出现;Y掺杂则显著提高了BST陶瓷的热释电性能,并最终获得了εr为7111、tanδ为0.65×10–2、热释电系数p为5.5×10–7C·cm–2·℃–1、探测率优值Fd为8.49×10–5Pa–1/2的热释电BST陶瓷材料,有望在红外探测领域得到应用。 展开更多

关键词 钛酸锶钡(bst) 稀土掺杂 热释电性能 介电性能

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以PVP为添加剂的BST薄膜制备与结晶性能 被引量：3

12

作者 李恩求 廖家轩 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期44-46,共3页

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,采用SEM、XRD、AFM分析薄膜的表面形貌和结晶行为。为抑制薄膜裂纹,在前驱体溶液中加入高分子聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。结果表明,经700℃退火1h,得到表面平整、致密... 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,采用SEM、XRD、AFM分析薄膜的表面形貌和结晶行为。为抑制薄膜裂纹,在前驱体溶液中加入高分子聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。结果表明,经700℃退火1h,得到表面平整、致密、无裂纹和孔洞以及晶粒取向高度一致的薄膜。薄膜钙钛矿结构明显,并随温度的升高而趋于完善。在结晶初期形成规则的柱状晶粒在长大和吞并的过程中逐渐形成颗粒状晶粒。薄膜的晶粒大小和表面粗糙度随退火温度的升高而增大。在平均晶粒较大且晶界分明的情况下,薄膜的均方根粗糙度仍能保持在7.854nm左右。 展开更多

关键词 钛酸锶钡薄膜 晶化行为 聚乙烯吡咯烷酮 溶胶-凝胶法

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BST薄膜的制备工艺与太赫兹介电特性测试

13

作者 董博文 马华 +2 位作者 王军 娄菁 冯明德 《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2018年第6期97-102,共6页

经过多组对比实验,通过XRD、AFM、SEM等表征手段优化了BST薄膜的制备工艺。结合BST基薄膜器件的电极制备、微结构加工制备了太赫兹频段电可调的频率选择表面。通过太赫兹测试系统验证了在太赫兹频段BST薄膜的可调性,在电场作用下通带频... 经过多组对比实验,通过XRD、AFM、SEM等表征手段优化了BST薄膜的制备工艺。结合BST基薄膜器件的电极制备、微结构加工制备了太赫兹频段电可调的频率选择表面。通过太赫兹测试系统验证了在太赫兹频段BST薄膜的可调性,在电场作用下通带频率可以从0.85THz调节到0.87THz,结合仿真研究给出了确定铁电薄膜在THz频段介电参数的方法。相关研究可用于精确测定铁电薄膜在THz频段的介电特性,为铁电薄膜功能器件的研制提供精确的介电参数测试方法。 展开更多

关键词 钛酸锶钡薄膜 太赫兹 介电特性 工艺参数 磁控溅射

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钛酸锶钡(BST)材料的制备方法、理论及应用的研究进展 被引量：3

14

作者 马维云 《云南冶金》 2011年第5期46-49,共4页

铁电材料,由于在电子器件行业具有巨大的应用前景,因而受到科学上和技术上的广泛关注,钛酸锶钡(BST)材料的最新理论进展和制备方法的发现,为人们提供了新的应用机会。本文对钛酸锶钡材料的理论研究进展、制备方法和新的应用作了详细阐述。

关键词 钛酸锶钡 铁电材料 制备方法

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铁电钛酸锶钡薄膜的最新研究进展 被引量：15

15

作者 朱小红 朱建国 +1 位作者 郑东宁 李林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期989-997,共9页

铁电钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3)是一种拥有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调谐微波器件及动态存储器件方面具有很好的应用前景.本文概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、各种性能特征及其表征方法与应用展望;并... 铁电钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3)是一种拥有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调谐微波器件及动态存储器件方面具有很好的应用前景.本文概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、各种性能特征及其表征方法与应用展望;并对当前BaxSr1-xTiO3薄膜研究中的几个重要前沿问题进行了详细讨论. 展开更多

关键词 铁电/介电薄膜 钛酸锶钡 微波器件 动态随机存储器

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B_2O_3-Li_2O掺杂低温烧结Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的介电性能 被引量：11

16

作者 丑修建 翟继卫 +1 位作者 孙建英 姚熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期149-153,共5页

