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MoN/CrN自润滑防护涂层制备及其摩擦学性能研究
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作者 丁文博 吴正涛 +3 位作者 王启民 林奕嵩 林亮亮 刘超 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期728-736,共9页
高温合金具有优异的高温强度,适用于高负载及高温应用环境,广泛应用于航空航天领域,其滑动构件需要针对性设计宽温域自润滑材料。传统MoN自润滑涂层抗氧化性能较差、服役温度较低,利用CrN插入层制备纳米多层涂层可抑制Mo组元快速氧化,... 高温合金具有优异的高温强度,适用于高负载及高温应用环境,广泛应用于航空航天领域,其滑动构件需要针对性设计宽温域自润滑材料。传统MoN自润滑涂层抗氧化性能较差、服役温度较低,利用CrN插入层制备纳米多层涂层可抑制Mo组元快速氧化,从而提高涂层抗氧化能力及高温耐磨性。因此文章于高温合金基体表面设计制备MoN/CrN纳米多层涂层,通过引入CrN插入层提高MoN涂层的耐磨性及高温抗氧化性。同时研究了MoN与MoN/CrN纳米多层涂层在不同温度下的摩擦学性能及抗氧化性能,结果表明MoN/CrN纳米多层涂层具有优异的耐磨性及高温抗氧化性,在600℃温度下的摩擦系数低至0.466,磨损率低至1.59×10^(-6)mm^(3)/(N·m)。 展开更多
关键词 双磁控共溅射 多层涂层 宽温域 耐磨 自润滑涂层
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双源加热系统中负载对磁控管耦合的影响实验研究
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作者 郭朝杰 刘志俊 +2 位作者 朱铧丞 印长豹 杨阳 《真空电子技术》 2024年第5期101-106,共6页
为应对磁控管单管输出功率不足的问题,目前工业上广泛采用的是双源及多源加热这一策略,然而该方式缺乏理论支持及实验探究。针对以上问题,基于磁控管注入技术,利用加热腔体中端口之间的耦合完成能量注入,研究了双源加热系统中不同吸收... 为应对磁控管单管输出功率不足的问题,目前工业上广泛采用的是双源及多源加热这一策略,然而该方式缺乏理论支持及实验探究。针对以上问题,基于磁控管注入技术,利用加热腔体中端口之间的耦合完成能量注入,研究了双源加热系统中不同吸收负载对于磁控管单向耦合及相互耦合的影响。实验中成功使用一个输出稳定的磁控管改善了另一个稳定性较差、噪声较多的磁控管的输出,实现了不同耦合状态下的磁控管注入锁定,并测量了不同吸收负载下的频率锁定范围。 展开更多
关键词 磁控管 双源 耦合 频谱
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磁控溅射法制备的硫化镉缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能
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作者 陈玉飞 廖华 +2 位作者 周志能 赵永刚 王书荣 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2024年第2期18-21,共4页
利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光... 利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光电转换效率为7.0%的铜锌锡硫薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 铜锌锡硫薄膜太阳电池 硫化镉缓冲层 磁控溅射法 双功率溅射
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提高微波消解仪加热均匀性的方法
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作者 曲鹏 李圣勇 《自动化应用》 2024年第20期11-14,共4页
