一种交叉耦合型高CMTI电平移位电路设计

1

作者 赵媛 赵高峰 +3 位作者 郭敏 李瑞静 刘畅 陆佳成 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期388-394,共7页

设计了一种新型交叉耦合结构高共模瞬态抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI)的电平移位电路。采用窄脉冲信号产生电路降低了的整体功耗;在电流控制型比较器的作用下,很大程度上降低了电平移位电路的传输延时;同时设计了辅助动... 设计了一种新型交叉耦合结构高共模瞬态抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI)的电平移位电路。采用窄脉冲信号产生电路降低了的整体功耗;在电流控制型比较器的作用下,很大程度上降低了电平移位电路的传输延时;同时设计了辅助动态电流补偿结构提高电路的CMTI。基于高压0.18μm BCD工艺对电路进行设计与仿真实验,结果表明该电平移位电路的上升和下降延时均小于3.4 ns,CMTI为200 V/ns。 展开更多

关键词 共模瞬态抗扰度 电平移位电路 窄脉冲产生电路 电流比较器 双重互锁单元

原文传递

一种级联H桥多电平逆变器故障诊断方法

2

作者 于晶荣 张刚 +2 位作者 邱均成 王益硕 孙健文 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期119-125,共7页

为了诊断级联H桥多电平逆变器的开关管开路故障,提出一种基于载波层叠调制(LSPWM)技术的故障诊断方法,直接对H桥输出电压、负载电流和驱动信号的输出特性曲线进行分析。当部分驱动信号断开后,相应的电流和电压出现部分缺失和波动,从而... 为了诊断级联H桥多电平逆变器的开关管开路故障,提出一种基于载波层叠调制(LSPWM)技术的故障诊断方法,直接对H桥输出电压、负载电流和驱动信号的输出特性曲线进行分析。当部分驱动信号断开后,相应的电流和电压出现部分缺失和波动,从而推出故障情况下三者之间的对应关系。依据调制波和负载电流的方向,将系统运行分为4种工作模式,并在特定模式下诊断故障。对故障情况下负载电流过零处的特性曲线进行分析,用以识别H桥中对角开关故障。与现有方法相比,该方法扩展基于LSPWM下的故障范围为双管故障,诊断逻辑易于理解且不需要添加额外的硬件电路。通过仿真证明了所提故障诊断方法的正确性和有效性。 展开更多

关键词 级联H桥 多电平逆变器 故障诊断 开路故障 载波层叠调制

下载PDF 职称材料

一种高可靠性三相全桥IGBT驱动电路的设计 被引量：2

3

作者 邢鑫怡 程心 +1 位作者 王柯凡 金超 《自动化与仪表》 2023年第9期1-5,共5页

该文基于X-FAB 1.0μm高压SOI工艺,提出一种适用于600 V高压下的三相全桥IGBT驱动电路,包括输入接口电路、死区时间产生电路、高低压电平位移电路以及其它保护电路。其中针对输入信号可能同时有效的问题,设计了一种可以对输入信号的错... 该文基于X-FAB 1.0μm高压SOI工艺,提出一种适用于600 V高压下的三相全桥IGBT驱动电路,包括输入接口电路、死区时间产生电路、高低压电平位移电路以及其它保护电路。其中针对输入信号可能同时有效的问题,设计了一种可以对输入信号的错误状态进行判断的死区时间产生电路,避免因高、低侧信号同时输入有效电平所造成的错误;高压驱动部分采用一种具有隔离功能的新型电平位移电路,可以减小高低压地电位之间的串扰,有效提高了驱动电路的可靠性。仿真结果表明,高侧浮动电压的范围为0~600 V,能够实现三相高低通路驱动后级的IGBT功率器件,高侧通路电压的输出范围为0~615 V,低侧通路电压的输出范围为0~15 V,驱动电流最大可达0.8 A,高低侧输出信号之间的死区时间为1.2μs,最高工作频率100 kHz。 展开更多

关键词 IGBT驱动电路 三相全桥 SOI工艺 电平位移

下载PDF 职称材料

用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路

4

作者 胡一凡 王勇 +3 位作者 孔瀛 王瑛 彭领 李易昂 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期389-396,402,共9页

高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对... 高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。 展开更多

