期刊文献+
共找到382篇文章
< 1 2 20 >
每页显示 20 50 100
In-doping collaboratively controlling back interface and bulk defects to achieve efficient flexible CZTSSe solar cells
1
作者 Quanzhen Sun Yifan Li +6 位作者 Caixia Zhang Shunli Du Weihao Xie Jionghua Wu Qiao Zheng Hui Deng Shuying Cheng 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期10-17,I0002,共9页
Focusing on the low open circuit voltage(V_(OC))and fill factor(FF)in flexible Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)solar cells,indium(In)ions are introduced into the CZTSSe absorbers near Mo foils to modify the back interface... Focusing on the low open circuit voltage(V_(OC))and fill factor(FF)in flexible Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)solar cells,indium(In)ions are introduced into the CZTSSe absorbers near Mo foils to modify the back interface and passivate deep level defects in CZTSSe bulk concurrently for improving the performance of flexible device.The results show that In doping effectively inhibits the formation of secondary phase(Cu(S,Se)_(2))and VSndefects.Further studies demonstrate that the barrier height at the back interface is decreased and the deep level defects(Cu_(Sn)defects)in CZTSSe bulk are passivated.Moreover,the carrier concentration is increased and the V_(OC) deficit(V_(OC,def))is decreased significantly due to In doping.Finally,the flexible CZTSSe solar cell with 10.01%power conversion efficiency(PCE)has been obtained.The synergistic strategy of interface modification and bulk defects passivation through In incorporation provides a new thought for the fabrication of efficient flexible kesterite-based solar cells. 展开更多
关键词 Flexible solar cells Cu_(2)ZnSn(S Se)_(4) Back interface Deep level defects Barrier height
下载PDF
Reduction of Deep Level Defects in Unintentionally Doped 4H-SiC Homo-epilayers by Ion Implantation 被引量:1
2
作者 贾仁需 张玉明 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2012年第3期415-417,共3页
In order to reduce deep level defects, the theory and process design of 4H-SiC homoepitaxial layer implanted by carbon ion are studied. With the Monte Carlo simulator TRIM, the ion implantation range, location of peak... In order to reduce deep level defects, the theory and process design of 4H-SiC homoepitaxial layer implanted by carbon ion are studied. With the Monte Carlo simulator TRIM, the ion implantation range, location of peak concentration and longitudinal straggling of carbon are calculated. The process for improving deep energy level in undoped 4H-SiC homoepitaxial layer by three times carbon ion-implantation is proposed, including implantation energy, dose, the SiO2 resist mask, annealing temperature, annealing time and annealing protection. The deep energy level in 4H-SiC material can be significantly improved by implantation of carbon atoms into a shallow surface layer. The damage of crystal lattice can be repaired well, and the carbon ions are effectively activated after 1 600 ℃ annealing, meanwhile, deep level defects are decreased. 展开更多