与传统石墨消解或电加热板消解相比,微波消解具有消解速度快、消解效率高、消解能耗低、损失样品低、全程自动化等优点,已被广泛应用于化学分析领域,如食品、环境、生物、石油、冶金等。微波消解仪是在微波消解技术的基础上研发出来的,... 与传统石墨消解或电加热板消解相比,微波消解具有消解速度快、消解效率高、消解能耗低、损失样品低、全程自动化等优点,已被广泛应用于化学分析领域,如食品、环境、生物、石油、冶金等。微波消解仪是在微波消解技术的基础上研发出来的,但微波消解仪炉腔内的微波分布往往不均匀,这造成了微波加热不均匀,进而导致样品回收率一致性不高。基于此,提出了一种提高微波消解仪加热均匀性的方法,通过自适应调整转盘转速和双磁控管各自输出功率,有效提高了微波加热均匀性,解决了因微波加热不均匀而导致的消解罐爆罐、仪器报警、回收率不一致等问题。 展开更多
关键词 微波消解 加热均匀性 自适应 转盘转速 双磁控管
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中频双靶反应磁控溅射制备TiO_2膜的一些探索 被引量:3
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作者 赵来 刘翔宇 +5 位作者 许生 范垂祯 高文波 陈旭 杨美芹 查良镇 《真空》 CAS 北大核心 2003年第1期17-20,共4页
具有高折射率的 Ti O2 膜在反射型液晶显示器的关键部件高反射率背板膜系的制备中起重要作用。本文使用国内首家在线中频双靶反应磁控溅射设备进行了制备 Ti O2 膜的探索 ,完成了相应的膜层测试与分析。实验结果表明双靶磁控反应溅射可... 具有高折射率的 Ti O2 膜在反射型液晶显示器的关键部件高反射率背板膜系的制备中起重要作用。本文使用国内首家在线中频双靶反应磁控溅射设备进行了制备 Ti O2 膜的探索 ,完成了相应的膜层测试与分析。实验结果表明双靶磁控反应溅射可以制备高折射率的 Ti O2 膜 ,实验还从折射率的角度证明中频双靶反应溅射与直流反应溅射的效果一致 。 展开更多
关键词 反射型液晶显示器 中频双靶反应磁控溅射 制备 TIO2膜 二氧化钛
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中频磁控溅射法制备厚类金刚石碳膜 被引量:2
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作者 于翔 刘阳 +1 位作者 王成彪 于德洋 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期25-28,共4页
采用中频对靶磁控法在M2高速钢基片上合成了厚达6μm的含铬类金刚石碳(DLC)薄膜,初步考察了中频磁控溅射工艺参数、DLC薄膜的多层梯度结构及薄膜力学和摩擦性能间的关系。结果表明,薄膜表面平滑,具有致密的多层梯度结构,在2.45 N载荷下... 采用中频对靶磁控法在M2高速钢基片上合成了厚达6μm的含铬类金刚石碳(DLC)薄膜,初步考察了中频磁控溅射工艺参数、DLC薄膜的多层梯度结构及薄膜力学和摩擦性能间的关系。结果表明,薄膜表面平滑,具有致密的多层梯度结构,在2.45 N载荷下维氏硬度为HV 2 560,结合力的临界载荷为52 N,且在较长滑动距离内平均摩擦因数为0.09。 展开更多
关键词 含铬类金刚石碳膜 梯度多层结构 中频对靶磁控溅射
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等离子体发射监控系统参与的中频孪生反应磁控溅射沉积TiO_2薄膜的实验研究 被引量:1
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作者 赵嘉学 王军生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期690-694,共5页
在一个孪生靶实验装置上进行了中频反应磁控溅射沉积TiO2薄膜的工艺实验。得到了一组真实的反应溅射TiO2薄膜的沉积速率和真空与反应气体流量之间关系的迟滞曲线(无等离子体发射监控系统Plasma Emission Monitoring,PEM)参与。介绍了PE... 在一个孪生靶实验装置上进行了中频反应磁控溅射沉积TiO2薄膜的工艺实验。得到了一组真实的反应溅射TiO2薄膜的沉积速率和真空与反应气体流量之间关系的迟滞曲线(无等离子体发射监控系统Plasma Emission Monitoring,PEM)参与。介绍了PEM参与下的反应溅射TiO2的一些实验现象和结果,此时TiO2的沉积速率与PEM设定值呈很好的线性关系,反应溅射可以稳定在过渡态的任一工作点。设定值是PEM控制系统最关键的参数,直接决定着控制的可靠性、反应溅射速率以及薄膜的微观结构。结果表明,为了得到标准化学配比的反应物,PEM的设定值不能超过某个极限值。要在保证化学配比也就是反应物的成分或结构的前提下提高沉积速率才有意义。 展开更多
