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Dielectronic recombination of Co-like tantalum
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作者 周莉 孟凡昌 +2 位作者 黄敏 陈重阳 王炎森 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第8期3409-3413,共5页
Ab initio calculation of the total dielectronic recombination (DR) rate coefficient from the ground state of Co-like tantalum is performed using the relativistic distorted-wave approximation with configuration inter... Ab initio calculation of the total dielectronic recombination (DR) rate coefficient from the ground state of Co-like tantalum is performed using the relativistic distorted-wave approximation with configuration interaction. The contributions to the total DR rate coefficients are explicitly calculated from the complexes of Ni-like tantalum:3s^23p^63d3/2^33d5/2^6n′l′,3s^23p^53d^10n′l′,3s3p^63d^10n′l′,3s^23p^63d^84ln′l′,3s^23p^53d^94ln′l′ and 3s3p^63d^94ln′l′ with n′≤25, and 3s^23p^63d^85ln′l′ with n′≤9.The l′and n′ dependences of partial DR rate coefficients are investigated. The contributions from higher n^complexes are evaluated by a level-by-level extrapolation method. The total DR rate coefficients mainly come from the complex series 3s^23p^63d^84ln′l′,3s^23p^53d^94ln′l′and are fitted to an empirical formula with high accuracy. Comparison of the present results with those of other works shows that the previously published data underestimate significantly the DR rates of Co-like tantalum. 展开更多
关键词 dielectronic recombination rate coefficient co-like tantalum
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Resonance Excitation Rate Coefficient of Ni-Like Tantalum
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作者 沈天明 陈重阳 +1 位作者 王炎森 顾明峰 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第4期925-928,共4页
The ab initio calculations of electron-impact resonant excitation rate coefficients from the ground level to 54 fine-structure levels of 3d94l (1 = s, p, d, f) configurations of Ni-like tantalum ion are performed by... The ab initio calculations of electron-impact resonant excitation rate coefficients from the ground level to 54 fine-structure levels of 3d94l (1 = s, p, d, f) configurations of Ni-like tantalum ion are performed by using a fully relativistic distorted-wave approximation. The configuration-interaction effects are taken into account. The decays to autoionizing levels possibly followed by autoionization cascades are also included in the calculation. The contributions from doubly-excited intermediate states of Cu-like 31^17n′l′n′l″ (n′ = 4, 5; n″ = 5 - 15) are calculated explicitly, and the contributions from high Rydberg states (n″〉 15) are taken into account by using n-3 scaling law. The present results should be more accurate than the existent calculations. 展开更多
关键词 recombination rate coefficientS dielectronic recombination COLLISIONSTRENGTHS IONS CONFIGURATIONS ISOSEQUENCES FE CA MG AR
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Dielectronic Recombination of Br-Like Tungsten Ions
3
作者 李麦娟 符彦飙 +2 位作者 苏茂根 董晨钟 Koike FUMIHIRO 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期182-187,共6页
