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题名新型高压半超结功率MOSFET的优化设计
被引量：1
- 1
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作者
荆吉利
钱钦松
李海松
孙伟锋
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机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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出处
《电子器件》
CAS
2009年第1期21-23,共3页
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文摘
给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折中关系的优化方法。通过模拟得到了一个750 V,特征导通电阻为32 mΩ.cm2的半超结结构。结果表明在不增加外延次数,工艺成本和难度的情况下,深宽比为5半超结MOS的特征导通电阻比VDMOS的下降了64%,比超结MOS的下降了8%。
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关键词
电力半导体器件
半超结
电压支持层
击穿电压
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Keywords
power semiconductor devices
semi-superjunction
bottom assist layer
breakdown voltage
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分类号
TN312.4
[电子电信—物理电子学]
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名不同类型水层对油砂SAGD开发的影响分析
被引量：4
- 2
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作者
皮建
朱磊
武静
杨仁锋
唐莎莎
王兴龙
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机构
中海油研究总院
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出处
《长江大学学报（自科版）（中旬）》
CAS
2015年第7期69-72,6-7,共4页
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文摘
随着能源需求的增加及环境保护要求的提高,采用蒸汽辅助重力泄油(SAGD)开发的油砂矿越来越多。对于非均质性较弱的常规油砂SAGD开发,其过程与经典的SAGD开发理论基本相符,开发效果较好;而对于非均质性较强的油砂SAGD开发,由于其一般存在层内水层、顶水和底水等,经典的SAGD开发理论难以描述其生产过程,实际的开发效果也较差。从生产实践出发,研究层内水层、顶水和底水如何影响油砂SAGD开发效果。研究表明,当蒸汽腔扩展到层内水层时,产水量显著增加,在排液能力不变时沥青产量将减少,层内水层对生产的影响时间取决于水层的规模,增大排液能力可以缩短层内水层的影响时间;当蒸汽腔扩展到顶水层时,生产特征与含层内水层的油砂SAGD生产特征相似,但是要求降低操作压力,以减轻顶水对生产的影响;当井位部署合理和操作压力控制适当时,底水对油砂SAGD开发影响较小。
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关键词
油砂
蒸汽辅助重力泄油(SAGD)
层内水层
顶水
底水
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Keywords
oil sand
steam assisted gravity drainage(SAGD)
intraformational water layer
top water
bottom water
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分类号
TE345
[石油与天然气工程—油气田开发工程]
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