关键词 4H-SiC Homo-epilayers deep level defects carbon ion-implantation
原文传递
A Qualitative Perstective on Idempotency Defect of Two Level System Interacting with Laser and Quantized Field
3
作者 Sayed Abdel-Khalek Mohammed Mohammed Ahmed +1 位作者 Waleed Nabeel Razek Abdel Shafy Obada 《Smart Grid and Renewable Energy》 2010年第1期40-46,共7页
Entanglement due to the interaction of a two level atom with a laser and quantized field is investigated. The role of the nonlinearity due to these interactions is discussed. It is found that the nonlinearity changes ... Entanglement due to the interaction of a two level atom with a laser and quantized field is investigated. The role of the nonlinearity due to these interactions is discussed. It is found that the nonlinearity changes strongly the behavior of the entanglement also the detuning parameters have important role in the structure of the measure of entanglement. 展开更多
关键词 ENTANGLEMENT Idempotency defect TWO-level SYSTEM QUANTIZED
下载PDF
Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN
4
作者 李晓静 赵德刚 +10 位作者 江德生 陈平 朱建军 刘宗顺 乐伶聪 杨静 何晓光 张立群 刘建平 张书明 杨辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期408-412,共5页
The influence of a deep-level-defect(DLD) band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the performance of Ni/Au contact to p-GaN is investigated. The thin heavily Mg-doped GaN(p^++-GaN) contact layer w... The influence of a deep-level-defect(DLD) band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the performance of Ni/Au contact to p-GaN is investigated. The thin heavily Mg-doped GaN(p^++-GaN) contact layer with DLD band can effectively improve the performance of Ni/Au ohmic contact to p-GaN. The temperature-dependent I–V measurement shows that the variable-range hopping(VRH) transportation through the DLD band plays a dominant role in the ohmic contact. The thickness and Mg/Ga flow ratio of p^++-GaN contact layer have a significant effect on ohmic contact by controlling the Mg impurity doping and the formation of a proper DLD band. When the thickness of the p^++-GaN contact layer is 25 nm thick and the Mg/Ga flow rate ratio is 10.29%, an ohmic contact with low specific contact resistivity of 6.97×10^-4Ω·cm^2 is achieved. 展开更多
