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题名不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性
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作者
张之壤
朱慧
刘行
张轶群
徐朝
郑文轩
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机构
北京工业大学信息学部新型半导体器件与可靠性实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第6期589-595,共7页
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基金
国家自然科学基金(62374012)。
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文摘
为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱,并对其产生的新陷阱进行定位,分析了产生陷阱的内在机理。结果表明,在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件,其电学参数变化最大,自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO2界面处和栅氧化层中的陷阱增多,而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。
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关键词
柔性低温多晶硅薄膜晶体管(ltps
tft)
自热效应
热载流子效应
瞬态电流
强电场直流应力
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Keywords
flexible low-temperature polysilicon thin film transistor(ltps tft)
self-heating effect
hot carrier effect
transient current
strong electric field DC stress
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性
被引量：2
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作者
岳致富
吴勇
李喜峰
杨祥
姜姝
许云龙
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机构
上海大学材料科学与工程学院
上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
上海天马微电子有限公司
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第9期1205-1209,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863)(2015AA033406)
上海科学技术委员会项目(16JC1400602)资助~~
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文摘
研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。
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关键词
柔性
低温多晶硅薄膜晶体管
低温多晶硅
弯曲
稳定性
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Keywords
flexible
thin-film transistors
ltps-tft
bending
stability
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分类号
TN321
[电子电信—物理电子学]
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