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Multifunction Filter Employing Current Differencing Buffered Amplifier
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作者 Tajinder Singh Arora Udit Rana 《Circuits and Systems》 2016年第5期543-550,共8页
This paper proposes a new filter biquad circuit, which utilizes three Current Differencing Buffered Amplifiers (CDBA), two capacitors and five resistors, and operates in the trans-resistance mode. This multi-input and... This paper proposes a new filter biquad circuit, which utilizes three Current Differencing Buffered Amplifiers (CDBA), two capacitors and five resistors, and operates in the trans-resistance mode. This multi-input and single-output multifunction filter uses only grounded capacitors. All the employed resistors are either grounded or virtually grounded, which is an important parameter for its implementation as an integrated circuit. The circuit enjoys independent tunability of angular frequency and bandwidth. The 0.5 μm technology process parameters have been utilized to test and verify the performance characteristics of the circuit using PSPICE. The non-ideal analysis and sensitivity analysis, transient response, Monte-Carlo analysis and calculations of total harmonic distortion have also been shown. 展开更多
关键词 Active Filters current Differencing buffered Amplifier Biquadratic Filter KHN-Biquad
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Photocurrent analysis of organic photovoltaic cells based on CuPc/C_(60) with Alq_3 as a buffer layer
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作者 王娜娜 于军胜 +1 位作者 臧月 蒋亚东 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期579-583,共5页
The performance of an organic photovoltaic (OPV) cell based on copper phthatocyanine CuPc/C60 with a tris- (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) buffer layer has been investigated. It was found that the power c... The performance of an organic photovoltaic (OPV) cell based on copper phthatocyanine CuPc/C60 with a tris- (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) buffer layer has been investigated. It was found that the power conversion efficiency of the device was 1.51% under illumination with an intensity of 100 mW/cm^2, which was limited by a squareroot dependence of the photocurrent on voltage. The photocurrent optical power density characteristics showed that the OPV cell had a significant space-charge limited photocurrent with a varied saturation voltage and a three quarters power dependence on optical power density. Also, the absorption spectrum was measured by a spectrophotometer, and the results showed that the additional Alq3 layer has a minor effect on photocurrent generation. 展开更多
关键词 organic photovoltaic (OPV) cells buffer layer ALQ3 space-charge limited current
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Effects of HfO_2 buffer layers on the dielectric property and leakage current of Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 thin films by pulsed laser deposition
