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固态断路器多IGBT串联混合均压电路设计
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作者 赵靖英 郝潇飞 舒亮 《电子测量技术》 北大核心 2024年第3期31-41,共11页
固态断路器需多IGBT串联切断短路故障电流,针对多IGBT存在电压分配不均、局部电压过高、损耗大等问题,提出一种混合式均压控制电路拓扑结构。分析固态断路器多IGBT均压影响因素,研究均压拓扑性能。优化缓冲电路结构,改进充放电型缓冲电... 固态断路器需多IGBT串联切断短路故障电流,针对多IGBT存在电压分配不均、局部电压过高、损耗大等问题,提出一种混合式均压控制电路拓扑结构。分析固态断路器多IGBT均压影响因素,研究均压拓扑性能。优化缓冲电路结构,改进充放电型缓冲电路,减小损耗;引入双阈值钳位控制电路,改善IGBT过电压;提出被动均压与辅助反馈主动均压结合的混合均压控制策略,加快响应速度,实现均压动态自适应调节。制作样机,进行固态断路器设计拓扑和控制的仿真及实验验证,结果表明:混合式均压控制电路可减小IGBT电路超调量,具备更强的抑制过电压能力,提升响应速度。 展开更多
关键词 固态断路器 缓冲电路 辅助反馈控制 动态自适应调节 混合均压控制策略
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Design of Low-Voltage, Low-Power FGMOS Based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All Analog Signal Processing Circuits
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作者 Akanksha Ninawe Richa Srivastava +1 位作者 Akanksha Dewaker Maneesha Gupta 《Circuits and Systems》 2016年第1期1-10,共10页
This paper proposes novel floating-gate MOSFET (FGMOS) based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All (WTA) circuits. The proposed circuits have low power dissipation. All proposed circuits are simulated us... This paper proposes novel floating-gate MOSFET (FGMOS) based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All (WTA) circuits. The proposed circuits have low power dissipation. All proposed circuits are simulated using SPICE in 180 nm CMOS technology with supply voltages of ±1.25 V. The simulation results demonstrate increase in input range for FGMOS based voltage buffer and analog inverter and maximum power dissipation of 0.5 mW, 1.9 mW and 0.429 mW for FGMOS based voltage buffer, analog inverter and WTA circuits, respectively. The proposed circuits are intended to find applications in low voltage, low power consumer electronics. 展开更多
关键词 FGMOS Voltage buffer Analog Inverter Winner-Take-All (WTA) Analog Signal Processing circuits
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SiC MOSFET高频逆变电路的振荡分析与抑制
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作者 胡善超 王旭红 +1 位作者 于秀健 郝思睿 《电力电子技术》 2024年第10期31-34,38,共5页
