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大高径比硅纳米阵列结构制作工艺及表面润湿性
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作者 黎相孟 魏慧芬 张雅君 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期170-178,共9页
具有表面润湿特性的大高径比纳米结构在诸多领域有广泛的应用,如液滴的微流控输运等。然而,大高径比纳米结构的低成本制造具有一定的挑战性。为此,采用二氧化硅纳米粒子自组装制备的薄膜及线条阵列的掩蔽干法刻蚀工艺,通过调节Bosch工... 具有表面润湿特性的大高径比纳米结构在诸多领域有广泛的应用,如液滴的微流控输运等。然而,大高径比纳米结构的低成本制造具有一定的挑战性。为此,采用二氧化硅纳米粒子自组装制备的薄膜及线条阵列的掩蔽干法刻蚀工艺,通过调节Bosch工艺刻蚀步数,实现了高径比从2∶1至几十比一的硅纳米结构。以纳米粒子薄膜和纳米粒子线条阵列作为掩蔽层进行刻蚀制备的硅纳米阵列结构表面分别展示了各向同性和各向异性的表面润湿特性。实验结果表明,随着刻蚀步数的增加,表面润湿特性发生从Wenzel亲水状态向Cassie-Baxter疏水状态的转变,同时各向异性的静态接触角和滑动角呈逐渐减小趋势。另外,纳米墙阵列结构表面展现了近似于荷叶效应的超疏水特性,前进接触角达到160°以上,而滑动角小于5°,利用具有不同粘附特性的表面,可以实现液滴从低粘附表面向高粘附表面转移。 展开更多
关键词 纳米结构 大高径比 干法刻蚀 bosch工艺 疏水特性 润湿特性
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高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术
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作者 刘庆 刘雯 +3 位作者 司朝伟 黄亚军 杨富华 王晓东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第3期454-460,共7页
针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制... 针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制备倾角的衬底支架,对BOSCH工艺参数进行了调整,最终获得了倾角为30°、深度超过25μm、深宽比高达7.9∶1的倾斜沟槽。结果表明利用法拉第笼和倾斜衬底支架,采用深硅刻蚀工艺可以制备高深宽比的倾斜沟槽,而且沟槽角度可以通过加工不同倾角的支架实现。结合法拉第笼和倾斜衬底支架进行等离子体刻蚀可为其他倾斜结构的制备工艺提供参考。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) bosch工艺 高深宽比 倾斜刻蚀 法拉第笼
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硅压敏电阻刻蚀形貌对高温压力传感器输出特性影响
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作者 冀鹏飞 赵妍琛 +3 位作者 雷程 梁庭 刘润鹏 党伟刚 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2023年第12期10-15,共6页
为解决压力传感器在高温下的热零点漂移问题,文中提出一种压敏电阻均匀刻蚀的方案。通过控制变量法改变沉积和刻蚀聚合物时序参数,解决了制备硅电阻条出现的微负载效应,减小了压力传感器中惠斯登电桥不平衡性。对比了不同参数下的刻蚀效... 为解决压力传感器在高温下的热零点漂移问题,文中提出一种压敏电阻均匀刻蚀的方案。通过控制变量法改变沉积和刻蚀聚合物时序参数,解决了制备硅电阻条出现的微负载效应,减小了压力传感器中惠斯登电桥不平衡性。对比了不同参数下的刻蚀效果,得出最佳刻蚀参数为1个循环内钝化时间2 s、刻蚀时间4.8 s,刻蚀图案成功保持了设计图形的关键特征,电阻条连接处曲线平滑、侧壁角度锐利,垂直度达到了88.6°。最终制备的芯片在300℃环境下进行压力测试,测试结果表明传感器芯片热零点漂移率降低了46.7%,验证了该方案对改善芯片高温下热零点漂移的可行性。 展开更多
关键词 压敏电阻刻蚀 热零点漂移 bosch工艺 微负载效应 刻蚀形貌
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消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法
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作者 康建波 商庆杰 王利芹 《电子工艺技术》 2023年第4期10-12,43,共4页
硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口... 硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口宽度的差,从原来的22μm减小到13μm。利用优化后的工艺配方对硅通孔和硅腔(宽为1 500μm)同时进行刻蚀时,发现硅腔刻蚀后会产生硅针,不能应用到实际生产。经过多轮次Bosch工艺参数调整,把Bosch工艺沉积步骤的偏置功率设置为10 W,同时解决了硅通孔侧壁刻蚀损伤和硅腔刻蚀出现硅针问题,最终成功应用到MEMS环形器系列产品当中。 展开更多
关键词 硅通孔刻蚀 TSV技术 bosch工艺 刻蚀损伤 硅腔
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应用于MEMS封装的TSV工艺研究 被引量:10
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作者 王宇哲 汪学方 +5 位作者 徐明海 吕植成 徐春林 胡畅 王志勇 刘胜 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第1期62-67,共6页
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 ... 开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 微机电系统(MEMS)封装 bosch工艺 刻蚀 电镀
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粗糙侧壁对硅通孔互连结构高频性能的影响(英文) 被引量:4
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作者 王志 庞诚 +2 位作者 平野 任晓黎 于大全 《科学技术与工程》 北大核心 2013年第18期5339-5344,共6页
