用于制备金属超微粒子-有机薄膜的离子团束(ICB)镀-飞行时间质谱(TOFMS)系统

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作者 高鸿钧 刘惟敏 +3 位作者 赵兴珏 于洪滨 薛增泉 肖桂里 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第3期204-210,共7页

本文描述了离子团束(ICB)镀薄膜装置与飞行时间质谱计(TOFMS)联合系统的研制,此系统不仅可以制备无机材料和有机聚合物薄膜而且还能制备金属超微粒子-有机聚合物薄膜。用TOFMS可对ICB镀的成膜过程进行原位分析和监控。对该系统中TOFMS... 本文描述了离子团束(ICB)镀薄膜装置与飞行时间质谱计(TOFMS)联合系统的研制,此系统不仅可以制备无机材料和有机聚合物薄膜而且还能制备金属超微粒子-有机聚合物薄膜。用TOFMS可对ICB镀的成膜过程进行原位分析和监控。对该系统中TOFMS部分的分辨本领和灵敏度进行了测试:选定质荷比为149的谱峰,得到该质谱计的分辨本领为165;该质谱计对Ar^(40)的最小可检分压强为4.0×10^(-6)Pa。本文也给出了ICB沉积聚乙烯薄膜的飞行时间质谱及其初步分析。 展开更多

关键词 icb TOFMS 金属超微粒子 薄膜

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Si基的RICBD法生长GaN薄膜 被引量：2

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作者 蔡先体 黄启俊 +3 位作者 黄浩 孟宪权 郭怀喜 范湘军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期26-30,共5页

讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。

关键词 反应离化团簇束沉积 氮化钙薄膜 硅基

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反应离化团束（RICB）法生长CN硬质薄膜 被引量：1

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作者 谢俊清 冯嘉猷 郑毅 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1996年第5期525-528,共4页

用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ—Ｎ薄膜。透射电子衍射（ＴＥＭ）分析表明薄膜中含有β—Ｃ３Ｎ４晶粒，Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和... 用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ—Ｎ薄膜。透射电子衍射（ＴＥＭ）分析表明薄膜中含有β—Ｃ３Ｎ４晶粒，Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和红外吸收谱（ＩＲ）表明薄膜中存在Ｃ、Ｎ原子的化学键合。 展开更多

关键词 离化团束 C-N薄膜 薄膜

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晶态有机聚合物薄膜的制备和结构特性的研究

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作者 高鸿钧 刘惟敏 薛增泉 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期57-64,共8页

本文研究了用离子团束(ICB)方法制备聚乙烯薄膜;用透射电子显微镜(TEM)和扫描隧道显微镜(STM)分析了聚乙烯样品,结果表明:用ICB技术制备的薄膜厚度较均匀,表面较平整,表面和界面的杂质、缺陷较少,在一定条件下可得到结晶极为完善的聚乙... 本文研究了用离子团束(ICB)方法制备聚乙烯薄膜;用透射电子显微镜(TEM)和扫描隧道显微镜(STM)分析了聚乙烯样品,结果表明:用ICB技术制备的薄膜厚度较均匀,表面较平整,表面和界面的杂质、缺陷较少,在一定条件下可得到结晶极为完善的聚乙烯薄膜,晶片的最大尺寸为几十微米;发现了在聚合物中存在长周期结构;用STM发现了晶态聚乙烯薄膜表面的分子链折叠结构;用TEM得到了聚乙烯薄膜的晶格条纹像;发现了聚乙烯薄膜结构受单晶云母结构的极大调制,得到了大面积的相干Moire条纹像。对以上结果,均给出了分析和讨论。 展开更多

关键词 聚乙烯 薄膜 离子团束 晶态

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离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜

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作者 杨种田 柯贤文 +2 位作者 刘传胜 郭立平 付德君 《武汉大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期333-336,共4页

为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束(ICB)法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了... 为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束(ICB)法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1∶1,成膜质量好. 展开更多