电磁法探测技术通过向地面发送可控的方波信号并接收地下矿层反射回的信号以获取地质信息,电磁发射机的输出频率、电压和电流均可调节。随着对大功率和高频开关的需求不断增长,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已成为新一代半... 电磁法探测技术通过向地面发送可控的方波信号并接收地下矿层反射回的信号以获取地质信息,电磁发射机的输出频率、电压和电流均可调节。随着对大功率和高频开关的需求不断增长,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已成为新一代半导体技术的标志。然而,较高的开关频率引发了开关振荡问题。这里分析了SiC MOSFET的开关过程,通过仿真研究确定了杂散电感和驱动电阻对开关动态过程的显著影响,并设计了一种C型缓冲电路设计来有效抑制过电压开关振荡现象。实验结果显示,在开通和关断电阻设定为1Ω时,该C型缓冲电路显著降低了开关过程中的电压尖峰和振荡问题,验证了其在实际应用中的效果与可行性。 展开更多
关键词 电磁发射机 开关振荡 缓冲电路
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质子注入缓冲层结构的高压FS-IGBT动态坚固性研究
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作者 魏晓光 聂瑞芬 +4 位作者 金锐 王耀华 李立 田宝华 王松华 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期1924-1931,I0022,共9页
具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,... 具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,但是峰数太多,可能会引起IGBT在短路时的栅极电压振荡,造成器件失效。这与IGBT在短路大电流下的Kirk效应有关。Kirk效应造成短路时IGBT栅电极下电场降低,电子运动速率减小,进而栅电极下累积的电子造成栅极输入电容的改变,引起栅电压振荡。此外,实验发现,MPI缓冲层峰的氢相关施主(hydrogen-related donors,HDs)浓度不仅与注入剂量和激活温度有关,还与注入次数有关,具体表现为注入次数多,辐射损伤多,HDs浓度越高。文中研究不同MPI缓冲层结构的IGBT关断坚固性。 展开更多
关键词 多重质子注入 缓冲层 短路坚固性 振荡 Kirk效应
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高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计
5
作者 王敏聪 刘成 《现代电子技术》 北大核心 2024年第16期33-38,共6页
为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级... 为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级。设计中加入了修调电路、Clamp电路及ESD防护电路。芯片面积为2390μm×1660μm。在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了前仿真、版图绘制及Calibre后仿真。前仿结果显示:当负载电容为10μF时,电路实现了126 dB的高开环增益和97°的相位裕度,同时PSRR超过131 dB,噪声为448 nV/Hz@100 Hz及1 nV/Hz@100 Hz。后仿结果与前仿结果基本一致。总体结果表明,该电路具有高增益、高电源抑制比及低噪声等特点,同时拥有很高的输出驱动能力。因此,所提出的基准电压缓冲芯片可以用于驱动如像素阵列等具有大电容负载的电路。 展开更多
关键词 基准电压缓冲芯片 CMOS电压缓冲运算放大器 ESD防护电路 芯片版图 高增益 高驱动能力
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自动机械手气动系统的改进设计
6
作者 李双成 陈兴媚 《机电工程技术》 2024年第8期109-114,共6页