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作者 耿彦 程晋荣 +1 位作者 俞圣雯 吴文彪 《Journal of Shanghai University(English Edition)》 CAS 2010年第6期456-459,共4页
Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films with and without HfO 2 buffer layer were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by pulsed laser deposition. Dependences of HfO 2 thickness on the dielectric property and leakage curre... Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films with and without HfO 2 buffer layer were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by pulsed laser deposition. Dependences of HfO 2 thickness on the dielectric property and leakage current of BST thin films were focused. The dielectric constant of BST thin films increased and then decreased with the increase of HfO 2 thickness, while the dielectric relaxation was gradually improved. The loss tangent and leakage current under positive bias decreased with the HfO 2 thickness increasing. The leakage current analysis based on the Schottky emission indicated an improvement of the BST/Pt interface with HfO 2 buffer layer. The loss tangent, tunability and figure of merit of optimized HfO 2 buffered BST thin film achieved 0.009 8, 21.91% (E max = 200 kV/cm), 22.40 at 10 6 Hz, respectively. 展开更多
关键词 Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin film HfO 2 buffer layer dielectric property leakage current Schottky emission
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Preparation and Characterization of CeO_2/YSZ/CeO_2 Buffer Layers for YBCO Coated Conductors
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作者 Jie XIONG Yin CHEN Yang QIU Bowan TAO Wenfeng QIN Xumei CUI Yanrong LI 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期457-460,共4页
CeO2 seed layer was deposited on rolling-assisted biaxially textured metal substrates by direct-current (DC) magnetron reactive sputtering. The effect of deposition temperature on epitaxial orientation of CeO2 thin ... CeO2 seed layer was deposited on rolling-assisted biaxially textured metal substrates by direct-current (DC) magnetron reactive sputtering. The effect of deposition temperature on epitaxial orientation of CeO2 thin films was examined. High quality CeO2 layers were achieved at deposition temperature from 750℃ to 850℃.Subsequently yttria-stabilized zirconia (YSZ) and CeO2 films were deposited to complete the buffer layer structure via the same process. The best samples exhibited a highly biaxial texture, as indicated by FWHM (full width half maximum) values in the range of 4°-5°, and 2°-4° for in-plane and out-of-plane orientations,respectively. Secondary ion mass spectrometer analysis confirmed the effective prevention of buffer layer against Ni and W metal interdiffusion. Atomic force microscope observations revealed a smooth, dense and crack-free surface morphology, which provided themselves as the good buffer structure to the YBa2Cu3O7-δ(YBCO) coated conductors. 展开更多
关键词 buffer Direct-current magnetron reactive sputtering Coated conductors RABITS
