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半导体器件测试系统中的校准策略分析
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作者 周智芳 《集成电路应用》 2024年第3期60-61,共2页
阐述电子器件测试中的准确度与稳定性、高效性与自动化的问题及原因。针对测试准确度与稳定性问题,提出仪器校准和标定策略优化、噪声抑制和信号增强方法引入的解决措施。针对高效性与自动化问题,提出并行测试技术应用、自动化脚本编写... 阐述电子器件测试中的准确度与稳定性、高效性与自动化的问题及原因。针对测试准确度与稳定性问题,提出仪器校准和标定策略优化、噪声抑制和信号增强方法引入的解决措施。针对高效性与自动化问题,提出并行测试技术应用、自动化脚本编写和远程控制策略优化的解决措施。 展开更多
关键词 集成电路 电子器件 测试技术 测试准确度
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Flip Chip技术在集成电路封装中的应用
2
作者 黄家友 《集成电路应用》 2024年第3期56-57,共2页
阐述从集成电路封装发展现状、Flip Chip技术内涵、Flip Chip技术在集成电路封装中的应用剖析、市场发展展望等多个角度,探讨在集成电路封装中,应用Flip Chip技术的必要性和重要性。
关键词 集成电路 Flip Chip技术 电子器件封装
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电子技术的发展与纳米电子技术 被引量:2
3
作者 肖甘 《成都纺织高等专科学校学报》 CAS 2000年第1期43-46,50,共5页
对电子技术的发展历程作了简要回顾,介绍了IC近年来设计和工艺技术上的进步,阐述了微电子器件遇到的问题和纳米电子科学技术的背景,展望了纳电子技术的未来发展。
关键词 电子器件 集成电路 微电子技术 纳米电子技术
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微电子技术向纳电子技术的进化
4
作者 张煦 《光通信技术》 CSCD 1993年第3期129-136,共8页
本文先扼要回顾电子技术的进展历程,从晶体管至微电子集成电路,并引伸至光电子器件,近来又有倾向从微米尺度缩小至纳米尺度,即从微电子技术向纳电子技术进化。文中估测大规模集成电路发展遇到的极限,又说明光电子器件激光管和开关管及... 本文先扼要回顾电子技术的进展历程,从晶体管至微电子集成电路,并引伸至光电子器件,近来又有倾向从微米尺度缩小至纳米尺度,即从微电子技术向纳电子技术进化。文中估测大规模集成电路发展遇到的极限,又说明光电子器件激光管和开关管及集成的现状和趋向,以及超级计算机硅和砷化镓集成芯片的现状和推测。最后,简单叙述微加工技术现状和纳加工技术的开端,包括薄膜形成、版图制备、刻蚀工艺和测试仪器等技术,从而看出纳电子技术有可能开始起步。 展开更多
关键词 微电子技术 纳电子技术 光电子器件
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由半导体微电子技术引起的两次电子革命 被引量:4
5
作者 陈星弼 《电子科技大学学报(社科版)》 2000年第2期20-25,共6页
本文简述了引起第一次电子革命的半导体集成电路的发展及将要引起第二次电子革命的半导体功率器件及功率集成电路的发展。
关键词 半导体微电子技术 半导体集成电路 半导体功率器件及功率集成电路 电子革命
全文增补中
与硅基技术兼容的二维过渡金属硫族化合物电子器件
6
作者 耿宇 陈超 +3 位作者 陈匡磊 张先坤 张铮 张跃 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期1906-1922,共17页
作为现代信息社会的物理基石,以硅基材料为核心的集成电路极大推动了人类现代文明的进程.但是,随着晶体管特征尺寸微缩逐渐接近物理极限,传统硅基材料出现了电学性能衰退、异质界面失稳等挑战,导致集成电路数据处理能力提升难、功耗急... 作为现代信息社会的物理基石,以硅基材料为核心的集成电路极大推动了人类现代文明的进程.但是,随着晶体管特征尺寸微缩逐渐接近物理极限,传统硅基材料出现了电学性能衰退、异质界面失稳等挑战,导致集成电路数据处理能力提升难、功耗急剧增加等问题产生.超薄二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides,TMDCs)具有表面平整无悬挂键、电输运性能优异、静电控制力强、化学性质稳定等优势,可有效解决上述问题,被认为是后摩尔时代集成电路的最具潜力候选材料之一.目前,二维TMDCs集成电路研究在多个关键领域均取得了突破性成果,但距离产业化应用仍需要克服一些挑战.本文着重介绍了二维TMDCs材料与电子器件在集成电路应用的各方面优势,系统阐明了二维TMDCs集成电路在材料控制生长、范德华界面优化以及器件设计构筑等方面的关键科学问题,提出了相应解决办法和应对措施,分析了二维TMDCs集成电路产业化进程中的综合性挑战,明确了“与硅基技术兼容”二维TMDCs集成电路发展路线的优势、可行性与突破方向. 展开更多
关键词 集成电路 二维过渡金属硫族化合物 电子器件 与硅基技术兼容
原文传递
超低功耗集成电路技术 被引量:15
7
作者 张兴 杜刚 +1 位作者 王源 刘晓彦 《中国科学:信息科学》 CSCD 2012年第12期1544-1558,共15页
集成电路技术遵循摩尔定律发展进入了纳米尺度,功耗带来的挑战日益突出,已经成为制约集成电路发展的瓶颈问题.微电子技术的发展已经进入了"功耗限制"的时代,功耗成为集成电路设计和制备中的核心问题.降低功耗有可能替代原来... 集成电路技术遵循摩尔定律发展进入了纳米尺度,功耗带来的挑战日益突出,已经成为制约集成电路发展的瓶颈问题.微电子技术的发展已经进入了"功耗限制"的时代,功耗成为集成电路设计和制备中的核心问题.降低功耗有可能替代原来提高集成度、缩小器件尺寸成为未来集成电路发展的驱动力.低功耗集成电路的实现是一项综合的工程,需要同时考虑器件、电路和系统的功耗优化,需要在性能和功耗之间进行折中.随着集成电路进入纳米尺度,适于低功耗应用的CMOS技术平台由于MOSFET泄漏导致的电流增大、寄生效应严重等问题愈发突出.目前的许多低功耗技术成为了"治标"的解决方案,难以从根本上解决集成电路发展中遇到的"功耗限制"问题,一定程度上影响了纳米尺度集成电路的可持续发展.本文在深入分析影响集成电路功耗的各个方面的基础上,介绍了超低功耗集成电路的工艺、器件结构以及设计技术. 展开更多
关键词 微电子器件 集成电路设计 集成电路工艺 功耗分析 低功耗
原文传递
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