专用机械设备上的自动机械手因气路系统连接复杂,设备出现故障后排除故障困难,维护、保养费用高。在考虑成本的基础上改进设计了气动系统,同时详细设计了控制系统电路,提出气路系统及两套继电器电路控制系统的设计图并详细描述其工作原... 专用机械设备上的自动机械手因气路系统连接复杂,设备出现故障后排除故障困难,维护、保养费用高。在考虑成本的基础上改进设计了气动系统,同时详细设计了控制系统电路,提出气路系统及两套继电器电路控制系统的设计图并详细描述其工作原理。将改进设计后的气动及电控系统在FluidSIM4.2软件中建模并仿真,导出各缸的位移、速度-时间特性曲线并分析位移、速度与时间的特性关系。最后原系统作优缺点对比。结果表明:改进设计后的气动系统气路简单,还避免了设备故障后诊断困难的弊端,实现搬运速度的有效控制,拓展了设备的灵活性、机动性和适用范围。 展开更多
关键词 自动机械手 立柱回转缸 双向缓冲缸 两位四通电磁换向阀 继电器控制电路
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基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析 被引量:4
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作者 陈龙龙 魏晓光 +4 位作者 张闻闻 崔翔 高冲 贺之渊 汤广福 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期1537-1546,共10页
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介... 逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介绍最新研制的4500V/3000A逆阻IGCT的技术参数;其次,介绍CSC拓扑方案,提出子模块缓冲电路,能够实现器件的动态均压和IGCT取能的要求;接着,以换流阀电压和电阻损耗最低为约束条件,给出子模块串联数、缓冲电路参数设计和损耗分析等综合优化方法;然后,搭建250kV/750MW的LCC-CSC混合输电系统模型,给出缓冲电路和主要杂散参数的范围;最后,基于研制的4500V/3000A的逆阻IGCT子模块,验证所提缓冲电路的有效性,并对比分析在该参数下CSC、传统直流和柔性直流的损耗情况。结果表明,由逆阻IGCT串联构成的CSC,相对于传统直流换流阀具有可控关断的技术优势,相对于柔直换流阀,具有器件少、损耗低等优势。 展开更多
关键词 逆阻型集成门极换流晶闸管 电流源换流器 缓冲电路 测试模块 结温计算
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基于软开关技术的DC/DC变换器电磁干扰抑制研究现状及发展趋势 被引量:2
8
作者 江心怡 陈泓霖 《机电工程技术》 2023年第11期11-17,共7页
各类电力电子元器件构成的开关电源已成为电子设备中重要的干扰源,需要有效抑制开关电源的电磁干扰。抑制电磁干扰产生与传输路径是其中的关键。考虑到DC/DC变换器是开关电源中的基本电路模型,从软开关技术出发,从解析DC/DC变换器的电... 各类电力电子元器件构成的开关电源已成为电子设备中重要的干扰源,需要有效抑制开关电源的电磁干扰。抑制电磁干扰产生与传输路径是其中的关键。考虑到DC/DC变换器是开关电源中的基本电路模型,从软开关技术出发,从解析DC/DC变换器的电磁兼容原理出发,分析其存在的问题。为有效抑制DC/DC变换器带来的电磁干扰,详细介绍了基于软开关技术且具有典型代表意义的电磁兼容抑制措施,以及其他有效的抑制措施。最后总结分析了软开关技术的发展过程,并对软开关技术在电磁干扰抑制上的探索进行了展望,有助于理解DC/DC变换器电磁兼容相关原理,更好地进行电磁兼容相关设计,提升DC/DC变换器及开关电源的抗电磁干扰能力。 展开更多
关键词 DC/DC变换器 电磁干扰 抑制 PFC 缓冲电路 同步整流
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二极管箝位型三电平变换器关断尖峰电压吸收电路分析
9
作者 尚扬 王永生 +1 位作者 魏超 黄海宏 《电器与能效管理技术》 2023年第11期23-27,34,共6页
详细分析了二极管箝位型三电平变换器中功率器件关断尖峰电压产生的原因,探讨了工程上抑制关断尖峰电压的各种方法,并重点分析了常用的尖峰电压吸收电路使用注意事项。结果表明,传统的RCD电压尖峰吸收电路应用在三电平电路中,存在状态... 详细分析了二极管箝位型三电平变换器中功率器件关断尖峰电压产生的原因,探讨了工程上抑制关断尖峰电压的各种方法,并重点分析了常用的尖峰电压吸收电路使用注意事项。结果表明,传统的RCD电压尖峰吸收电路应用在三电平电路中,存在状态转换时若死区时间不足会产生瞬时短路电流的问题,对功率电路造成威胁,采用简化的RC吸收电路较为合适。最后通过仿真对上述分析进行了验证。 展开更多
关键词 三电平变换器 关断尖峰电压 分布电感 RC缓冲电路
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三电平变流器内外管电压不平衡分析