Accurate data for dielectronic recombination of tungsten ions are essential in the modeling of tungsten impurity transport and radiative power loss in International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER). Theoret... Accurate data for dielectronic recombination of tungsten ions are essential in the modeling of tungsten impurity transport and radiative power loss in International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER). Theoretical calculations have been made for dielectronic recombi- nation (DR) rate coefficients of Br-like tungsten ions using a flexible relativistic atomic code (FAC) from i eV to 50 keV. Level-by-level calculations are carried out for evaluating the contributions to DR through all the relevant Kr-like tungsten ions autoionizing inner-shell excited configuration complexes: (3s23p63d10)-14s24p5nlntl' (n = 4-5, n' = 4-100,l' = 0-8), (4s24pS)-lnln'l' (n = 4-6, n' = 4-100, l' = 0-12). Comparison of the rate coefficients for 3s, 3p, 3d, 4s and 4p subshell excitations shows that the 4p subshell excitation dominates over the whole temperature region, 4s subshell excitation at low temperature and 3p, 3d subshell excitations at high temperature can not be neglected. In order to facilitate simple applications, the total DR rate coefficient, △n = 0,1 and 2 core excitations DR rate coefficients are fitted to an empirical formula. 展开更多
关键词 Br-like tungsten dielectronic recombination rate coefficients
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Au^(34+)离子双电子复合过程的理论研究 被引量:5
4
作者 符彦飙 王旭东 +1 位作者 苏茂根 董晨钟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期123-129,共7页
复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au^(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,... 复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au^(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考. 展开更多
关键词 双电子复合 速率系数 级联退激效应 Au(34+)离子
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SOSA模型下高剥离态的辐射衰减速率系数 被引量:1
5
作者 焦荣珍 程新路 +3 位作者 张茹 杨向东 孟川民 何绍奎 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期101-102,106,共3页
在SOSA模型下 ,计算得出Ni like、Cu Like、Zn like(Xe、Gd、Dy、Au)离子的 3d nf(n =4 ,5 ,6 )的辐射衰减速率系数Ar,结果表明 ,由于旁观电子和核电荷数的不同 ,使辐射衰减速率系数呈规律性变化 ,同时对Ni likeTa45+ 的辐射衰减速率系... 在SOSA模型下 ,计算得出Ni like、Cu Like、Zn like(Xe、Gd、Dy、Au)离子的 3d nf(n =4 ,5 ,6 )的辐射衰减速率系数Ar,结果表明 ,由于旁观电子和核电荷数的不同 ,使辐射衰减速率系数呈规律性变化 ,同时对Ni likeTa45+ 的辐射衰减速率系数与采用相对论参数势方法得出的辐射衰减速率系数作了比较 ,结果比较一致。 展开更多
关键词 SOSA模型 高剥离态 辐射衰减速率系数 自旋轨道劈裂阵 双电子复合 相对论参数势 等离子体诊断
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W^(40+)离子双电子复合速率系数的理论研究 被引量:1
6
作者 符彦飙 马倩倩 李麦娟 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第1期34-38,共5页
利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细研究了类硒W40+离子从基组态3s23p63d104s24p4俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s24p4)-1 nln′l′(n=4~6,n′=4~100)的双电子复合(DR)过程.通过对不同壳层电子激发的DR速率系数... 利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细研究了类硒W40+离子从基组态3s23p63d104s24p4俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s24p4)-1 nln′l′(n=4~6,n′=4~100)的双电子复合(DR)过程.通过对不同壳层电子激发的DR速率系数的比较,得到了主要的电子激发DR通道,并且发现由4p电子激发的DR速率系数对总DR速率系数有重要贡献.在1~5×104 eV温度范围内,计算得到了n′=4~16的DR速率系数,并外推到n′=100,进而得到总DR速率系数.给出了Δn=0,1,2三类芯激发对总DR速率系数的贡献,发现对总DR速率系数的主要贡献来自于Δn=0,1的芯激发.对总DR速率系数和辐射复合(RR)以及三体复合(TBR)速率系数进行了比较,发现DR速率系数在研究的温度范围内远大于TBR和RR速率系数.为了方便应用,对总DR速率系数进行了参数拟合. 展开更多