关键词 GAN 栅极驱动器 高侧供电电路 电压转换速率 电平位移电路

原文传递

一种同步降压型DC-DC转换器驱动电路设计 被引量：4

5

作者 苏丹 胡永贵 徐辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期709-712,717,共5页

设计了一种适用于同步整流降压型DC-DC转换器的驱动电路,包含电平移位、死区时间控制及过零检测等模块。分析了电路整体及各个模块的结构和工作原理,并基于0.35μm BCD工艺模型库,通过Cadence Spectre进行仿真验证。仿真结果表明,本电... 设计了一种适用于同步整流降压型DC-DC转换器的驱动电路,包含电平移位、死区时间控制及过零检测等模块。分析了电路整体及各个模块的结构和工作原理,并基于0.35μm BCD工艺模型库,通过Cadence Spectre进行仿真验证。仿真结果表明,本电路可以有效地控制死区时间,抑制反向电流,提高转换器的效率。 展开更多

关键词 同步整流 驱动电路 电平移位 死区时间 过零检测

原文传递

可控硅移相触发电路的设计 被引量：8

6

作者 金轶锋 《渭南师范学院学报》 2004年第5期19-20,共2页

利用集成电路设计组成可控硅移相触发电路.该移相触发电路克服了双基极管移相触发电路工作要求电压高、体积大、适应面窄、热损耗大之缺陷.且具有体积小、移相范围宽,灵敏度高之特点;不仅可作模块触发电路,更重要的是它可以与不同规格... 利用集成电路设计组成可控硅移相触发电路.该移相触发电路克服了双基极管移相触发电路工作要求电压高、体积大、适应面窄、热损耗大之缺陷.且具有体积小、移相范围宽,灵敏度高之特点;不仅可作模块触发电路,更重要的是它可以与不同规格型号的单个可控硅相配套,电路结构简单,操作方便、安全可靠. 展开更多

关键词 移相触发电路 可控硅 体积 集成电路设计 基极 电路结构 灵敏度 电压 安全可靠 模块

下载PDF 职称材料

一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路 被引量：5

7

作者 张小琴 蔡小五 +4 位作者 曾传滨 闫薇薇 赵海涛 刘海南 罗家俊 《微电子学与计算机》 北大核心 2020年第12期17-21,共5页

基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载开路检测的精度和可靠性,且能实现1 mA^10 mA的低阈值电流检测.... 基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载开路检测的精度和可靠性,且能实现1 mA^10 mA的低阈值电流检测.Cadence Spectre仿真表明,在开路检测阈值电流为3 mA的情况下,检测精度达98%;在电源电压为24 V的情况下,电荷泵输出电压为27.67 V,充电时间为16.89μs,放电时间为20.3μs,此智能高边功率电路开关时间远远小于英飞凌同类型产品100μs左右的开关时间. 展开更多

关键词 智能功率集成电路 驱动电路 电平移位 开路检测

下载PDF 职称材料

一种TN-LCD背电极CMOS驱动电路的设计

8

作者 孙华波 刘聪 +1 位作者 王晓蕾 高明伦 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1264-1267,1291,共5页

基于南科(ACSMC)3 um铝栅N阱CMOS工艺,讨论了一款集成了TN-LCD驱动电路的消费类电子芯片,它的工作电压为1.5 V。文章详细介绍了LCD背电极驱动电路的设计,该驱动电路采用1/2 Duty、1/2Bias的驱动方式,具有电路结构简单、显示质量高和对... 基于南科(ACSMC)3 um铝栅N阱CMOS工艺,讨论了一款集成了TN-LCD驱动电路的消费类电子芯片,它的工作电压为1.5 V。文章详细介绍了LCD背电极驱动电路的设计,该驱动电路采用1/2 Duty、1/2Bias的驱动方式,具有电路结构简单、显示质量高和对比度高等优点;实测结果和Hspice仿真结果均满足设计要求。 展开更多