关键词 等离子体发射监控系统 中频孪生靶反应溅射 迟滞曲线 设定值
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磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究 被引量:5
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作者 陈文革 张剑 +1 位作者 熊斐 邵菲 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期42-45,共4页
采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8~1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀... 采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8~1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想。 展开更多
关键词 W-Cu薄膜 磁控溅射 单靶 双靶
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用RF磁控溅射法制备锂氮共掺p型氧化锌 被引量:1
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作者 刘力 郭秀芝 赵婷婷 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期667-671,共5页
采用RF磁控溅射技术,以掺杂氮化锂的氧化锌陶瓷为靶材,用不同物质的量比的高纯氩气和氧气混合气体为溅射气体,在石英衬底上生长锂氮共掺氧化锌薄膜,并在600℃真空热退火30min,研究生长气氛对锂氮共掺氧化锌导电类型、晶体结构与低温光... 采用RF磁控溅射技术,以掺杂氮化锂的氧化锌陶瓷为靶材,用不同物质的量比的高纯氩气和氧气混合气体为溅射气体,在石英衬底上生长锂氮共掺氧化锌薄膜,并在600℃真空热退火30min,研究生长气氛对锂氮共掺氧化锌导电类型、晶体结构与低温光致发光的影响规律和机制.结果表明,当以n(氩气):n(氧气)=60的混合气体为溅射气体时,可得到稳定的p型锂氮共掺氧化锌薄膜.X射线衍射谱表明,样品具有高度的c轴择优取向.由变温光致发光分析可知,该薄膜的p型导电来源于LiZn受主缺陷,其光学受主能级位于价带顶131.6meV处. 展开更多
关键词 RF磁控溅射 锂氮共掺 氧化锌 半导体
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在19.5nm处高反在30.4nm处抑制的双功能薄膜
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作者 蒋励 王晓强 +5 位作者 谭默言 黄秋实 李浩川 周斯卡 朱京涛 王占山 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1299-1302,共4页
研究了极紫外波段的双功能光学元件。采用周期膜叠加的思想,运用遗传方法优化设计了在19.5 nm处高反,在30.4 nm处抑制的双功能多层膜。采用磁控溅射技术制备了多层膜,利用X射线衍射仪测试了多层膜的结构,在国家同步辐射实验室测试了双... 研究了极紫外波段的双功能光学元件。采用周期膜叠加的思想,运用遗传方法优化设计了在19.5 nm处高反,在30.4 nm处抑制的双功能多层膜。采用磁控溅射技术制备了多层膜,利用X射线衍射仪测试了多层膜的结构,在国家同步辐射实验室测试了双功能多层膜的反射特性。结果表明:制备出的双功能膜性能与设计相符,在入射角13,°19.5 nm处的反射率达到33.3%,接近传统的19.5 nm周期高反膜的反射率,并且在30.4 nm附近将反射率由1.1%降到9.6×10-4。 展开更多
关键词 双功能 多层膜 极紫外 直流磁控溅射 同步辐射