关键词 ohmic contact p-type GaN transportation mechanism deep-level-defect band
原文传递
Identifying the relationships between subsurface absorber defects and the characteristics of kesterite solar cells
5
作者 Dae-Ho Son Dong-Hwan Jeon +7 位作者 Dae-Hwan Kim Jin-Kyu Kang Shi-Joon Sung Jaebaek Lee Taeseon Lee Enkhjargal Enkhbayar JunHo Kim Kee-Jeong Yang 《Carbon Energy》 SCIE CSCD 2023年第8期42-54,共13页
Understanding the defect characteristics that occur near the space-charge regions(SCRs)of kesterite(CZTSSe)solar cells is important because the recombination loss at the CZTSSe/CdS interface is considered the main cau... Understanding the defect characteristics that occur near the space-charge regions(SCRs)of kesterite(CZTSSe)solar cells is important because the recombination loss at the CZTSSe/CdS interface is considered the main cause of their low efficiency.CZTSSe surfaces with different elemental compositions were formed without polishing(C00)and with polishing for 20 s(C20)and 60 s(C60).For C60,a specific region near the SCR was excessively Cu-rich and Zn-poor compared to C00 and C20.Various charged defects formed where the elemental variation was large.As the main deep acceptor defect energy level(E_(a2))near the SCR increased,the efficiency,open-circuit voltage deficit,and current density degraded,and this phenomenon was especially rapid for large E_(a2) values.As the E_(a2) near the SCR became deep,the carrier diffusion length decreased more for the CZTSSe solar cells with a low carrier mobility than for the CuInGaSe_(2)(CIGSe)solar cells.The large amplitude of the electrostatic potential fluctuation in the CZTSSe solar cells induced a high carrier recombination and a short carrier lifetime.Consequently,the properties of the CZTSSe solar cells were more strongly degraded by defects with deep energy levels near the SCR than those of the CIGSe solar cells. 展开更多
关键词 defect density defect energy level elemental variation KESTERITE space charge region
下载PDF
桩周土对桩身振动波传递及缺陷识别影响研究
6
作者 杜思义 李刘申 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1703-1708,共6页
针对基桩完整性的低应变检测方法仅能定性识别桩身缺陷程度,不能定量识别问题,本文根据动力学理论,建立了考虑桩周土作用的基桩动力控制方程,利用波动理论求得桩身任意截面的速度响应。通过不同龄期下模型桩试验和数值计算结果,研究发现... 针对基桩完整性的低应变检测方法仅能定性识别桩身缺陷程度,不能定量识别问题,本文根据动力学理论,建立了考虑桩周土作用的基桩动力控制方程,利用波动理论求得桩身任意截面的速度响应。通过不同龄期下模型桩试验和数值计算结果,研究发现:随着龄期的增加桩周土阻尼逐渐增大,速度反射波幅值与入射波幅值之比逐渐衰减的规律,依据此衰减规律和截面阻抗变化处的反射规律,建立了缺陷程度定量识别关系式,利用该关系式可以简便、快捷地定量识别桩身缺陷程度。 展开更多
关键词 基桩 振动波 桩土相互作用 阻尼 桩顶速度响应 反射波 缺陷程度 定量识别
下载PDF
改进水平集协同FLICM的汽车零部件表面缺陷识别
7
作者 林晶 问轲 +1 位作者 张学昌 刘永跃 《机械设计与制造》 北大核心 2024年第7期317-321,325,共6页
