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光刻胶材料的研究进展
被引量：
2
1
作者
刘巧云
祁秀秀
+2 位作者
杨怡
朱翔宇
周勇
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第3期378-384,共7页
简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数...
简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数对光致抗蚀剂的影响,并对国内外研究中通过不同聚合工艺制备的不同分子量光致抗蚀剂性能进行了评述,总结了近年来含有特定化学结构的光致抗蚀剂以及其制备工艺的研究进展。最后对国内外光刻胶的发展和应用进行了展望,指出进一步提高光刻胶的分辨率、改善其综合性能是今后的研究重点。
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关键词
紫外(
uv
)光刻胶
深紫外光刻胶
极紫外光刻胶
成膜树脂
分辨率
原文传递
聚羟基苯乙烯在光致抗蚀剂中的应用及其合成
被引量：
6
2
作者
刘建国
郑家燊
李平
《感光科学与光化学》
EI
CAS
CSCD
2006年第1期67-74,共8页
主要综述了聚羟基苯乙烯用作深紫外光致抗蚀剂主体成膜树脂的发展历程、应用现状以及一些最新的研究进展,并简要介绍了聚羟基苯乙烯的单体衍生物及其聚合物的制备方法．
关键词
聚羟基苯乙烯
深紫外光致抗蚀剂
主体成膜树脂
下载PDF
职称材料
248nm深紫外光刻胶
被引量：
9
3
作者
郑金红
黄志齐
侯宏森
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期346-356,共11页
本文从化学增幅技术的产生,深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248nm胶的发展与进步.
关键词
化学增幅
KRF激光
深紫外光刻
248
nm光刻胶
主体树脂
酸催化
光致产酸剂
下载PDF
职称材料
SU-8紫外深度光刻的误差及修正(英文)
被引量：
4
4
作者
郑津津
陈有梅
+4 位作者
周洪军
田杨超
刘刚
李晓光
沈连婠
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期1926-1931,共6页
在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究...
在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究了影响紫外深度光刻图形转移精度的如下因素:衍射效应、曝光剂量、紫外光波长和蝇眼透镜的分布等等。建立了基于模型区域的校正系统,该校正系统采用了分类分区域的思想将掩模图形按其畸变的特点进行了分类,在校正过程中对不同的类别分别建立校正区域,在每一校正区域内进行校正优化处理和校正评价,这种基于模型的分类分区域评价思想,使得校正过程有效且实时,该校正方法不仅降低了校正的复杂性,同时提高了校正的效率。
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关键词
SU-8光刻胶
紫外深度光刻
掩模
图形转移
误差修正
下载PDF
职称材料
光刻胶树脂结构与性能技术进展
被引量：
2
5
作者
陈寿天宝
张念椿
+7 位作者
魏永明
马晓华
杨虎
庄黎伟
汤初阳
李金荣
郑鹤立
许振良
《山东化工》
CAS
2022年第22期117-120,124,共5页
光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF...
光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等,与之相应的光刻胶也不尽相同。
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关键词
光刻
光刻胶
紫外
深紫外
极紫外
下载PDF
职称材料
题名
光刻胶材料的研究进展
被引量：
2
1
作者
刘巧云
祁秀秀
杨怡
朱翔宇
周勇
机构
常州工程职业技术学院检验检测认证学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第3期378-384,共7页
基金
国家教育部首批国家级职业教育教师教学创新团队建设项目。
文摘
简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数对光致抗蚀剂的影响,并对国内外研究中通过不同聚合工艺制备的不同分子量光致抗蚀剂性能进行了评述,总结了近年来含有特定化学结构的光致抗蚀剂以及其制备工艺的研究进展。最后对国内外光刻胶的发展和应用进行了展望,指出进一步提高光刻胶的分辨率、改善其综合性能是今后的研究重点。
关键词
紫外(
uv
)光刻胶
深紫外光刻胶
极紫外光刻胶
成膜树脂
分辨率
Keywords
ultraviolet(
uv
)
photoresist
deep uv photoresist
extreme
uv
photoresist
film forming resin
resolution
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
聚羟基苯乙烯在光致抗蚀剂中的应用及其合成
被引量：
6
2
作者
刘建国
郑家燊
李平
机构
华中科技大学化学系
出处
《感光科学与光化学》
EI
CAS
CSCD
2006年第1期67-74,共8页
文摘
主要综述了聚羟基苯乙烯用作深紫外光致抗蚀剂主体成膜树脂的发展历程、应用现状以及一些最新的研究进展,并简要介绍了聚羟基苯乙烯的单体衍生物及其聚合物的制备方法．
关键词
聚羟基苯乙烯
深紫外光致抗蚀剂
主体成膜树脂
Keywords
polyhydroxystyrene
deep uv photoresist
matrix resin
分类号
TQ572 [化学工程—精细化工]
下载PDF
职称材料
题名
248nm深紫外光刻胶
被引量：
9
3
作者
郑金红
黄志齐
侯宏森
机构
北京化学试剂研究所
出处
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期346-356,共11页
文摘
本文从化学增幅技术的产生,深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248nm胶的发展与进步.