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高压电缆缓冲层烧蚀过程中电流密度与气体产物浓度的关联性研究 被引量:1
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作者 郭卫 门业堃 +4 位作者 任志刚 陈平 高建 张浩然 李建英 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2023年第9期71-76,共6页
高压电缆缓冲层在烧蚀过程中会生成气体产物,然而目前对于烧蚀过程中气体产物浓度与缓冲层导电性能的关联性尚不明确。为此本文开展了电缆缓冲层烧蚀模拟实验,研究缓冲层烧蚀过程中电流密度与气体产物浓度的演变规律。结果表明:在干燥... 高压电缆缓冲层在烧蚀过程中会生成气体产物,然而目前对于烧蚀过程中气体产物浓度与缓冲层导电性能的关联性尚不明确。为此本文开展了电缆缓冲层烧蚀模拟实验,研究缓冲层烧蚀过程中电流密度与气体产物浓度的演变规律。结果表明:在干燥与潮湿条件下,缓冲层的电流密度均随烧蚀时间延长呈现出双指数函数衰减的规律,且电流密度衰减速率随烧蚀时间增加呈先快速降低后基本不变的趋势,仅潮湿试样在烧蚀初期电流密度出现峰值。气相色谱测试结果表明,潮湿条件下缓冲层在烧蚀过程中的气体产物包括CO_(2)、H_(2)、CO、CH_(4)、C_(2)H_(4)、C_(2)H_(6)、C_(2)H_(2)共7种。在干燥与潮湿条件下,缓冲层烧蚀的气体产物浓度均随烧蚀时间延长先迅速增大后趋于稳定,气体浓度增长时间与电流密度下降时间一致,二者随烧蚀时间的变化规律密切相关。分析认为,烧蚀过程中缓冲层电流密度的衰减速率与气体产物的生成速率具有关联性,烧蚀气体产物浓度的变化反映了缓冲层烧蚀破坏的严重程度。 展开更多
关键词 缓冲层烧蚀 电流密度 气体产物浓度 演变规律 关联性
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基于逆阻IGCT的可控关断电流源型高压直流换流器电气应力和损耗特性分析 被引量:4
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作者 陈龙龙 魏晓光 +4 位作者 张闻闻 崔翔 高冲 贺之渊 汤广福 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期1537-1546,共10页
逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介... 逆阻型集成门极换流晶闸管(reverse blocking integrated gate-commutated thyristor,RB-IGCT)的出现,为可控关断的电流源型换流器(current source converter,CSC)的研究奠定了基础。为了推动器件在高压直流输电领域的应用,文中首先介绍最新研制的4500V/3000A逆阻IGCT的技术参数;其次,介绍CSC拓扑方案,提出子模块缓冲电路,能够实现器件的动态均压和IGCT取能的要求;接着,以换流阀电压和电阻损耗最低为约束条件,给出子模块串联数、缓冲电路参数设计和损耗分析等综合优化方法;然后,搭建250kV/750MW的LCC-CSC混合输电系统模型,给出缓冲电路和主要杂散参数的范围;最后,基于研制的4500V/3000A的逆阻IGCT子模块,验证所提缓冲电路的有效性,并对比分析在该参数下CSC、传统直流和柔性直流的损耗情况。结果表明,由逆阻IGCT串联构成的CSC,相对于传统直流换流阀具有可控关断的技术优势,相对于柔直换流阀,具有器件少、损耗低等优势。 展开更多
关键词 逆阻型集成门极换流晶闸管 电流源换流器 缓冲电路 测试模块 结温计算
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天然气压缩机缓冲罐工作原理及设计改进 被引量:1
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作者 李剑 《云南化工》 CAS 2023年第2期131-134,共4页
在天然气开发、加工、储运等领域,压缩机是重要的核心装备。用往复式压缩机对天然气增压会形成脉动气流,容易损坏设备,引发安全生产事故,并使仪表测量失准。为了防止脉动气流的危害,通常会在压缩机后面安装缓冲罐进行消脉。对现有的带... 在天然气开发、加工、储运等领域,压缩机是重要的核心装备。用往复式压缩机对天然气增压会形成脉动气流,容易损坏设备,引发安全生产事故,并使仪表测量失准。为了防止脉动气流的危害,通常会在压缩机后面安装缓冲罐进行消脉。对现有的带限流管卧式缓冲罐进行了分析,发现存在占地面积大、液位控制困难和容易气串等缺陷。为此对缓冲罐的安置方向和隔板进行了重新优化设计,研制出立式缓冲罐。新设计的立式缓冲罐占地面积小,且立式缓冲罐更容易控制液位,能较好地避免过排和欠排;立式缓冲罐也不易窜气,能减少天然气浪费和环境污染。 展开更多
关键词 天然气压缩机 脉动气流 缓冲罐 限流管 立式缓冲罐
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一种超低功耗的低压差线性稳压器环路补偿方法 被引量:2
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作者 刘晨 来新泉 +1 位作者 钟龙杰 杨伟 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期139-144,共6页
针对低压差线性稳压器(LDO)电路设计中为改善环路补偿的稳定性增加电流缓冲电路而带来额外功耗的问题,提出一种嵌入式LDO环路补偿方法。该方法在原LDO的误差放大器模块中,嵌入一个由晶体管和电容组成的电流缓冲电路,该结构与误差放大器... 针对低压差线性稳压器(LDO)电路设计中为改善环路补偿的稳定性增加电流缓冲电路而带来额外功耗的问题,提出一种嵌入式LDO环路补偿方法。该方法在原LDO的误差放大器模块中,嵌入一个由晶体管和电容组成的电流缓冲电路,该结构与误差放大器的共源共栅输出级共用晶体管,由于整体电路中不增加新元器件,因此消除了引入缓冲电路所带来的额外功耗。仿真实验验证了加入电流缓冲电路后系统环路稳定性能得到了改善。采用联华电子公司0.5μm 5 V的CMOS工艺线在LDO中进行了投片验证,实测芯片静态功耗电流仅为50μA,当输入电压从3V跳变到5V时,输出电压的上冲与下冲都小于15mV,负载电阻从18kΩ跳变到9Ω时,输出电压的最大变化小于20mV。投片测试结果表明,该补偿方法可在提高系统环路稳定性的同时消除额外功耗。 展开更多
关键词 集成电路设计 环路补偿 嵌入式结构 电流缓冲技术
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电流模式N阶CDBA-RC通用滤波器的系统设计 被引量:3
9