关键词 向列扭曲液晶显示器 直流-直流 驱动电路 电平移位电路

下载PDF 职称材料

一种应用于高压电机驱动的电平移位电路 被引量：1

9

作者 余瑞容 张启东 《电子科技》 2019年第12期11-16,共6页

针对传统电平移位电路输出电压范围不理想和不稳定的缺点,设计了一种具有高稳定性、低功耗的两级电平移位电路。该电路第一级采用固定偏置电流结构,消除NMOS与PMOS电学参数的依赖性并提高稳定性。通过引入扩宽输出电压范围的第二级电路... 针对传统电平移位电路输出电压范围不理想和不稳定的缺点,设计了一种具有高稳定性、低功耗的两级电平移位电路。该电路第一级采用固定偏置电流结构,消除NMOS与PMOS电学参数的依赖性并提高稳定性。通过引入扩宽输出电压范围的第二级电路结构,为高端PMOS提供可靠的栅驱动电压。仿真结果表明,所设计的电平移位电路实现了低压转高压功能,且输出范围满足高边栅驱动要求。该电路能较好地应用于高压电机驱动电路,实现单极性和双极性两种驱动控制。 展开更多

关键词 电平移位电路 输出电压范围 固定偏置 高压电机驱动 单极性控制 双极性控制

下载PDF 职称材料

基于I2C总线的电池管理系统通信方法

10

作者 王壮鹏 肖兵 +1 位作者 刘落实 欧奔 《应用科技》 CAS 2020年第2期48-52,共5页

电池管理系统作为新能源汽车的一项关键技术在能量管理方面有着十分重要的作用。为了解决电池管理系统中主控制器与芯片的通信问题,本文提出了一种使用三极管等半导体元件设计出的电平迁移电路模块,并用双线级联的电平迁移电路,实现各... 电池管理系统作为新能源汽车的一项关键技术在能量管理方面有着十分重要的作用。为了解决电池管理系统中主控制器与芯片的通信问题,本文提出了一种使用三极管等半导体元件设计出的电平迁移电路模块,并用双线级联的电平迁移电路,实现各个芯片端口的信息交互。该模块无需采用隔离电路,就能实现不同电压芯片间的多主通信,实验结果表明,电路工作正常,实现了预期效果。 展开更多

关键词 电池管理系统 电平迁移 隔离电路 I2C总线 双线串行接口 多主机工作模式 双线多主通信 通信数据包

下载PDF 职称材料

一种高压电平位移电路设计

11

作者 何宁业 方昊 王云然 《电子测试》 2022年第9期9-12,共4页

伴随半导体器件及其制造工艺的不断发展完善,高性能MOSFET器件日渐走上发展舞台,一跃成为主流功率器件。因其能耐高压、可耐受电流大和热稳定性良好等优势,在日常生活中的多个电气设备领域中都有着广泛的应用。本文基于高压BCD工艺,针... 伴随半导体器件及其制造工艺的不断发展完善,高性能MOSFET器件日渐走上发展舞台,一跃成为主流功率器件。因其能耐高压、可耐受电流大和热稳定性良好等优势,在日常生活中的多个电气设备领域中都有着广泛的应用。本文基于高压BCD工艺,针对用于高压MOSFET半桥驱动电路中的高压电平位移电路进行了仿真设计。该电路能够有效提高器件控制能力,实现将低电源轨信号传输到浮动高电源轨,较普通电路而言大大降低了电路功耗,提高了电路的抗噪性能和稳定性能。 展开更多

关键词 半桥驱动电路 高压电平位移电路 LDMOS

下载PDF 职称材料

用于电池管理系统的高压多路选择器（英文） 被引量：2

12

作者 宗勇 聂凯明 +1 位作者 于长伟 高静 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期33-38,共6页

提出了一种用于在电池管理系统(BMS)中传输和转换高共模电压的多路复用器.该多路复用器由高压开关和电平移位电路组成.在电平移位电路中,引入电阻分压器和金属层叉指电容两种结构,解决了普通电容器不能承受高电压的问题.提出了一种用于... 提出了一种用于在电池管理系统(BMS)中传输和转换高共模电压的多路复用器.该多路复用器由高压开关和电平移位电路组成.在电平移位电路中,引入电阻分压器和金属层叉指电容两种结构,解决了普通电容器不能承受高电压的问题.提出了一种用于校准电容、电阻失配和参考电压偏差的校准方案.基于0.25μm1P4M 80 V BCD工艺完成该高压多路选择器设计,并用于一款电池监控芯片中.高压多路选择器版图提取的后仿真结果表明:采用电阻分压器方法,最大误差从11.2%降低到1.9%;采用叉指电容方法,最大误差从8.7%降低到2.7%.该高压多路复用器可以传输和转换0-70 V共模电压. 展开更多

关键词 高压 多路选择器 电平移位电路 校准

原文传递