关键词 离化团簇束技术 Hall离子源 ZNO薄膜

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C_4H_2等离子体放电产生的中性碳氢团簇(C_nH_m)分子束质谱表征

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作者 刘伟 刘佳宏 李雪春 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期799-802,共4页

利用分子束飞行时间质谱和激光电离技术研究C4H2等离子体放电过程产生的中性碳氢团簇(CnHm)的质谱分布、稳定结构和形成机理.实验结果显示,碳氢团簇的质谱峰分布与其所含碳原子的个数有关,当碳原子的个数小于等于8时,偶数碳的碳氢团簇... 利用分子束飞行时间质谱和激光电离技术研究C4H2等离子体放电过程产生的中性碳氢团簇(CnHm)的质谱分布、稳定结构和形成机理.实验结果显示,碳氢团簇的质谱峰分布与其所含碳原子的个数有关,当碳原子的个数小于等于8时,偶数碳的碳氢团簇由于共轭效应的影响,其稳定性和质谱峰的强度均大于奇数碳的碳氢团簇;当碳原子的个数大于等于9时,出现偶数和奇数碳氢团簇的相间分布,奇数碳的碳氢团簇的质谱峰强度大于与其相邻的两个偶数碳的碳氢团簇的;当碳原子的个数为6、8、9～15、17时,CnH3出现较强的质谱峰,这与其具有较低电离能有关.随着碳原子个数的增加,碳氢团簇质谱峰的强度总体呈现减弱趋势,这说明碳氢团簇的形成机理可能以碳原子分步加成为主. 展开更多

关键词 C4H2 等离子体放电 碳氢团簇 激光电离 分子束飞行时间质谱

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一个高密度连续射流团簇离子束源

7

作者 孙福革 朱清时 Sare P.J. 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1997年第4期289-294,共6页

根据在喷嘴出口附近用电子枪来电离产生离子种子，在射流中形成连续、高密度的团簇离子束的设计思想，建造了连续的团簇离子束源。探索并优化了影响团簇离子束质量的因素，如电子枪的位置、滤束器的结构、滤束器与喷嘴间的距离等。初步... 根据在喷嘴出口附近用电子枪来电离产生离子种子，在射流中形成连续、高密度的团簇离子束的设计思想，建造了连续的团簇离子束源。探索并优化了影响团簇离子束质量的因素，如电子枪的位置、滤束器的结构、滤束器与喷嘴间的距离等。初步研究了进气配比对氮氩团簇离子形成的影响。以氩气作载体，适量的氮气，有于Ａｒ－Ｎ＋２的形成。 展开更多

关键词 射流 快离子束 团簇离子束源 氮氩团簇离子

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C_(60)薄膜的离化团簇束沉积及离子掺杂

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作者 傅德君 雷园园 +3 位作者 李金钗 叶明生 彭友贵 范湘军 《武汉大学学报（自然科学版）》 CSCD 1998年第3期347-350,共4页

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜，ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构，原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０４Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数．用８０ｋｅＶＰ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６... 用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜，ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构，原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０４Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数．用８０ｋｅＶＰ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０～１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降，磷注入具有ｎ型掺杂作用，离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂，引起薄膜表面非晶化． 展开更多

关键词 离化团簇束沉积 离子注入 原位测试 碳60 薄膜

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反应离化团束沉积技术及其在薄膜制备中的应用

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作者 王琼 张观明 《半导体杂志》 1998年第2期43-48,共6页

反应离化团束沉积技术是在离化团束沉积技术基础上加入了反应材料。本文讨论了簇团的产生、离化、加速，成膜的机制，及其在薄膜制备中的应用。

关键词 R-icbD 离化团束沉积 薄膜 制备

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离化团束装置中的电场分布近似计算

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作者 蔡纯 《真空与低温》 1994年第1期33-37,共5页