针对汽车机械零部件中检测效率低、误检率高等瓶颈问题,提出了一种结合图像处理技术的方法。基于汽车副车架表面结构复杂以及缺陷异形等特征,首先通过小波邻域收缩去噪和多尺度增强算法对零件图像进行预处理,再通过水平集函数初步定位... 针对汽车机械零部件中检测效率低、误检率高等瓶颈问题,提出了一种结合图像处理技术的方法。基于汽车副车架表面结构复杂以及缺陷异形等特征,首先通过小波邻域收缩去噪和多尺度增强算法对零件图像进行预处理,再通过水平集函数初步定位缺陷区域,最后结合空间模糊聚类进一步精确定位缺陷区域,达到对零件表面缺陷识别的目的。对工件表面划伤、压痕、气孔三种缺陷进行检测。实验结果表明:该算法相对于其它两种算法的检测率分别93.3%、86%和90%,具有较高的检测成功率。为后续缺陷零部件分类奠定良好的基础且可以满足工业检测要求。 展开更多
关键词 铝合金铸件 缺陷检测 图像处理 水平集
下载PDF
实景三维模型缺陷修复关键技术 被引量:1
8
作者 龚元夫 熊忠招 +4 位作者 陈关州 孙玉峰 廖溥昀 杨皓博 张晓东 《科学技术与工程》 北大核心 2024年第19期8339-8345,共7页
为了有效提高实景三维模型反映各类型地理要素的准确度和精细度以充分支撑实景三维中国建设工作,首先将当前无人机倾斜摄影三维重建后的三维模型中存在的模型缺陷系统性分为四大类型,并分析其产生的原因。随后,针对性地提出了三种关键技... 为了有效提高实景三维模型反映各类型地理要素的准确度和精细度以充分支撑实景三维中国建设工作,首先将当前无人机倾斜摄影三维重建后的三维模型中存在的模型缺陷系统性分为四大类型,并分析其产生的原因。随后,针对性地提出了三种关键技术:一是基于连通性和欧氏距离聚类的交互式悬浮物去除,利用图割理论和随机一致性抽样算法识别和删除悬浮物;二是基于图割理论的水面半自动整平,在利用Grabcut算法提取水面区域的同时为其赋予统一高程以实现水面的平整;三是基于深度网络模型的水体纹理inpainting填充,利用卷积神经网络和深度对抗训练以获得水体纹理的特征和结构从而实现水体缺失纹理的修复。最后,利用湖北省宜昌市的实际生产数据进行了修复实验,实验结果表明本文提出的各项关键技术能够有效修复三维模型缺陷,从而使实景三维模型具备更精细的地理实体和地理景观还原度。 展开更多
关键词 倾斜摄影测量 模型缺陷修复 城市级实景三维 纹理填充
下载PDF
正畸联合骨水平种植体修复在牙列缺损中的应用效果评价 被引量:1
9
作者 宫汝娟 何磊 《上海口腔医学》 CAS 2024年第1期76-79,共4页
目的:评价正畸联合骨水平种植体修复在牙列缺损中的应用效果。方法 :回顾分析2020年1月—2022年1月因牙列缺损就诊的88例下颌后牙区单牙种植患者的资料,其中,骨水平种植体修复44例(对照组),正畸联合骨水平种植体修复44例(试验组)。比较... 目的:评价正畸联合骨水平种植体修复在牙列缺损中的应用效果。方法 :回顾分析2020年1月—2022年1月因牙列缺损就诊的88例下颌后牙区单牙种植患者的资料,其中,骨水平种植体修复44例(对照组),正畸联合骨水平种植体修复44例(试验组)。比较2组种植体植入成功率、种植体牙周健康情况、咀嚼功能、种植体稳定情况、术后并发症及患者满意度。采用SPSS 18.0软件包对数据进行统计学分析。结果:2组植入3个月、6个月的成功率相比,差异无统计学意义(P>0.05),试验组植入12个月的成功率显著高于对照组(P<0.05)。试验组植入12个月的龈沟出血指数(gingival sulci bleeding index,SBI)、探诊深度(probing depth,PD)显著低于对照组(P<0.05),2组植入12个月的骨吸收量相比,差异无统计学意义(P>0.05)。2组治疗后最大力咬合时咬肌、颞肌肌电活动显著高于治疗前(P<0.05),试验组治疗后最大力咬合时咬肌、颞肌肌电活动显著高于对照组(P<0.05)。2组6个月、12个月时的种植体稳定系数显著高于3个月(P<0.05),2组12个月时的种植体稳定系数显著高于6个月(P<0.05),试验组6个月、12个月时的种植体稳定系数显著高于对照组(P<0.05)。2组总并发症发生率相比,差异无统计学意义(P>0.05)。试验组患者满意度显著高于对照组(P<0.05)。结论:正畸联合骨水平种植体修复牙列缺损可提高种植成功率及咀嚼效能,改善种植体牙周健康情况,提升患者满意度。 展开更多
关键词 牙列缺损 正畸治疗 骨水平种植体 修复效果
原文传递
Nonlinear change of ion-induced secondary electron emission in theκ-Al_(2)O_(3) surface charging from first-principle modelling
10
作者 Zhicheng JIAO Mingrui ZHU +2 位作者 Dong DAI Tao SHAO Buang WANG 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期40-50,共11页
Secondary electron emission(SEE)induced by the positive ion is an essential physical process to influence the dynamics of gas discharge which relies on the specific surface material.Surface charging has a significant ... Secondary electron emission(SEE)induced by the positive ion is an essential physical process to influence the dynamics of gas discharge which relies on the specific surface material.Surface charging has a significant impact on the material properties,thereby affecting the SEE in the