作者 席燕辉 李鸿 彭良玉 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第3期760-762,共3页
5该文提出了利用电流差分缓冲放大器CDB A(the Current Differencing Buffered Amplifier)实现n阶电流模式滤波器的方法。基于信号流图给出了系统的设计公式,并举例设计了5阶Butterworth低通、高通及4阶Butterworth带通滤波器。PSPICE... 5该文提出了利用电流差分缓冲放大器CDB A(the Current Differencing Buffered Amplifier)实现n阶电流模式滤波器的方法。基于信号流图给出了系统的设计公式,并举例设计了5阶Butterworth低通、高通及4阶Butterworth带通滤波器。PSPICE仿真表明,结果与理论分析完全吻合。该滤波器不仅电路结构简单,而且用的元件数目很少。 展开更多
关键词 电流差分缓冲放大器 电流模式 通用滤波器
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新型涡流磁阻尼月球着陆器 被引量:11
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作者 王少纯 邓宗全 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2151-2154,共4页
针对三支撑月球着陆器摩擦式阻尼材料存在的真空冷焊问题,对非接触式涡流磁阻尼在月球着陆器上的应用进行了分析和试验.应用电磁学基本理论对涡流磁阻尼的基本特性进行了分析,得出了阻尼特性基本方程.使用DASP数据采集与分析软件,对新... 针对三支撑月球着陆器摩擦式阻尼材料存在的真空冷焊问题,对非接触式涡流磁阻尼在月球着陆器上的应用进行了分析和试验.应用电磁学基本理论对涡流磁阻尼的基本特性进行了分析,得出了阻尼特性基本方程.使用DASP数据采集与分析软件,对新型涡流磁阻尼月球着陆器原理模型的缓冲特性进行了试验测试.结果表明,新型涡流磁阻尼月球着陆器具有较好的缓冲效果. 展开更多
关键词 月球着陆器 涡流 磁阻尼 缓冲
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ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管 被引量:9
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作者 仲飞 叶勤 +3 位作者 刘彭义 翟琳 吴敬 张靖垒 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期877-881,共5页
采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度... 采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。 展开更多
关键词 有机发光二极管 ZnS超薄膜 空穴缓冲层 电流效率
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基本农田易侵占区域的划定 被引量:5
12
作者 郭龙 张海涛 +1 位作者 于波 谷建立 《华中农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期740-745,共6页
为探讨不同土地利用类型在空间位置上对基本农田的影响,以谷城县为例,借助GIS空间分析技术,探讨2006-2009年3a间4种主要土地利用类型(村庄、建制镇、农村道路和公路)在空间位置上对基本农田的影响,进行基本农田易侵占因子和易侵占区域... 为探讨不同土地利用类型在空间位置上对基本农田的影响,以谷城县为例,借助GIS空间分析技术,探讨2006-2009年3a间4种主要土地利用类型(村庄、建制镇、农村道路和公路)在空间位置上对基本农田的影响,进行基本农田易侵占因子和易侵占区域等级的划分,并利用基本农田变化百分比和变化率对划分结果进行了评定。结果表明:基本农田的影响因子可以划分为2个等级,易侵占区域划分为4个等级,不同年份的基本农田易侵占区域面积在同一等级中维持稳定,并且基本农田的侵占情况随等级类别的增强而增强。 展开更多
关键词 基本农田 易侵占因子 易侵占区域 缓冲区域 土地利用现状数据库 GIS
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用Boussinesq方程计算沿岸流的数值方法 被引量:7
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作者 李绍武 黄筱云 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1059-1062,共4页
为解决复杂情况下近岸破波区波浪破碎后的沿岸流计算问题,提出一种基于Boussinesq波动方程的统一的波、流数值计算模式.在数值实验中,为消除数值计算中侧向边界对沿岸流纵向分布的影响,提出了数值水泵加缓冲区的边界处理方法,获得了较... 为解决复杂情况下近岸破波区波浪破碎后的沿岸流计算问题,提出一种基于Boussinesq波动方程的统一的波、流数值计算模式.在数值实验中,为消除数值计算中侧向边界对沿岸流纵向分布的影响,提出了数值水泵加缓冲区的边界处理方法,获得了较均匀的沿岸流纵向分布.运用Visser的沿岸流实验实测资料验证了所提模型的沿岸流、波高和平均水位计算结果.通过对比分析发现,波动条件上下阻力公式用于沿岸流计算时,给出的沿岸流结果虽峰值略偏小,但大致相符. 展开更多
关键词 破波区 沿岸流 BOUSSINESQ方程 数值水泵 缓冲区
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硅基PbSe/BaF_2/CaF_2薄膜及其光电特性 被引量:4
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作者 金进生 吴惠桢 +3 位作者 常勇 寿翔 X.M.Fang P.J.McCann 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期154-156,共3页
采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 缓冲层的方法 ,在 Si(111)衬底上外延的 Pb Se薄膜晶体质量高 ,Pb Se表面光亮 ,无开裂现象发生 ,X-光衍... 采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 缓冲层的方法 ,在 Si(111)衬底上外延的 Pb Se薄膜晶体质量高 ,Pb Se表面光亮 ,无开裂现象发生 ,X-光衍射峰峰宽窄 (15 3arcs) .外延生长的 Pb Se薄膜被应用于制作光电二极管 ,首次采用热蒸发金属铝膜在 Pb Se表面形成 Al- Pb Se肖特基结光电二极管 ,获得了比 Pb- Pb Se肖特基结更为稳定和理想的电流 展开更多