离化团束装置中的一个重要组成部分就是有一个可调的加速场。工艺上的特点增加了沉积材料的原子在基底表面的迁徙和膜在基底表面的粘附力。重点介绍设计的离化团束装置的加速电场的数值计算分析。在不增加投资的情况下，优选出一种实用... 离化团束装置中的一个重要组成部分就是有一个可调的加速场。工艺上的特点增加了沉积材料的原子在基底表面的迁徙和膜在基底表面的粘附力。重点介绍设计的离化团束装置的加速电场的数值计算分析。在不增加投资的情况下，优选出一种实用的、可行的离化团束装置。 展开更多

关键词 离化团束 数值计算 电场分布 真空镀膜

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离化团束沉积中的分子动力学模拟 被引量：2

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作者 张豪 夏宗宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期83-87,共5页

离化团束沉积是一种可在室温条件下获得高质量薄膜甚至单晶膜的沉积方法。本文对这种沉积方法的原理、装置及主要应用做了简要的介绍。由于沉积过程还存在大量未解决的问题，所以分子动力学模拟逐渐成为研究它们的有力手段。作者考察了... 离化团束沉积是一种可在室温条件下获得高质量薄膜甚至单晶膜的沉积方法。本文对这种沉积方法的原理、装置及主要应用做了简要的介绍。由于沉积过程还存在大量未解决的问题，所以分子动力学模拟逐渐成为研究它们的有力手段。作者考察了近年来分子动力学模拟在这一领域的应用，着重介绍和讨论了模型的建立、势能及参数的选择，模拟存在的问题及今后工作的重点。 展开更多

关键词 离化团束沉积 薄膜 分子动力学模拟

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反应离化簇团束制备氮化镓薄膜 被引量：1

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作者 黄浩 孟宪权 +2 位作者 王琼 郭怀喜 范湘军 《武汉大学学报（自然科学版）》 CSCD 1999年第5期604-606,共3页

根据离化簇团束的基本性质与原理，运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜．透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测定结果表明，已经形成了Ｇａ—Ｎ 化学键，氮、镓原... 根据离化簇团束的基本性质与原理，运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜．透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测定结果表明，已经形成了Ｇａ—Ｎ 化学键，氮、镓原子比接近１∶１，说明反应气体离化簇团技术是一条在较低温度下制备氮化镓薄膜的可行的技术途径．薄膜中含有少量氧化镓，通过多组数据的比较发现，增加氮气的离化率有助于减少薄膜中的氧含量． 展开更多

关键词 氮化镓 离化簇团束 薄膜 制备

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离子-C_(60)相互作用及其对C_(60)/Si异质结光电特性的影响

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作者 雷园园 傅德君 +3 位作者 李金钗 郭怀喜 叶明生 范湘军 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期49-54,共6页

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ６０薄膜。ＸＲＤ测试表明，膜呈多晶结构；原位电阻测试表明，膜的室温电阻率超过１０３Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶｐ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０... 用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ６０薄膜。ＸＲＤ测试表明，膜呈多晶结构；原位电阻测试表明，膜的室温电阻率超过１０３Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶｐ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０—１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量的增加而下降，ｐ＋注入使膜呈ｎ型电导，离子与Ｃ６０团簇的相互作用导致Ｃ６０分裂，并使膜表面非晶化。在沉积过程中溅射掺Ａｌ得到ｐ型Ｃ６０膜。Ｃ６０／Ｓｉ样品具有明显的异质结特性，光照对结特性有明显响应。 展开更多

关键词 离化团簇束沉积 光电性质 碳60/硅 异质结

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在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜

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作者 张芳伟 冯嘉猷 +1 位作者 郑毅 范毓殿 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第6期405-410,共6页

ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料，用于制作发光器件有较大的应用前景，采用单源喷发、离化原子团束（ICB）技术在GaAs（100）上外延ZnSe单晶薄膜，并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和... ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料，用于制作发光器件有较大的应用前景，采用单源喷发、离化原子团束（ICB）技术在GaAs（100）上外延ZnSe单晶薄膜，并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s，并具有原子水平平整程度的ZnSe（100）单晶薄膜。外延薄膜存在0．2～0．4μm的应变过渡层，过渡层随淀积能量的增大而变薄。 展开更多