plasma-surface interactions.However,it does not attract enough attention in the previous studies.In this paper,SEE dependent on the charged surface of specific materials is described with the computational method combining a density functional theory(DFT)model from the first-principle theory and the theory of Auger neutralization.The effect ofκ-Al2O3 surface charge,as an example,on the ion-induced secondary electron emission coefficient(SEEC)is investigated by analyzing the defect energy level and band structure on the charged surface.Simulation results indicate that,with the surface charge from negative to positive,the SEEC of a part of low ionization energy ions(such as Ei=12.6 eV)increases first and then decreases,exhibiting a nonlinear changing trend.This is quite different from the monotonic decreasing tendency observed in the previous model which simplifies the electronic structure.This irregular increase of the SEEC can be attributed to the lower escaped probability of orbital energy.The results further illustrate that the excessive charge could cause the bottom of the conduction band close to the valence band,thus leading to the decrease of the orbital energy occupied by the excited electrons.The nonlinear change of SEEC demonstrates a more realistic situation of how the electronic structure of material surface influences the SEE process.This work provides an accurate method of calculating SEEC from specific materials,which is urgent in widespread physical scenarios sensitive to surface materials,such as increasingly growing practical applications concerning plasma-surface interactions. 展开更多
关键词 secondary electron emission charged surface density functional theory defect energy level
下载PDF
电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响
11
作者 刘帅 熊慧凡 +3 位作者 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1536-1541,共6页
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下... 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SiC MOS 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱
下载PDF
纤锌矿结构砷化镓纳米线中的深能级缺陷研究
12
作者 乔旭冕 李新化 +5 位作者 谷毛毛 龚书磊 弓紫燕 吴超可 吴超 赵雷鸣 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期671-678,共8页
深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了... 深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了基于缺陷光电离模型来提取特定缺陷能级水平特征的方法。通过拟合纤锌矿结构砷化镓纳米线的光离化谱,得到了0.69 eV的光电离能。光离化能和热捕获能之间的较大能量差异意味着缺陷与晶格有强耦合作用,这与闪锌矿结构砷化镓中EL2中心的行为相似。 展开更多
关键词 光电子学 光电导 纤锌矿结构砷化镓 深能级缺陷 分子束外延
下载PDF
基于台架试验数据的铸件疲劳寿命分析与应用
13
作者 张烈明 崔震 +2 位作者 郭继文 王乾勋 田延芳 《汽车工艺与材料》 2024年第7期49-53,共5页