关键词 双电子复合 速率系数 W40+离子
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类锌W^(44+)离子双电子复合速率系数的理论研究 被引量:3
7
作者 马新泽 《科技通报》 北大核心 2013年第2期13-15,共3页
利用全相对论组态相互作用理论方法,计算了类锌W44+离子从基态3s23p63d104s2经过双激发态(3s23p63d104s2)-1nln'l('n=4、5;n'=4~15)的双电子复合(DR)速率系数,通过对不同电子激发的DR速率系数的比较,得知4s电子激发的DR速... 利用全相对论组态相互作用理论方法,计算了类锌W44+离子从基态3s23p63d104s2经过双激发态(3s23p63d104s2)-1nln'l('n=4、5;n'=4~15)的双电子复合(DR)速率系数,通过对不同电子激发的DR速率系数的比较,得知4s电子激发的DR速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出;分别分析了不同电子激发的DR速率系数随l'和n'的变化,由此给出了l'的截断值。 展开更多
关键词 双电子复合 速率系数 W44+离子
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类氢硅离子双电子复合的理论研究
8
作者 谌晓洪 杨天丽 +2 位作者 唐永建 蒋刚 朱正和 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期104-107,共4页
基于准相对论多组态Hartree Fock理论和Cowan程序包(RCN34/RCN2/RCG9),计算了类氢硅离子双电子复合速率系数,讨论了双激发自电离态电子的轨道角动量、电子温度、双电子复合过程的末态选择等对类氢硅离子双电子复合速率系数的影响.计算... 基于准相对论多组态Hartree Fock理论和Cowan程序包(RCN34/RCN2/RCG9),计算了类氢硅离子双电子复合速率系数,讨论了双激发自电离态电子的轨道角动量、电子温度、双电子复合过程的末态选择等对类氢硅离子双电子复合速率系数的影响.计算结果表明:在研究的电子温度范围内,复合通道为2pnp→2pn′l′的复合占优势,在电子温度Te=0 07keV时,总复合系数达到共振峰αDR=1 41×10-11cm3·s-1. 展开更多
关键词 双电子复合 类氢硅离子 速率系数
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类铷等电子序列双电子复合过程的理论研究
9
作者 符彦飙 杨志龙 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第5期42-48,共7页
基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铷等电子序列离子双激发态(4s^24p^64d^1)-1 nln'l'(n=4,5,6,n'≤23,l'≤12)7个离子(Sb^14+,Te^15+,Xe^17+,Tb^28+,Hf^35+,W^37+,Au^42+)的双电子复合(Dielectron... 基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铷等电子序列离子双激发态(4s^24p^64d^1)-1 nln'l'(n=4,5,6,n'≤23,l'≤12)7个离子(Sb^14+,Te^15+,Xe^17+,Tb^28+,Hf^35+,W^37+,Au^42+)的双电子复合(Dielectronic reombination,DR)速率系数,并用能级到能级的方法外推到n'=1000.分别研究了激发通道和辐射通道、共振稳态跃迁(RS)和非共振稳态跃迁以及辐射跃迁到可自电离态及随后的级联退激(DAC)对DR速率系数的贡献,分析了各种效应随着原子序数(Z)的变化规律.研究表明,RS+NRS随着Z的增大对速率系数的影响越来越大,而DAC的贡献随着Z的增大越来越小,对于Au^42+离子(Z=79),其贡献在50000 eV处最大,达到14.36%,仍不可忽略.最后,总结了这7个离子总的DR速率系数的规律.为了便于使用,对7个离子总的DR速率系数进行了参数拟合,得到了适用于类铷等电子序列的适用于中高温区域的一个经验拟合公式. 展开更多
关键词 双电子复合 速率系数 DAC效应
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类铷W^(37+)离子双电子复合速率系数的理论研究 被引量:5
10
作者 张义钊 符彦飙 +1 位作者 董晨钟 苏茂根 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期1087-1090,共4页
利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W37+离子从基组态3s23p63d104s24p64d经过双激发态(3s23p63d104s24p64d)-1nlnl′′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×104eV范围内的总双电子复合速率系数。分析... 利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W37+离子从基组态3s23p63d104s24p64d经过双激发态(3s23p63d104s24p64d)-1nlnl′′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×104eV范围内的总双电子复合速率系数。分析比较了不同电子激发的双电子复合速率系数,结果表明:4p电子激发的双电子复合速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出。由于强组态相互作用,两电子一光子跃迁对双电子复合速率系数的贡献不可忽略,其中辐射跃迁4p54d5d5f-4p64f5d的贡献是双激发态4p54d5d5f总的双电子复合速率系数的5%。对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较表明,在所研究的温度范围内双电子复合速率系数最大。 展开更多
关键词 双电子复合 速率系数 W37+离子 组态相互作用
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Gd^19+离子双电子复合速率系数的理论研究 被引量:1
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作者 符彦飙 魏二龙 +1 位作者 田瑞 马德全 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第5期37-43,共7页