关键词 硒化锌 薄膜沉积 外延 离化团束

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ICB 淀积 Sb,Pb 的薄膜结构

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作者 和志刚 冯嘉猷 +2 位作者 汤海鹏 范玉殿 李恒德 《材料科学进展》 CSCD 1989年第5期419-424,共6页

本文用离化原子团束工艺淀积 Sb 和 Pb 薄膜,系统研究了各淀积参数对薄膜晶粒取向度等结构特性的影响,并测定了 Pb 原子团束的原子团大小和离化率,讨论了薄膜结构的形成机理.

关键词 薄膜 薄膜结构 离化原子团束 工艺

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碳氮化合物硬质薄膜的结构与摩擦性能 被引量：1

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作者 邹向荣 谢俊清 冯嘉猷 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期13-15,共3页

碳氮化合物（ＣＮ）是经理论预测的、硬度有可能超过金刚石的非天然共价化合物。该文使用反应离化团束（ＲＩＣＢ）方法，以低分子量聚乙烯为蒸发源材料，氮气为反应气体，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣＮ薄膜。用激光喇曼（Ｒａ－ｍ... 碳氮化合物（ＣＮ）是经理论预测的、硬度有可能超过金刚石的非天然共价化合物。该文使用反应离化团束（ＲＩＣＢ）方法，以低分子量聚乙烯为蒸发源材料，氮气为反应气体，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣＮ薄膜。用激光喇曼（Ｒａ－ｍａｎ）散射分析了薄膜中的成键情况。结果表明，当氮气分压为１３．３ｍＰａ时，在波数１２４８ｃｍ－１附近出现源于共价Ｎ—Ｃ单键的喇曼峰，而且该峰强度随氮气分压的增加而增加。这个结果与Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析结果是一致的。硬度测定结果表明，生长的ＣＮ薄膜的努氏显微硬度最高可达６１ＧＰａ。在无润滑条件下进行滑动摩擦试验，测得的摩擦因数最低为～０．０８。 展开更多

关键词 摩擦因数 碳氮化合物 硬质薄膜

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离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜 被引量：3

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作者 张芳伟 冯嘉猷 +1 位作者 郑毅 范毓殿 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期96-99,共4页

本文报道了用离化原子团束（ＩＣＢ）技术在ＧａＡｓ（１００）上外延ＺｎＳｅ单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和ＲＨＥＥＤ研究了外延ＺｎＳｅ单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线... 本文报道了用离化原子团束（ＩＣＢ）技术在ＧａＡｓ（１００）上外延ＺｎＳｅ单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和ＲＨＥＥＤ研究了外延ＺｎＳｅ单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为１３３＂，并具有原子水平平整程度的ＺｎＳｅ（１００）单晶薄膜。 展开更多

关键词 离化原子团束 外延 硒化锌 单晶 薄膜

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Te原子团的形成研究

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作者 张芳伟 冯嘉猷 +1 位作者 郑毅 范玉殿 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期50-55,共6页

原子团的形成和状态是研究离化原子团淀积（ＩＣＢＤ）机理的首要问题。作者采用一种新的测量方法研究了Ｔｅ在不同蒸发温度下形成的原子团的平均尺寸和尺寸分布。对朗加热温度从６５０Ｋ增大到７９０Ｋ时，Ｔｅ平均原子团尺寸从１０个... 原子团的形成和状态是研究离化原子团淀积（ＩＣＢＤ）机理的首要问题。作者采用一种新的测量方法研究了Ｔｅ在不同蒸发温度下形成的原子团的平均尺寸和尺寸分布。对朗加热温度从６５０Ｋ增大到７９０Ｋ时，Ｔｅ平均原子团尺寸从１０个原子增大到７５个原子。离化电压大于２５０Ｖ时，原子团经过高化区，部分碎裂成小原子团或原子。 展开更多

关键词 碲 薄膜淀积 离化原子团 薄膜生长

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