关键词 PbSe薄膜 BaF2/CaF2缓冲层 肖特基结 I-V特性 分子束外延 光电二极管 SI(111)
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DOS与Windows环境下串行通信方法的研究 被引量:1
15
作者 杨国志 邢继峰 《计算机工程与设计》 CSCD 2004年第8期1311-1312,1316,共3页
针对Windows环境下串行通信机制,研究了DOS环境下与之相对应的功能实现方法,提出了C语言程序设计方案。在系统通信中,设置数据流控制协议,开辟环形缓冲区处理通信数据,调用串行口的中断管理资源,实现异步通信,确保数据通信实时、稳定,... 针对Windows环境下串行通信机制,研究了DOS环境下与之相对应的功能实现方法,提出了C语言程序设计方案。在系统通信中,设置数据流控制协议,开辟环形缓冲区处理通信数据,调用串行口的中断管理资源,实现异步通信,确保数据通信实时、稳定,效果良好。 展开更多
关键词 DOS WINDOWS环境 串行通信 中断管理 调用 实时 流控制 环形缓冲区 数据通信 协议
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第二代电流传输器组成的RC正弦振荡器 被引量:3
16
作者 马云辉 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 1995年第4期35-37,45,共4页
本文提出了一种一般形式的由一个第二代电流传输器(CCⅡ)和一个电压缓冲器组成的RC振荡电路,分析了几个特例.并讨论了当第二代电流传输器为非理想情况时对振荡条件和振荡频率的影响.
关键词 电路理论 RC正弦振荡器 电流传送器 振荡器
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基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应 被引量:2
17
作者 刘静 王琳倩 黄忠孝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第24期347-353,共7页
基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低... 基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低了栅边缘漏侧的电场峰值,使电场分布更加均匀,改善了器件的电流崩塌效应.与传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构相比,新器件结构对电流崩塌效应的抑制作用至少提升了22.30%. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌效应 缓冲层陷阱
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适用于集成电路的大时间常数积分器的研究 被引量:1
18
作者 杨志民 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期35-39,共5页
鉴于普通的大时间常数积分器不能集成实现,提出了2种采用新型有源器件CDBA和CFA、利用时间常数倍增技术实现的大时间常数积分器结构.对这2种积分器结构进行了理论分析与对比,结果证明,由CFA实现的时间常数倍增积分器结构更为简单、理想... 鉴于普通的大时间常数积分器不能集成实现,提出了2种采用新型有源器件CDBA和CFA、利用时间常数倍增技术实现的大时间常数积分器结构.对这2种积分器结构进行了理论分析与对比,结果证明,由CFA实现的时间常数倍增积分器结构更为简单、理想和实用. 展开更多
关键词 有源集成电路 CDBA 集成电路 大时间常数积分器
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用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文) 被引量:1
19
作者 张靖磊 仲飞 刘彭义 《电子器件》 CAS 2008年第1期40-43,共4页
用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓... 用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。 展开更多
关键词 有机发光二极管 ZNS薄膜 空穴缓冲层 电流效率
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直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征 被引量:1
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作者 童杏林 郑启光 +3 位作者 胡兵 秦应雄 席再军 于本海 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期165-169,共5页
采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术 ,在 Si(111)衬底上生长了 Ga N薄膜 .XRD、AFM、PL 和 Hall测量的结果表明在 2~ 2 0 Pa沉积气压范围内 ,提高沉积气压有利提高 Ga N薄膜的结晶质量 ;在 15 0~ 2 2 0 m J/ Pluse入射激光脉冲强度范围... 采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术 ,在 Si(111)衬底上生长了 Ga N薄膜 .XRD、AFM、PL 和 Hall测量的结果表明在 2~ 2 0 Pa沉积气压范围内 ,提高沉积气压有利提高 Ga N薄膜的结晶质量 ;在 15 0~ 2 2 0 m J/ Pluse入射激光脉冲强度范围内 ,随着入射激光脉冲强度的提高 ,Ga N薄膜表面结构得到改善 .研究发现 ,在 70 0℃衬底温度、2 0 Pa的沉积气压和 2 2 0 m J/ Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下 ,所沉积生长的 Ga N薄膜具有良好的结构质量和光电性能 . 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 直漉放电 GAN薄膜 ALN缓冲层
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