采用传统陶瓷制备工艺,通过B2O3-Li2O的有效掺杂,低温液相烧结制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷,并对其介电性能进行了研究。X射线衍射分析和介电性能测试结果表明:适量B2O3-Li2O掺杂的BST陶瓷,经975℃烧结4h,所得样品的主晶相为钙钛矿结... 采用传统陶瓷制备工艺,通过B2O3-Li2O的有效掺杂,低温液相烧结制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷,并对其介电性能进行了研究。X射线衍射分析和介电性能测试结果表明:适量B2O3-Li2O掺杂的BST陶瓷,经975℃烧结4h,所得样品的主晶相为钙钛矿结构,未出现明显的杂相;随B2O3-Li2O掺杂量的增加,BST陶瓷材料的介电常数减小,Curie峰变得弥散宽化,介电损耗则与未掺杂BST陶瓷的保持一致,即在0.003以下;适量B2O3-Li2O的掺杂对BST陶瓷材料的Curie温度和介电调制性能影响不大。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 掺杂 低温烧结 介电性能

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钛酸锶钡电介质材料的显微结构和基本性能 被引量：11

17

作者 张磊 梁辉 +1 位作者 徐廷献 唐劲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期468-472,共5页

钛酸锶钡(BSTO)铁电材料在微波和信息等领域具有很大的优势和潜力,该文综述了该材料的结构和基本介电性能方面的研究情况,并重点讨论了BSTO材料中的晶粒尺寸效应,最后对在电场和频率作用下材料的特殊性能进行了简单介绍。

关键词 钛酸锶钡 电介质材料 显微结构 基本性能 晶粒尺寸效应 电场 频率 铁电材料

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掺杂对钛酸锶钡陶瓷介电性能的影响 被引量：3

18

作者 周芳 刘冠芳 +2 位作者 王俊波 李晋 曹晓波 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2009年第3期46-48,共3页

综述了国内外近几年来钛酸锶钡陶瓷(BST)掺杂改性技术的发展状况,从3个方面阐述了不同掺杂材料对BST陶瓷介电性能的影响,论述了掺杂材料的组成、制备及其优缺点。提出了掺杂改性研究中存在的一些问题,并对未来的研究方向作出了展望。

关键词 钛酸锶钡 掺杂 介电性能

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钛酸锶钡纳米粉体与陶瓷的制备及性能 被引量：2

19

作者 牟坤昌 隋万美 +2 位作者 栾世军 翟会深 于海洋 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期218-220,共3页

以低成本钡、锶的碳酸盐替代醋酸盐为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3超细粉体,成型后分别在1 300℃和1 330℃下烧结成瓷。采用DTA-TG、XRD、SEM、精密电感电容电阻数字电桥(LCR)测试仪分别对凝胶的晶化过程、粉体的物相结构... 以低成本钡、锶的碳酸盐替代醋酸盐为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3超细粉体,成型后分别在1 300℃和1 330℃下烧结成瓷。采用DTA-TG、XRD、SEM、精密电感电容电阻数字电桥(LCR)测试仪分别对凝胶的晶化过程、粉体的物相结构、烧结体的晶粒形貌、陶瓷的介电性能进行了测试分析。结果表明,在750℃可合成出平均晶粒尺寸为20 nm的立方相Ba0.6Sr0.4TiO3粉体;其陶瓷烧结体的介电损耗在室温附近可降低约至0.002,且温度稳定性良好;随着陶瓷晶粒平均尺寸的降低,居里温度向负温方向移动,其介电峰有弥散化趋势;外加直流电场为10 kV/cm时样品的介电可调谐性可达65%。 展开更多

关键词 钛酸锶钡 碳酸盐 溶胶-凝胶法 介电性能

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射频磁控溅射制备钛酸锶钡薄膜的研究进展 被引量：3

20

作者 林泽彬 蔡苇 +2 位作者 刘行冰 宋云霞 符春林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期71-75,共5页

综述了射频磁控溅射制备钛酸锶钡(BST)薄膜的国内外研究动态,详细阐述了溅射工艺参数(电极、溅射气压、氧分压、温度)对BST薄膜微结构和电性能的影响,提出了射频磁控溅射制备BST薄膜中亟待解决的问题。

关键词 铁电薄膜 钛酸锶钡 综述 射频磁控溅射 介电性能

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