10
作者 尚扬 王永生 +1 位作者 魏超 黄海宏 《电器与能效管理技术》 2023年第5期25-29,共5页
三电平变流器在相邻开关状态之间转换时,会发生内外管电压不平衡现象。对其产生机理进行研究,结果表明是由于电路中分布电感对IGBT的CE间等效电容释放能量所导致的,采用RC缓冲电路能有效抑制内外管电压不平衡。最后,对原理进行分析,并... 三电平变流器在相邻开关状态之间转换时,会发生内外管电压不平衡现象。对其产生机理进行研究,结果表明是由于电路中分布电感对IGBT的CE间等效电容释放能量所导致的,采用RC缓冲电路能有效抑制内外管电压不平衡。最后,对原理进行分析,并通过实验进行验证。 展开更多
关键词 三电平变流器 内外管电压不平衡 分布电感 RC缓冲电路
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具有电压尖峰抑制能力的高增益Y源逆变器
11
作者 房绪鹏 王煦超 +1 位作者 赵冰冰 张胜男 《电子器件》 CAS 北大核心 2023年第6期1509-1516,共8页
针对传统Y源逆变器器件电压、电流应力过高,产生直流链电压尖峰的问题,提出了一种新型Y源逆变器。逆变器的新型Y源结构可有效减小器件电压、电流应力,附加的L、C、D缓冲电路既能提升电压增益,还可有效抑制直流链电压尖峰。分析了改进型... 针对传统Y源逆变器器件电压、电流应力过高,产生直流链电压尖峰的问题,提出了一种新型Y源逆变器。逆变器的新型Y源结构可有效减小器件电压、电流应力,附加的L、C、D缓冲电路既能提升电压增益,还可有效抑制直流链电压尖峰。分析了改进型Y源逆变器直流母线电压尖峰产生的原因、新型Y源逆变器电压尖峰抑制的原理,并由数学推导证实了新型Y源逆变器存在抑制电压尖峰的工作过程。在器件应力方面将新型Y源逆变器与改进型Y源逆变器的进行对比,证明了新型Y源逆变器的稳态性能。最后,搭建了新型Y源逆变器与改进型Y源逆变器的实验样机,实验所得数据与理论分析相符,证明了理论分析的正确性和新型逆变器的可行性。 展开更多
关键词 Y源逆变器 缓冲电路 器件应力 尖峰抑制 高增益
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一种提高Boost变换器功率转换效率的无源缓冲电路
12
作者 赵孟浩 《东北电力技术》 2023年第6期24-28,共5页
目前,电力电子变换器正在向高频化、小型化方向发展,导致传统变换器的开关管损耗增加,从而使得整体效率较低。提出一种适用于传统Boost变换器的无源缓冲电路来提高变换器效率,该无源缓冲电路实现了开关管的零电压关断,采用无源方案进行... 目前,电力电子变换器正在向高频化、小型化方向发展,导致传统变换器的开关管损耗增加,从而使得整体效率较低。提出一种适用于传统Boost变换器的无源缓冲电路来提高变换器效率,该无源缓冲电路实现了开关管的零电压关断,采用无源方案进行设计,电路控制方案简单。首先对所提无源缓冲电路的工作原理进行了详细的阐述,其次对Boost电路中各器件的的电压电流应力进行了分析,最后通过仿真验证了理论分析的正确性。仿真结果表明,所提缓冲电路可用于光伏发电、直流微网等需要直流升压的场合。 展开更多
关键词 光伏发电 高效率 无源缓冲电路 零电压关断
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SiC MOSFET直流固态断路器缓冲电容设计
13
作者 李倩 胡凯 高坤 《电力电子技术》 北大核心 2023年第6期32-35,41,共5页
在大多数研究中,缓冲电容对设备损耗的影响仅局限于关断过程,固态断路器的故障导通过程及重合闸开通过程受缓冲电容影响被长期忽略。针对这一问题,基于SiC MOSFET在固态断路器动作过程中的暂态过程分析,对故障导通过程、关断过程及开通... 在大多数研究中,缓冲电容对设备损耗的影响仅局限于关断过程,固态断路器的故障导通过程及重合闸开通过程受缓冲电容影响被长期忽略。针对这一问题,基于SiC MOSFET在固态断路器动作过程中的暂态过程分析,对故障导通过程、关断过程及开通的器件损耗进行了分析计算,并得出了缓冲电容对于各个阶段的损耗影响:当缓冲电容增大时,器件的故障导通损耗及关断损耗有所减小,但是其开通损耗将会显著增加。因此,基于SiC MOSFET的固态断路器缓冲电容存在最佳设计值,通过理论公式计算可得,当缓冲电容为0.389μF时,其理论损耗最小,通过实验测量可得,当缓冲电容为0.36μF时,其器件的总体损耗最小,实验值与理论计算结果接近,证明了理论分析的准确性。 展开更多
关键词 固态断路器 缓冲电容 损耗
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一种应用于SOC芯片的线性稳压器