基于全相对论组态相互作用理论,详细计算了类铑钆离子的双电子复合(DR)速率系数;研究分析了内壳层电子激发、辐射通道和级联退激对DR速率系数的影响,以及DR速率系数随高n电子轨道角动量的变化.结果表明,内壳层4p电子激发以及级联退激对D... 基于全相对论组态相互作用理论,详细计算了类铑钆离子的双电子复合(DR)速率系数;研究分析了内壳层电子激发、辐射通道和级联退激对DR速率系数的影响,以及DR速率系数随高n电子轨道角动量的变化.结果表明,内壳层4p电子激发以及级联退激对DR速率系数的贡献不可忽略.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1eV时,双电子复合速率系数都大于辐射复合和三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.同时,对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合. 展开更多
关键词 双电子复合 速率系数 DAC效应
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类铑等电子序列双电子复合的理论研究 被引量:1
12
作者 符彦飙 马德全 杨志龙 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第3期40-47,共8页
基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铑等电子序列10个离子(Sn^(5+),Sb^(6+),Te^(7+),Xe^(9+),Gd^(19+),Tb^(20+),W^(29+),Re^(30+),Au^(34+),Tl^(36+))的双电子复合(Dielectronic recombination, DR)速率系数,研究... 基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铑等电子序列10个离子(Sn^(5+),Sb^(6+),Te^(7+),Xe^(9+),Gd^(19+),Tb^(20+),W^(29+),Re^(30+),Au^(34+),Tl^(36+))的双电子复合(Dielectronic recombination, DR)速率系数,研究了激发通道和辐射通道,共振稳态跃迁、非共振稳态跃迁和辐射跃迁到可自电离态及随后的级联退激对双电子复合的贡献,分析了各种效应随原子序数的变化规律.结果表明,级联退激的贡献随着原子序数的增大越来越小,至Tl^(36+)离子(Z=81),其贡献在4 000 eV处有19.98%,仍不可忽略.仅考虑共振稳态跃迁和非共振稳态跃迁贡献计算值与又考虑了级联退激贡献计算值的偏差在13.40%以内.为了方便使用,对得到的总DR速率系数进行了参数拟合.并且总结了总的DR速率系数的规律,得到了适用于类铑等电子序列中高温处的一个经验拟合公式. 展开更多
关键词 双电子复合 速率系数 DAC效应
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离子和冷却电子重组的高分辨谱研究(英文)
13
作者 R. Schuch N. Eklw +8 位作者 M. Fogle E.Lindroth S. Madzunkov T. Mohamed D. Nikolic P.Glans H. Danared A. Kllberg A. Paal 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期136-139,共4页
给出了在CRYRING重离子储存环上测量到的在很低能量下电子与离子重组的最新实验结果和有关速率系数增强的新的数据 .主要讨论类锂、类钠和类铜离子的共振双电子重组的新近测量结果 ,以及从这些共振谱中所导出的非常精确的离子能级劈裂... 给出了在CRYRING重离子储存环上测量到的在很低能量下电子与离子重组的最新实验结果和有关速率系数增强的新的数据 .主要讨论类锂、类钠和类铜离子的共振双电子重组的新近测量结果 ,以及从这些共振谱中所导出的非常精确的离子能级劈裂值 ,从而将严格检验相对论效应、电子关联效应和量子电动力学效应 .其中 ,对类锂Kr3 3 + 离子 2s1/2 能级Lamb移位的确定精度达到了0 .1%. 展开更多
关键词 离子 冷却电子 高分辨谱 重组速率系数 共振双电子重组 量子电动力学效应 冷却存储环 重离子储存环 电子关联效应
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Au激光等离子体的双电子复合速率系数 被引量:4
14
作者 易有根 郑志坚 +3 位作者 颜君 李萍 方泉玉 邱玉波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2740-2744,共5页
基于准相对论多组态Hartree Fock理论和扭曲波近似 ,采用组态平均的方法 ,从头计算了类铁金离子 类镓金离子的双电子复合速率系数 ,计算中包含了大量稠密的自电离能级 ,由于宽广的自电离能级分布和极其复杂的级联效应 ,造成高Z材料Au的... 基于准相对论多组态Hartree Fock理论和扭曲波近似 ,采用组态平均的方法 ,从头计算了类铁金离子 类镓金离子的双电子复合速率系数 ,计算中包含了大量稠密的自电离能级 ,由于宽广的自电离能级分布和极其复杂的级联效应 ,造成高Z材料Au的双电子复合速率系数不同于低Z元素的特征 ,与现有文献的类镍金离子比较 ,结果表明 ,在“神光Ⅱ”实验装置诊断的电子温度约为 2keV ,电子密度约为 6× 10 2 1 cm- 3,Au激光等离子体不同理论之间的双电子复合速率系数误差不到 10 % .这对于使用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带细致谱 5f— 3d跃迁的平均电离度和电荷态分布 ,推动诊断学的发展是切实可行的 . 展开更多
关键词 AU 激光等离子体 双电子复合 类铁金离子-类镓金离子 复合速率系数 等离子诊断
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W^44+离子双电子复合速率系数的理论研究 被引量:2
15
作者 马新泽 符彦飙 +3 位作者 李麦娟 张国鼎 张义钊 董晨钟 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期214-219,共6页
利用全相对论组态相互作用方法,详细研究了W44+离子从基组态3s23p63d104s2俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s2)1nln′l′(n=4~6,n′=4~7)的双电子复合(DR)过程。通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4s电子激发和3d电子激... 利用全相对论组态相互作用方法,详细研究了W44+离子从基组态3s23p63d104s2俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s2)1nln′l′(n=4~6,n′=4~7)的双电子复合(DR)过程。通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4s电子激发和3d电子激发的DR速率系数分别在低温和中高温度时给出了主要贡献,得到了主要的电子激发DR通道。在1 eV~50 keV温度范围内,计算了n=4~18的DR速率系数,并外推到了n=100,得到总DR速率系数。比较总DR速率系数、三体复合(TBR)以及辐射复合(RR)速率系数,结果表明DR速率系数在研究的温度范围内远大于TBR和RR速率系数,其将明显地影响ITER等离子体的电离平衡和离化态布居。 展开更多