以商用车铸造后桥壳为研究对象,对多个类型桥壳台架试验疲劳寿命进行数据分析处理,得到失效时的加载循环次数。应用基于时间历程载荷的有限元疲劳分析方法,得到铸造桥壳在对应载荷循环下的疲劳等效应力,联合疲劳等效应力与失效次数获得... 以商用车铸造后桥壳为研究对象,对多个类型桥壳台架试验疲劳寿命进行数据分析处理,得到失效时的加载循环次数。应用基于时间历程载荷的有限元疲劳分析方法,得到铸造桥壳在对应载荷循环下的疲劳等效应力,联合疲劳等效应力与失效次数获得铸造桥壳的S-N曲线。结果表明,当前分析的铸造桥壳存在缺陷控制水平低的问题,需要提升制造工艺水平,并提出在设计中制定缺陷等级分类的重要性。应用有限元疲劳分析联合试验数据,可以在工艺水平稳定的前提下,提前有效预测新设计结构的疲劳寿命,将有限元分析结果与制造工艺联系起来,扩展了试验数据的实用性。 展开更多
关键词 铸件 疲劳分析 S-N 曲线 铸造缺陷 铸造等级
下载PDF
矿用带式输送机胶带表面缺陷检测系统研究
14
作者 雷高阳 李俊杰 +2 位作者 王凯旋 李根生 李海超 《煤炭工程》 北大核心 2024年第8期158-164,共7页
针对矿用带式输送机胶带表面缺陷识别困难、定位不准确的问题,提出了基于可靠区域融合的矿用带式输送机胶带表面缺陷检测系统。首先,利用迁移学习方法和公开数据集训练了YOLOv4及SSD模型,并根据预测分数和重叠情况提出了缺陷检测结果决... 针对矿用带式输送机胶带表面缺陷识别困难、定位不准确的问题,提出了基于可靠区域融合的矿用带式输送机胶带表面缺陷检测系统。首先,利用迁移学习方法和公开数据集训练了YOLOv4及SSD模型,并根据预测分数和重叠情况提出了缺陷检测结果决策级融合方法,决策级融合YOLOv4和SSD两个模型的最大化可靠区域,以此实现带式输送机胶带缺陷识别和定位。结合公开数据集和胶带表面缺陷数据集对所提方法的有效性和可靠性进行了测试和分析,结果表明所提方法能够充分利用YOLOv4和SSD模型的检测结果,取得较高的准确率、召回率和重叠率,且在胶带表面缺陷数据集中达到超过85%的准确率和0.6以上的重叠率,这有利于胶带的缺陷检测和维修保养,从而保证矿用带式输送机的安全可靠运行。 展开更多
关键词 矿用带式输送机 缺陷检测 决策级融合 区域融合 图像检测
下载PDF
基于决策级融合的曳引钢带表面缺陷检测方法
15
作者 雷高阳 王凯旋 +2 位作者 李俊杰 李根生 李海超 《机电工程技术》 2024年第6期205-208,共4页
由于电梯曳引钢带的工况环境恶劣,钢带表面容易出现缺陷,而复杂昏暗的环境导致缺陷识别和定位困难。为此,提出了基于决策级融合的曳引钢带缺陷检测方法,利用迁移学习的方法微调YOLOv4及SSD的预训练模型,并将其应用于曳引钢带缺陷检测,... 由于电梯曳引钢带的工况环境恶劣,钢带表面容易出现缺陷,而复杂昏暗的环境导致缺陷识别和定位困难。为此,提出了基于决策级融合的曳引钢带缺陷检测方法,利用迁移学习的方法微调YOLOv4及SSD的预训练模型,并将其应用于曳引钢带缺陷检测,得到不同的原始检测结果,利用所提方法在决策级融合YOLOv4及SSD模型的原始检测结果,以此提高钢带表面缺陷识别和定位的准确率。利用东北大学钢带表面缺陷公开数据集对所提方法的有效性和可靠性进行测试,缺陷识别和定位结果表明所提方法能够充分利用YOLOv4和SSD模型的原始检测结果,通过决策级融合初始检测结果取得较高的缺陷识别和定位准确性,准确率和召回率提高约15%,交并比达到0.6左右,这对于电梯曳引钢带的缺陷检测和维修保养有重要意义,并进一步保证电梯能够安全可靠运行。 展开更多
关键词 曳引钢带 表面缺陷 缺陷检测 决策级融合 图像识别
下载PDF
基于YOLOv8s的轻量级绝缘子多缺陷检测模型
16
作者 蓝贵文 任新月 +2 位作者 徐梓睿 郭瑞东 钟展 《现代电子技术》 北大核心 2024年第20期72-80,共9页
YOLO系列算法已广泛用于识别电力线路中的各类缺陷目标。由于巡检图像背景复杂、缺陷目标的尺度不一等,直接利用YOLO算法难以有效避免绝缘子闪络、破损等小目标的错检漏检问题。为解决这一问题,在YOLOv8s模型的基础上提出一种轻量化绝... YOLO系列算法已广泛用于识别电力线路中的各类缺陷目标。由于巡检图像背景复杂、缺陷目标的尺度不一等,直接利用YOLO算法难以有效避免绝缘子闪络、破损等小目标的错检漏检问题。为解决这一问题,在YOLOv8s模型的基础上提出一种轻量化绝缘子缺陷检测算法。在骨干网络中引入双层路由注意力机制(BRA),以提升对全局特征的关注度,抑制背景噪声,降低小目标缺陷的错检漏检率。通过加权双向特征金字塔网络(BiFPN)实现跨尺度特征之间的加权融合,获取各类缺陷更全面的特征信息。重构Neck网络来消除低贡献度的网络节点,在增强检测性能的同时减少了模型的参数量,实现了性能提升和参数效率之间的平衡。实验结果显示,改进后的网络模型平均检测精度达到84.9%,而参数量仅为8.4×10^(6),可实现对绝缘子缺陷的快速准确检测。 展开更多
关键词 轻量化网络 YOLOv8s 绝缘子缺陷 小目标缺陷检测 双层路由注意力机制 加权双向特征金字塔网络 特征融合
下载PDF
基于RbGeI_(3)全无机钙钛矿太阳电池的数值分析
17
作者 胡伟霞 杨记鑫 《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第11期2309-2314,共6页
为了开发高效稳定的新型太阳电池,采用SCAPS-1D软件,对以RbGeI_(3)为吸收层的全无机无铅钙钛矿太阳电池进行数值模拟,其电池结构为FTO/TiO_(2)/RbGeI_(3)/Spiro-OMeTAD/Au。影响电池性能的因素包括RbGeI_(3)吸收层厚度及缺陷态密度、掺... 为了开发高效稳定的新型太阳电池,采用SCAPS-1D软件,对以RbGeI_(3)为吸收层的全无机无铅钙钛矿太阳电池进行数值模拟,其电池结构为FTO/TiO_(2)/RbGeI_(3)/Spiro-OMeTAD/Au。影响电池性能的因素包括RbGeI_(3)吸收层厚度及缺陷态密度、掺杂浓度和金属背电极的功函数。通过数值模拟对这些参数进行了优化,提高了电池性能。结果表明:当RbGeI_(3)吸收层厚度为600 nm,缺陷态密度为1013 cm^(-3),RbGeI_(3)吸收层掺杂浓度为1017 cm^(-3),TiO_(2)和Spiro-OMeTAD掺杂浓度分别为1020和1017 cm^(-3)时,电池效率趋于稳定。基于以上参数,优化后的电池输出特性为:V_(oc)=0.92 V,J_(sc)=32.97 mA/cm^(2),FF=78.10%,hPCE=23.65%。研究表明RbGeI_(3)钙钛矿太阳电池具有成为新型高效光伏器件的潜力。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳电池 能级分布 厚度 缺陷态密度 掺杂浓度 数值仿真