详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比。仿真结果显示,在相同... 详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比。仿真结果显示,在相同的条件下,粗糙侧壁TSV结构的插入损耗比光滑侧壁TSV结构增加了15%,并且随着侧壁形貌粗糙度的增加,TSV互连结构的高频性能恶化更加严重。最后,通过对二氧化硅绝缘层厚度和TSV直径对TSV互连结构高频性能的影响,提出了补偿侧壁粗糙度对高频性能产生的不良影响的方法,为TSV电学设计提供参考依据。 展开更多
关键词 三维集成 硅通孔 全波电磁场仿真 插入损耗 bosch刻蚀
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一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离工艺
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作者 刘勇 邹昭伟 +1 位作者 王胜强 叶兴耀 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期586-588,共3页
 介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺。该工艺采用BOSCH刻蚀、兆声清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单。其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要进行调整,并可根据氧化层厚度进行预测。其介质隔离漏电流极低。
关键词 深槽 介质隔离 SOI bosch工艺 平坦化工艺 兆声清洗
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基于复合光栅镜的角向偏振光产生研究 被引量:2
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作者 卢丽娟 李波 +1 位作者 王又青 赵江 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期585-589,共5页
为了得到角向偏振光输出,采用严格耦合波分析方法,设计了一种复合光栅镜。先通过对Ge光栅的伪博世工艺刻蚀特性的研究,得到了高深宽比的无定型Ge光栅。然后在栅槽底部引入了随机分布的Ge纳米针,在该光栅上依次镀金膜和介质保护膜,得到介... 为了得到角向偏振光输出,采用严格耦合波分析方法,设计了一种复合光栅镜。先通过对Ge光栅的伪博世工艺刻蚀特性的研究,得到了高深宽比的无定型Ge光栅。然后在栅槽底部引入了随机分布的Ge纳米针,在该光栅上依次镀金膜和介质保护膜,得到介质-金属复合光栅镜。最后将该复合光栅镜用作轴快流CO2激光器谐振腔尾镜,得550W角向偏振光输出。结果表明,纳米柱及金栅脊的引入使得该复合光栅镜具有很高的偏振选择性。 展开更多
关键词 激光技术 角向偏振光 严格耦合波分析 复合光栅镜 伪博世工艺 纳米柱 金栅脊
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深槽刻蚀侧壁平坦化技术 被引量:2
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作者 於广军 杨彦涛 +3 位作者 闻永祥 李志栓 方佼 马志坚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期390-393,共4页
介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,... 介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,扇贝褶皱的底部沿<100>晶向氧化,而顶部沿<110>晶向氧化的矢量叠加方向。当热氧生长厚度较薄时,氧化行为倾向于线性氧化,由于线性氧化的速率常数强烈依赖晶向取向,因此氧化一定时间后,顶部的氧化深度与底部的氧化深度达到一致。基于上述氧化机制,Si/Si O2界面变得平滑陡直。 展开更多
关键词 深槽刻蚀(DRIE) 扇贝褶皱 博世工艺 线性氧化 光滑侧壁
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硅基超疏水跨尺度微纳结构的制备
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作者 高阳 邹传平 +1 位作者 张德勤 杨超 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第9期616-622,共7页
提出了一种可行的制备超疏水跨尺度微纳结构的方法,该方法基于衍射干涉光刻技术,制备出拥有跨尺度的光刻胶结构阵列。建立衍射干涉光刻模型,采用严格耦合波分析(RCWA)方法对衍射干涉形成的光强分布进行理论分析;通过衍射干涉光刻技术制... 提出了一种可行的制备超疏水跨尺度微纳结构的方法,该方法基于衍射干涉光刻技术,制备出拥有跨尺度的光刻胶结构阵列。建立衍射干涉光刻模型,采用严格耦合波分析(RCWA)方法对衍射干涉形成的光强分布进行理论分析;通过衍射干涉光刻技术制备出跨尺度微纳光刻胶阵列。最后用ICP-Bosch干法刻蚀工艺,将跨尺度光刻胶结构转移到硅基底上,制备出高深宽比硅管状结构,其顶部是跨尺度微纳锥形结构,利用接触角测量仪对制备的样品表面的浸润性能进行了测试,测试结果表明该跨尺度微纳结构达到超疏水性能。 展开更多
关键词 衍射干涉 理论分析 跨尺度结构 ICP-bosch工艺 超疏水性能
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深槽刻蚀工艺参数及干法清洗工艺的研究
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作者 周浩 罗燕飞 +4 位作者 高周妙 闻永祥 李志栓 方佼 季锋 《中国集成电路》 2018年第5期55-59,89,共6页
本文研究了博世(Bosch)工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数(包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极(Source)功率、下电极偏压(bias)功率、C4F8钝化切换时间)研究其对刻蚀速率、选择比及刻蚀形貌的影响,得到了... 本文研究了博世(Bosch)工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数(包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极(Source)功率、下电极偏压(bias)功率、C4F8钝化切换时间)研究其对刻蚀速率、选择比及刻蚀形貌的影响,得到了工艺参数的一般性规律及本实验的最佳工艺条件,刻蚀速率1.77μm/min,选择比为91.23,深槽CD差在-0.2μm左右,刻蚀形貌为倒梯形且接近垂直。同时对干法清洗工艺进行了研究,解决长草异常的同时,提供了一种深槽刻蚀工艺维护的方法。 展开更多
关键词 博世工艺 深槽刻蚀 清洗工艺 微机械系统