关键词 双电子复合 DR速率系数 W44+离子
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类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究 被引量:3
16
作者 杨建会 范强 张建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期123-130,共8页
使用全相对论组态相互作用方法,能级-能级细致计算了0.1E_I≤kT_e≤10E_I(E_I是类钠离子基态的第一电离能)温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数,双激发自电离能级考虑了(2s2p)~73ln'l',(2s2p)~74l4l'以及(2s2p)~7... 使用全相对论组态相互作用方法,能级-能级细致计算了0.1E_I≤kT_e≤10E_I(E_I是类钠离子基态的第一电离能)温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数,双激发自电离能级考虑了(2s2p)~73ln'l',(2s2p)~74l4l'以及(2s2p)~74l5l'组态.对于(2s2p)~73ln'l'双激发自电离组态,轨道角量子数l'>8的(2s2p)~73ln'l'双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计;(2s2p)~73ln'l'双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足n'^(-3)组态-组态外推法,并且核电荷数越大,趋于n'^(-3)标度的n'值越小;对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合,得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数Z和电子温度变化的经验公式,该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内,能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1E_I≤kT_e≤10E_I电子温度范围的DR速率系数.Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kT_e<0.3E_I)类氖离子的DR速率系数,在高温(kT_e>2E_I)时,类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示. 展开更多
关键词 相对论组态相互作用 双电子复合 类氖离子 速率系数
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Ni^(27+)离子Kα和Kβ型衰变的双电子复合速率系数的计算 被引量:2
17
作者 牟致栋 魏琦瑛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1358-1364,共7页
用HFR波函数对低密度类氢Ni27+等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道,分析了Ni27+等离子体Kα型和Kβ型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和... 用HFR波函数对低密度类氢Ni27+等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道,分析了Ni27+等离子体Kα型和Kβ型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l与电子温度的变化行为,计算了Ni27+等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明,在低密度条件下,Kα型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l有重要关系,前者的分支速率系数远大于后者. 展开更多
关键词 Ni^27+离子 Kα型和Kβ型辐射衰变 双电子复合 速率系数
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类氦等电子系列离子的双电子复合速率系数 被引量:1
18
作者 滕华国 龚尚庆 徐至展 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期686-690,共5页
给出了一套计算类氦等电子数系列离子双电子复合速率系数的解析公式,这套公式能快速、准确地给出类氦离子从B3+到Xe52+、电子温度在0.1keV到70key范围内各离子的双电子复合速率系数。作为一个例子,计算了类氦硅离... 给出了一套计算类氦等电子数系列离子双电子复合速率系数的解析公式,这套公式能快速、准确地给出类氦离子从B3+到Xe52+、电子温度在0.1keV到70key范围内各离子的双电子复合速率系数。作为一个例子,计算了类氦硅离子双电子复合速率系数,并与Karim等人的理论从头计算的结果作了比较,二者十分一致。 展开更多
关键词 类氦离子 双电子复合 速率系数
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类氖氙离子基态的双电子复合过程研究 被引量:1
19
作者 杨建会 范强 张建平 《山东大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期24-28,共5页
使用相对论组态相互作用方法计算了电子温度在0.01E I≤kT e≤10E I(E I=3 332 eV,是类钠Xe43+离子的第一电离能)范围内基态类氖Xe44+离子的双电子复合(DR)速率系数。对类氖Xe44+离子基态DR过程贡献最大的是(2s2p)73ln'l'双激... 使用相对论组态相互作用方法计算了电子温度在0.01E I≤kT e≤10E I(E I=3 332 eV,是类钠Xe43+离子的第一电离能)范围内基态类氖Xe44+离子的双电子复合(DR)速率系数。对类氖Xe44+离子基态DR过程贡献最大的是(2s2p)73ln'l'双激发自电离组态,对总DR速率系数的贡献略大于90%,其中最主要的贡献来自(2s2p)73l3l',(2s2p)73l4l'组态,占总速率系数的70%以上。对于通过(2s2p)73ln'l'类钠氙离子双激发自电离组态的双电子复合过程,l'>8的贡献可以忽略,n'>12的贡献满足n'-3组态-组态外推法则。 展开更多
关键词 相对论组态相互作用 双电子复合 速率系数
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