下载PDF
物理因子促进干细胞的成骨分化 被引量:2
18
作者 王姗姗 舒晴 田峻 《中国组织工程研究》 CAS 北大核心 2024年第7期1083-1090,共8页
背景:针对骨缺损传统修复方法的局限性,干细胞广泛应用于再生医学的研究。化学性因子是当前的研究热点,但是近年来的研究证实,国内外应用物理因素调控干细胞分化的研究不断深入,物理因子联合生物支架在骨组织工程中为解决骨缺损修复难... 背景:针对骨缺损传统修复方法的局限性,干细胞广泛应用于再生医学的研究。化学性因子是当前的研究热点,但是近年来的研究证实,国内外应用物理因素调控干细胞分化的研究不断深入,物理因子联合生物支架在骨组织工程中为解决骨缺损修复难题提供了一种新的思路和方法,具有良好的发展前景。目的:就物理因子如电磁场、超声等对干细胞成骨分化的分子机制以及信号通路的调控、在骨组织工程中应用的可行性等方面做一总结。方法:应用计算机检索中国知网和PubMed数据库中近20年的相关文献,在标题和摘要中以“干细胞,骨缺损,成骨分化,电磁场,超声,冲击波,低强度激光,机械力,骨组织工程”或“stem cell,osteoporosis,osteogenic differentiation,Electromagnetic Fields,Ultrasound,Bone Tissue Engineering”为检索词进行检索,对相关文章94篇进行综述分析。结果与结论:(1)物理因子作为一种无创、非接触的辅助疗法对骨组织工程有着显著影响,在调控干细胞的成骨分化、促进细胞的增殖以及在骨工程支架内的生存能力方面有着积极作用。(2)除了激活信号通路和成骨基因转录外,物理因子还可以改善血管化、增加支架中形成的骨的体积、面积和厚度,可以促进骨整合,提高骨支架再生健康骨组织的成功率。(3)然而,将物理因子用于骨组织工程的研究均采用不同的实验条件,如支架类型、细胞类型及干预条件等,无法直接进行比较以确定最佳参数设置,在临床应用中,这些不同干预对促进骨折愈合的有效性研究结果也缺乏一致性,因此未来还需要进一步确定物理因子用于骨组织工程的最佳参数。(4)总体而言,物理因子作为一种理想的辅助疗法,在与各种生物材料结合并应用于骨组织工程方面具有巨大的潜力。 展开更多
关键词 干细胞 骨缺损 成骨分化 电磁场 超声 冲击波 低强度激光 机械力 骨组织工程
下载PDF
浓缩生长因子在促进下颌阻生第三磨牙拔除后创面愈合及术后反应中的应用
19
作者 张广野 熊际文 +3 位作者 杨士毅 王刚 游迪迪 郜倩倩 《口腔颌面外科杂志》 CAS 2024年第4期295-299,共5页
目的:探究浓缩生长因子(concentrated growth factor,CGF)在促进下颌阻生第三磨牙拔牙创面愈合中的疗效,及对第二磨牙远中骨缺损深度(osseous defect depth,ODD)、临床附着水平(clinical attachment level,CAL)及疼痛应激指标的影响。方... 目的:探究浓缩生长因子(concentrated growth factor,CGF)在促进下颌阻生第三磨牙拔牙创面愈合中的疗效,及对第二磨牙远中骨缺损深度(osseous defect depth,ODD)、临床附着水平(clinical attachment level,CAL)及疼痛应激指标的影响。方法:选择2022年1月至2022年12月于我院拔除下颌阻生第三磨牙的患者共96例,按照随机数表法将患者随机分为研究组(n=48)及对照组(n=48)。对照组在拔牙后不填入任何植入物,研究组填入CGF凝冻物。比较2组患者的术后视觉模拟评分法(visual analogue scale,VAS)评分、面部肿胀情况、疼痛应激指标[5-羟色胺(5-hydroxytryptamine,5-HT)、半乳糖胺(galactosamine,Gal)、降钙素基因相关肽(calcitonin gene related peptide,CGRP)]含量、ODD、CAL及术后生活质量[术后症状严重程度(postoperative symptom severity,PoSSe)量表]。结果:术后1、3 d,研究组的VAS评分分别为(3.72±0.56)、(2.94±0.43)分,均显著低于对照组的(4.81±0.61)、(3.86±0.57)分(P<0.001);术后研究组的面部肿胀度为(2.79±0.64)mm,低于对照组的(5.46±1.22)mm(P<0.001);2组术后3 d的5-HT、Gal、CGRP水平均高于术前,研究组分别为(2.46±0.68)ng/mL、(9.56±1.42)nmol/mL、(1.76±0.52)ng/mL,均低于对照组的(3.15±0.46)ng/mL、(13.19±1.08)nmol/mL、(2.89±0.44)ng/mL(P<0.001);术后6个月,2组的ODD、CAL水平均低于术后1周,研究组分别为(4.21±0.87)、(0.48±0.12)mm,均低于对照组[(5.75±0.61)、(0.73±0.19)mm,P<0.001];研究组的各项PoSSe评分均低于对照组(P<0.01)。结论:CGF可降低下颌阻生第三磨牙拔牙后患者术后疼痛应激指标水平,改善其拔牙后的疼痛及面部肿胀情况,提高患者术后生活质量。 展开更多
关键词 浓缩生长因子 下颌阻生第三磨牙 第二磨牙远中骨缺损深度 临床附着水平 疼痛应激指标
下载PDF
上一页 1 2 20 下一页 到第
使用帮助 返回顶部