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基于单片机控制的焊接磁控装置研制
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作者 周拨云 赵宇 +2 位作者 王德彪 李英顺 常云龙 《电焊机》 北大核心 2012年第11期49-53,共5页
针对CO2焊接过程中飞溅大、成型差,TIG焊中熔深浅、效率低等问题,开发了一种新型的焊接磁控装置,其主电路采用全桥式双逆变结构,并利用软启动电路防止浪涌电流,保护功率开关管;采用MSP430F449单片机产生一次和二次逆变的数字信号实现PW... 针对CO2焊接过程中飞溅大、成型差,TIG焊中熔深浅、效率低等问题,开发了一种新型的焊接磁控装置,其主电路采用全桥式双逆变结构,并利用软启动电路防止浪涌电流,保护功率开关管;采用MSP430F449单片机产生一次和二次逆变的数字信号实现PWM控制以及整机的过电流、过热保护等功能,大幅提高设备的稳定性。实验表明该电磁搅拌装置具有调节方便、电磁干扰小、波形一致性好、励磁电流调节精度高等特点,可广泛应用于TIG焊、MIG焊、CO2气体保护焊等多种焊接方法的电磁控制。 展开更多
关键词 单片机 磁控装置 双逆变 磁场
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基于IGBT的时分N倍频中频溅射电源的研究
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作者 李成春 于翠华 李江 《真空》 CAS 2017年第3期41-43,共3页
本文重点叙述时分制N倍频技术在磁控溅射中频电源中的应用,文中讨论了以往中频电源技术发展中的短板与瓶颈,今后采用IGBT时分制N倍频技术可以大幅度提高电源的工作频率、输出功率以及整机的可靠性,不失为一前瞻性技术。本文推出的主电... 本文重点叙述时分制N倍频技术在磁控溅射中频电源中的应用,文中讨论了以往中频电源技术发展中的短板与瓶颈,今后采用IGBT时分制N倍频技术可以大幅度提高电源的工作频率、输出功率以及整机的可靠性,不失为一前瞻性技术。本文推出的主电路拓扑及其控制系统可做研发时的基础电路以供读者参考。最后制出一款样机,旨在验证其原理的可行性,其技术性能已达到原设计要求。 展开更多
关键词 时分制N倍频 磁控溅射中频电源
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纳米CrN_(x)涂层相组成、结构及力学性能研究
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作者 李玉阁 陈昌隆 +1 位作者 刘伟阳 雷明凯 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期989-998,共10页
采用高功率调制脉冲磁控溅射(modulated pulsed power magnetron sputtering,MPPMS)和脉冲直流磁控溅射(pulsed direct current magnetron sputtering,PDCMS)复合沉积CrN_(x)涂层,通过调节氮气流量比及溅射功率,研究了氮气/氩气流量比、... 采用高功率调制脉冲磁控溅射(modulated pulsed power magnetron sputtering,MPPMS)和脉冲直流磁控溅射(pulsed direct current magnetron sputtering,PDCMS)复合沉积CrN_(x)涂层,通过调节氮气流量比及溅射功率,研究了氮气/氩气流量比、PDCMS溅射功率及MPPMS溅射功率等工艺参数对CrN_(x)涂层成分、相组成、微结构和力学性能的影响。通过电子探针(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、纳米压痕仪及维氏硬度计等,分别对CrN_(x)涂层的成分、相组成、微结构、形貌、硬度及断裂韧性等进行表征。结果表明,当PDCMS溅射功率从700 W增加到1000 W,MPPMS峰值功率增加43.5%,涂层中Cr含量(原子分数)由61.0%增加到65.4%,N含量由39.0%减少到34.6%,而CrN_(x)涂层主要由Cr_(2)N相组成。随着溅射功率的增大,CrN_(x)涂层硬度变化不大,均在20 GPa左右,而涂层的致密性和断裂韧性均得到明显提升。流量比由15%增加至50%,MPPMS的峰值电流和峰值功率均先减小后增大,涂层的物相逐渐由Cr_(2)N向CrN转变。当氮气流量比为35%时,CrN_(x)涂层由Cr_(2)N和CrN两相组成,受两相结构的影响,CrN_(x)涂层的硬度值、残余压应力值和断裂韧性值均达到最大值,分别为20.1 GPa、-901.8 MPa和6.5 MPa·m1/2。电子温度应为CrN_(x)涂层相结构变化的主要驱动力,致密性和两相结构是影响CrN_(x)涂层断裂韧性的主要原因。 展开更多