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Investigation of etching method for fabricating deep through holes on ultra-high resistivity silicon
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作者 Lin Du Shengrui Xu +3 位作者 Ying Wang Ling Lü Jincheng Zhang Yue Hao 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第5期106-110,共5页
In this paper,the etching characteristics of the ultra-high resistivity silicon(UHRS) by using the Bosch process were investigated.The experimental results indicated that the sulfur hexafluoride flux,the temperature o... In this paper,the etching characteristics of the ultra-high resistivity silicon(UHRS) by using the Bosch process were investigated.The experimental results indicated that the sulfur hexafluoride flux,the temperature of the substrate,the platen power and the etching intermittence had important influence on the etching rate and the etching morphology of the UHRS.The profiles and morphologies of sidewall were characterized with scanning electron microscopy(SEM).By using an improved three-stage Bosch process,380-μm deep through holes were fabricated on the UHRS with the average etching rate of about 3.14 μm/min.Meanwhile,the fabrication mechanism of deep through holes on the UHRS by using the three-stage Bosch process was illustrated on the basis of the experimental results. 展开更多
关键词 ultra-high resistivity silicon deep through hole three-stage etching method bosch process
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Atomically dispersed Au_1 catalyst towards efficient electrochemical synthesis of ammonia 被引量:22
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作者 Xiaoqian Wang Wenyu Wang +13 位作者 Man Qiao Geng Wu Wenxing Chen Tongwei Yuan Qian Xu Min Chen Yan Zhang Xin Wang Jing Wang Jingjie Ge Xun Hong Yafei Li Yuen Wu Yadong Li 《Science Bulletin》 SCIE EI CSCD 2018年第19期1246-1253,共8页
Tremendous efforts have been devoted to explore energy-efficient strategies of ammonia synthesis to replace Haber–Bosch process which accounts for 1.4% of the annual energy consumption. In this study,atomically dispe... Tremendous efforts have been devoted to explore energy-efficient strategies of ammonia synthesis to replace Haber–Bosch process which accounts for 1.4% of the annual energy consumption. In this study,atomically dispersed Au_1 catalyst is synthesized and applied in electrochemical synthesis of ammonia under ambient conditions. A high NH_4^+ Faradaic efficiency of 11.1% achieved by our Au_1 catalyst surpasses most of reported catalysts under comparable conditions. Benefiting from efficient atom utilization, an NH_4^+ yield rate of 1,305 lg h^(-1) mg_(Au)^(-1) has been reached, which is roughly 22.5 times as high as that by supported Au nanoparticles. We also demonstrate that by employing our Au_1 catalyst, NH4+can be electrochemically produced directly from N_2 and H_2 with an energy utilization rate of 4.02 mmol kJ^(-1). Our study provides a possibility of replacing the Haber–Bosch process with environmentally benign and energy-efficient electrochemical strategies. 展开更多
关键词 电气化学 催化剂 氨合成 原子 直接生产 精力 收益率 利用率
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