关键词
化学增幅
KRF激光
深紫外光刻
248
nm光刻胶
主体树脂
酸催化
光致产酸剂
Keywords
chemical amplification
KrF excimer laser
deep
uv
lithography
248 nm
photoresist
s
matrix resins
acid-catalysis
photoacid generator
分类号
TQ577 [化学工程—精细化工]
下载PDF
职称材料
题名
SU-8紫外深度光刻的误差及修正(英文)
被引量：
4
4
作者
郑津津
陈有梅
周洪军
田杨超
刘刚
李晓光
沈连婠
机构
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
国家同步辐射实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期1926-1931,共6页
基金
Supported by NSF of China (No 60473133
No 10575097)
+1 种基金
the ' Hundred Talented' Projects from ACS,the 973 Project (No 2006CB303102)
the SRFDP (No 20060358050),and the 111 Projects
文摘
在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究了影响紫外深度光刻图形转移精度的如下因素:衍射效应、曝光剂量、紫外光波长和蝇眼透镜的分布等等。建立了基于模型区域的校正系统,该校正系统采用了分类分区域的思想将掩模图形按其畸变的特点进行了分类,在校正过程中对不同的类别分别建立校正区域,在每一校正区域内进行校正优化处理和校正评价,这种基于模型的分类分区域评价思想,使得校正过程有效且实时,该校正方法不仅降低了校正的复杂性,同时提高了校正的效率。
关键词
SU-8光刻胶
紫外深度光刻
掩模
图形转移
误差修正
Keywords
SU-8
photoresist
uv
deep
lithography
mask
pattern transfer
error correction
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
光刻胶树脂结构与性能技术进展
被引量：
2
5
作者
陈寿天宝
张念椿
魏永明
马晓华
杨虎
庄黎伟
汤初阳
李金荣
郑鹤立
许振良
机构
西陇科学股份有限公司
出处
《山东化工》
CAS
2022年第22期117-120,124,共5页
基金
广东省“扬帆计划”引进创新创业团队项目资助(2016YT03C010)
汕头市引进科技创新创业团队计划资助。
文摘
光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等,与之相应的光刻胶也不尽相同。
关键词
光刻
光刻胶
紫外
深紫外
极紫外
Keywords
lithography
photoresist
ultraviolet
deep
uv
extreme ultraviolet
分类号
TQ32 [化学工程—合成树脂塑料工业]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光刻胶材料的研究进展
刘巧云
祁秀秀
杨怡
朱翔宇
周勇
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023
2
原文传递
2
聚羟基苯乙烯在光致抗蚀剂中的应用及其合成
刘建国
郑家燊
李平
《感光科学与光化学》
EI
CAS
CSCD
2006
6
下载PDF
职称材料
3
248nm深紫外光刻胶
郑金红
黄志齐
侯宏森
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
9
下载PDF
职称材料
4
SU-8紫外深度光刻的误差及修正(英文)
郑津津
陈有梅
周洪军
田杨超
刘刚
李晓光
沈连婠
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
下载PDF
职称材料
5
光刻胶树脂结构与性能技术进展
陈寿天宝
张念椿
魏永明
马晓华
杨虎
庄黎伟
汤初阳
李金荣
郑鹤立
许振良
《山东化工》
CAS
2022
2
下载PDF
职称材料
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