关键词 高功率调制脉冲磁控溅射 双靶共溅射沉积 CrN_(x)涂层 两相结构 断裂韧性
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双脉冲磁控溅射峰值靶电流密度对TiN薄膜结构与力学性能的影响 被引量:3
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作者 时惠英 杨超 +2 位作者 蒋百灵 黄蓓 王迪 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期927-934,共8页
自主研发了双脉冲磁控溅射技术,提出在一个脉冲周期内电流呈阶梯式上升的双脉冲电场设计理念,通过对2个脉冲阶段持续时间和峰值靶电流密度的调配,既满足提高镀料粒子动能与离化率以制备高性能薄膜的工艺要求,又达到增加脉冲持续时间以... 自主研发了双脉冲磁控溅射技术,提出在一个脉冲周期内电流呈阶梯式上升的双脉冲电场设计理念,通过对2个脉冲阶段持续时间和峰值靶电流密度的调配,既满足提高镀料粒子动能与离化率以制备高性能薄膜的工艺要求,又达到增加脉冲持续时间以提高薄膜沉积速率的效能目标。采用双脉冲磁控溅射技术,在后期脉冲阶段的不同峰值靶电流密度下制备4组TiN薄膜,研究了峰值靶电流密度对薄膜微观结构和力学性能的影响。结果表明,将峰值靶电流密度提高至0.87 A/cm^2时,所制备的TiN薄膜呈现出颗粒细小且致密的组织,平均晶粒尺寸为17 nm。同时,薄膜的显微硬度和膜基结合力可分别达29.5 GPa和30.0 N。 展开更多
关键词 TIN薄膜 双脉冲磁控溅射技术 双脉冲电场 峰值靶电流密度 力学性能
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磁控溅射Ti靶表面粒子溅射模式的机制研究 被引量:2
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作者 杨超 郝娟 +1 位作者 蒋百灵 王戎 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期3276-3281,共6页
利用自主研发的双级脉冲电场,通过分别调控2个脉冲阶段的电场参量引发阴极靶面气体放电由辉光向弧光转变,借助弧光放电产生的高密度等离子体,增强靶面氩离子的碰撞动能和金属靶材产生的焦耳热,诱发靶面粒子以高离化率、高产额的热发射... 利用自主研发的双级脉冲电场,通过分别调控2个脉冲阶段的电场参量引发阴极靶面气体放电由辉光向弧光转变,借助弧光放电产生的高密度等离子体,增强靶面氩离子的碰撞动能和金属靶材产生的焦耳热,诱发靶面粒子以高离化率、高产额的热发射方式离开靶材。结果表明:在持续提高铜靶和钛靶的靶电流密度时,阴极靶材与阳极腔体间的伏安特性会由正比例的递增关系转变为反比例的递减关系,说明气体放电会由辉光放电向弧光放电转变,并以此诱发靶面粒子由碰撞溅射方式转变为溅射加热发射方式离开靶材。实验以钛靶作为研究对象,采用双级脉冲电场在提高钛靶电流密度时,靶面形貌由具有阶梯状直线条纹的多边形凹坑结构转变为具有阶梯状直线条纹的多边形凹坑和水流波纹状的圆形凹坑的混合结构,说明此时靶面粒子的溅射方式除典型的碰撞溅射外,已逐渐向溅射加热发射双重方式转变,薄膜的沉积速率也由6 nm/min大幅增大至26 nm/min。 展开更多
关键词 磁控溅射 弧光放电 热发射 双级脉冲电场
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双级高功率脉冲磁控溅射N_(2)流量对TiN镀层结构及性能的影响
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作者 郝娟 杨超 +5 位作者 丁郁航 张静 王旭 杜玉洲 马丽 蒋百灵 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期4109-4116,共8页