14
作者 律博 《电子设计工程》 2023年第8期166-170,共5页
基于设计一种应用于SOC芯片的线性稳压器的目的,采用在误差放大器和功率管之间插入快速响应缓冲级的方法,结合单级折叠共源共栅放大电路和PMOS管功率器件,组成一种优化电路结构。通过SMIC的0.13μm工艺库进行设计仿真,结果表明,在典型... 基于设计一种应用于SOC芯片的线性稳压器的目的,采用在误差放大器和功率管之间插入快速响应缓冲级的方法,结合单级折叠共源共栅放大电路和PMOS管功率器件,组成一种优化电路结构。通过SMIC的0.13μm工艺库进行设计仿真,结果表明,在典型条件下,输出电压为1.204 V。输入电压2.5~3.6 V时,供电电压调整率为1 mV/V。负载电流在10μA~20 mA变化,上升下降时间为1 ns时,响应时间小于1.15μs,负载调整率为19.8μV/mA,最大负载电流为20 mA。负载电容为2~100 pF,静态工作电流为6.97μA。PVT条件下,输出电压为1.2 V±1.04%。该电路各性能参数均满足设计指标要求,且结构简单,易于实现,无需片外电容,瞬时响应快,静态电流小,可为数字电路提供稳定的低压电源,具有较高应用价值。 展开更多
关键词 SOC 线性稳压器 快速响应缓冲级 PVT 片外电容 数字电路
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具有移相控制的ZVS全桥DC-DC斩波变换器 被引量:20
15
作者 孙铁成 郭超 +2 位作者 娜仁图亚 孙航 申宏伟 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第12期66-72,共7页
传统零电压全桥DC-DC变换器存在的两个典型缺陷:滞后桥臂实现零电压时负载范围窄;变压器二次侧电压存在十分明显的电压过冲、电压振荡及占空比丢失现象。本文提出具有移相控制的新型全桥DC-DC斩波变换器,它分别采用无源辅助网络、无损... 传统零电压全桥DC-DC变换器存在的两个典型缺陷:滞后桥臂实现零电压时负载范围窄;变压器二次侧电压存在十分明显的电压过冲、电压振荡及占空比丢失现象。本文提出具有移相控制的新型全桥DC-DC斩波变换器,它分别采用无源辅助网络、无损缓冲电路等方法克服了以上缺陷。文中详细分析了该新型变换器的工作原理以及变换器各个阶段的工作模态,同时也分析了此变换器实现软开关的条件及辅助电路的参数设计。为了验证该拓扑结构的相关功能,文中搭建了一台24V/3A,100k Hz的实验样机。实验结果验证了该拓扑结构的正确性,并证明了这种新型拓扑结构有效地解决了传统零电压全桥变换器中存在的缺陷,提升了系统性能。 展开更多
关键词 移相控制 全桥DC-DC斩波变换器 无源辅助网络 无损缓冲电路
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宽频电容式分压器的研制 被引量:10
16
作者 姜春阳 周峰 +1 位作者 杨世海 袁建平 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期151-156,162,共7页
为解决电磁式电压互感器和电容式电压互感器(CVT)在谐波条件下,频率响应差的问题,研制了一台宽频电容式分压器。将2种常用的压缩气体标准电容器形式设计集成于一体。采用电磁场仿真软件完成主绝缘及电容量的设计,并对分压器主体分压比... 为解决电磁式电压互感器和电容式电压互感器(CVT)在谐波条件下,频率响应差的问题,研制了一台宽频电容式分压器。将2种常用的压缩气体标准电容器形式设计集成于一体。采用电磁场仿真软件完成主绝缘及电容量的设计,并对分压器主体分压比的温度系数进行了理论计算;为提高分压器后级带载能力,设计了具有两级缓冲电路的电压信号处理单元。试验结果表明:分压器满足绝缘设计,并在50~2 500 Hz满足0.1级互感器的误差要求,可用于电力系统内谐波计量。 展开更多
关键词 谐波测量 电容分压器 温度系数 缓冲电路
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基于AMESim的螺纹插装式缓冲溢流阀的缓冲特性 被引量:6
17
作者 张远深 鲜雪萍 +1 位作者 於又玲 尹杰 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2015年第5期40-43,共4页
针对工程机械在启动、制动或换向时液压马达腔会出现很高液压冲击的现象,对一种螺纹插装式缓冲溢流阀进行特性研究.建立螺纹插装式缓冲溢流阀的AMESim仿真模型,仿真分析缓冲式溢流阀的阀芯阻尼孔直径、缓冲套节流孔直径、弹簧刚度等参... 针对工程机械在启动、制动或换向时液压马达腔会出现很高液压冲击的现象,对一种螺纹插装式缓冲溢流阀进行特性研究.建立螺纹插装式缓冲溢流阀的AMESim仿真模型,仿真分析缓冲式溢流阀的阀芯阻尼孔直径、缓冲套节流孔直径、弹簧刚度等参数对液压马达压力特性的影响.研究结果表明,适当地减小阀芯阻尼孔直径,增大缓冲套节流孔直径,减小调压弹簧刚度,可以提高缓冲式溢流阀的缓冲性能. 展开更多