研究提出一种新型的双级高功率脉冲磁控溅射技术,通过合理调配双级脉冲电场参数在不同N_(2)流量条件下制备了TiN镀层并对其微观结构及性能进行分析。结果表明,随着N_(2)流量由10 mL/min逐渐增加至40 mL/min时,TiN镀层的择优取向由(111)... 研究提出一种新型的双级高功率脉冲磁控溅射技术,通过合理调配双级脉冲电场参数在不同N_(2)流量条件下制备了TiN镀层并对其微观结构及性能进行分析。结果表明,随着N_(2)流量由10 mL/min逐渐增加至40 mL/min时,TiN镀层的择优取向由(111)晶面逐渐转变为(220)晶面、表面形貌由多方向棱角的锥状结构转变为紧密结合的圆胞状结构,镀层均呈现柱状晶的生长方式且平均晶粒尺寸为纳米级,当氮气流量为20 mL/min时镀层N/Ti原子比最接近标准值1,镀层组织结构最为致密且具有最优的力学性能和膜基结合性能;同时,利用新型的双级高功率脉冲磁控溅射技术可有效改善传统高功率脉冲磁控溅射平均沉积速率较低的技术缺憾,当N_(2)流量为20 mL/min时可达到46.35 nm/min。 展开更多
关键词 双级 高功率脉冲磁控溅射 N2流量 TIN镀层
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双脉冲HiPIMS放电特性及CrN薄膜高速率沉积 被引量:6
17
作者 吴厚朴 田修波 +1 位作者 张新宇 巩春志 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期299-307,共9页
提出了一种新型的高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术,即放电由脉宽短、电压高的引燃脉冲和脉宽长、电压低的工作脉冲2部分组成的双脉冲高功率脉冲磁控溅射技术,目的是解决传统高功率脉冲磁控溅射沉积速率低的问题。研究了引燃脉冲电压及... 提出了一种新型的高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术,即放电由脉宽短、电压高的引燃脉冲和脉宽长、电压低的工作脉冲2部分组成的双脉冲高功率脉冲磁控溅射技术,目的是解决传统高功率脉冲磁控溅射沉积速率低的问题。研究了引燃脉冲电压及传统高功率脉冲磁控溅射条件对Cr靶在Ar气气氛下的放电特性的影响,并制备CrN薄膜。结果表明:随着引燃脉冲电压的施加,双脉冲高功率脉冲磁控溅射Cr靶放电瞬间建立,并获得较高的峰值电流,而传统HiPIMS模式的输出是渐渐爬升的三角波电流;与传统高功率脉冲磁控溅射相比,单位功率下双脉冲高功率脉冲磁控溅射具有更高的基体电流积分以及更多的Ar^+和Cr^0数量;引燃脉冲电压为590 V时,双脉冲高功率脉冲磁控溅射单位功率下CrN薄膜沉积速率为2.52μm/(h·kW),比传统高功率脉冲磁控溅射提高近3倍。 展开更多
关键词 双脉冲高功率脉冲磁控溅射 引燃脉冲 放电特性 CRN薄膜
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磁控溅射阴极靶的伏安特性对Ti薄膜结构及性能影响 被引量:1
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作者 王迪 蒋百灵 +1 位作者 杨超 黄蓓 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期183-186,共4页
通过在不同的磁控溅射阴极靶电源供给模式下制备纯Ti薄膜,并采用扫描电镜、X射线衍射、纳米压痕仪及微划痕试验等表征方法对比研究了阴极靶在不同电场模式下对Ti薄膜微观结构、相组成、显微硬度及膜基结合强度的影响。结果表明:相对于... 通过在不同的磁控溅射阴极靶电源供给模式下制备纯Ti薄膜,并采用扫描电镜、X射线衍射、纳米压痕仪及微划痕试验等表征方法对比研究了阴极靶在不同电场模式下对Ti薄膜微观结构、相组成、显微硬度及膜基结合强度的影响。结果表明:相对于直流电场和高功率脉冲电场,通过双脉冲电场模式所制备的纯Ti薄膜具有纳米多晶结构,其晶粒尺寸为17 nm,组织致密,硬度和弹性模量分别达到了3.5 GPa和123 GPa,并且显著提高了与膜基的结合强度。 展开更多
关键词 磁控溅射离子镀 热电子发射 离化率 双脉冲电场
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