关键词 螺纹插装式缓冲溢流阀 缓冲套 缓冲回路 AMESIM 缓冲特性
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混合式直流断路器IGBT关断能力提升技术研究 被引量:12
18
作者 杨兵 王胜利 +5 位作者 王文杰 谢晔源 吕玮 石巍 许元震 陈羽 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期24-32,共9页
混合式高压直流断路器主要由快速机械开关和电力电子器件构成,主要依靠快速机械开关承载电流,通过电力电子器件开断和关合电流,为基于MMC柔性直流输电提供直流侧短路保护。但是直流断路器分断电流大,远远高于IGBT常规分断能力。文中根... 混合式高压直流断路器主要由快速机械开关和电力电子器件构成,主要依靠快速机械开关承载电流,通过电力电子器件开断和关合电流,为基于MMC柔性直流输电提供直流侧短路保护。但是直流断路器分断电流大,远远高于IGBT常规分断能力。文中根据直流断路器IGBT的特殊工作条件和电气应力,分析影响IGBT关断能力提升的影响因素,分别从降低IGBT导通损耗、关断损耗和抑制IGBT关断过电压等3个方面提升IGBT的可关断电流能力。文中首先仿真不同回路参数对IGBT损耗的影响,通过优化IGBT退饱和能力和关断过程暂态特性,降低关断损耗,最终完成IGBT结温仿真校核。同时通过研究IGBT关断过电压的影响因素,仿真不同回路参数对IGBT过电压的影响,提出抑制IGBT的关断暂态过电压的具体方法。研制50 kV转移支路阀组,搭建试验平台,完成26 kA的大电流开断,IGBT稳态损耗和暂态损耗都得到有效控制,相关技术和研制设备已经应用张北工程±535 kV混合式高压直流断路器项目,具有十分重要的工程意义。 展开更多
关键词 HVDC 混合型直流断路器 压接式IGBT 关断能力提升 RCD缓冲回路 关断过电压 结温仿真 开通损耗 关断损耗
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IGBT使用可靠性研究 被引量:7
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作者 陈克选 张旺 杜永鹏 《电焊机》 2007年第5期23-26,57,共5页
针对IGBT使用过程中容易炸管等损坏现象,结合实际问题,从IGBT参数选择、缓冲电路和散热设计等方面就IGBT使用过程中的可靠性问题进行了研究,提出了设计方案,同时针对常用驱动模块EXB841、M57959L在IGBT保护中出现的问题,对驱动电路做出... 针对IGBT使用过程中容易炸管等损坏现象,结合实际问题,从IGBT参数选择、缓冲电路和散热设计等方面就IGBT使用过程中的可靠性问题进行了研究,提出了设计方案,同时针对常用驱动模块EXB841、M57959L在IGBT保护中出现的问题,对驱动电路做出了改进与优化。 展开更多
关键词 IGBT 可靠性 缓冲电路 驱动电路
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中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路 被引量:8
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作者 魏廷存 丁行波 高德远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2214-2219,共6页
在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比... 在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0·25μmCMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8^+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0·4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求. 展开更多
关键词 TFT-LCD驱动芯片 输出缓冲电路 电压负反馈 拉电流和灌电流
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