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Hydrogen Passivation in Mc-Si for Solar Cells 被引量:1
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作者 WANG Xiao quan, YANG De ren, XI Zhen qiang, QUE Duan lin (State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第4期228-233,共6页
The effect of hydrogen passivation on multicrystalline silicon (mc-Si) used for solar cells is described, and the mechanism of hydrogen diffusion and passivation is also investigated. Then, the hydrogen passivation pr... The effect of hydrogen passivation on multicrystalline silicon (mc-Si) used for solar cells is described, and the mechanism of hydrogen diffusion and passivation is also investigated. Then, the hydrogen passivation processes applied in industries and research laboratories are introduced. Finally the existing problems and the prospects of hydrogen passivation are reviewed. 展开更多
关键词 HYDROGEN PASSIVATION Mc--Si
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Experiment study on micro-structure on different crystallographic planes of mc-Si etched in alkaline solution 被引量:1
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作者 WANG KunXia FENG ShiMeng +4 位作者 XU HuaTian TIAN JiaTong YANG ShuQuan HUANG JianHua PEI Jun 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第6期1509-1514,共6页
The investigation of multi-crystalline silicon (mc-Si) surface etching technology is a key point in solar cell research. In this paper, mc-Si surface was etched in the common alkaline solution modified by an additiv... The investigation of multi-crystalline silicon (mc-Si) surface etching technology is a key point in solar cell research. In this paper, mc-Si surface was etched in the common alkaline solution modified by an additive for 20 minutes at 78-80~C. Samples' surface morphology was observed by scanning electron microscope (SEM). It is firstly found that the etched mc-Si surface has the uniform distribution of trap pits although the morphologies of trap pits are slightly different on different crystallographic planes. Si (100) plane was covered with many small Si-mountaln ranges or long V-shape channels arranged in a crisscross pat- tern. For (110) plane and (111) plane, they were full of a lot of triangle pit-traps (or quadrilateral holes) and twisted earthworm trap pits, respectively. The measured reflectance of the sample was 20.5% at wavelength range of 400--900 nm. These results illustrate that alkaline solution modified by an additive can effectively etch out trap pits with a good trapping light effect on mc-Si surfaces. This method should be very valuable for mc-Si solar cells. 展开更多
关键词 mc-si wafers chemical etching surface structure trapping effect reflectance
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Generation Mechanism of Inhomogeneous Minority Carrier Lifetime Distribution in High Quality mc-Si Wafers and the Impacts on Electrical Performance of Wafers and Solar Cells 被引量:1
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作者 Xianxin Liu Genghua Yan Ruijiang Hong 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第11期1094-1100,共7页
To find out the causation of inhomogeneous minority carrier lifetime distribution in high quality multicrystalline silicon (mc-Si) wafers, impurities and lattice defects were systematically studied by means of Fouri... To find out the causation of inhomogeneous minority carrier lifetime distribution in high quality multicrystalline silicon (mc-Si) wafers, impurities and lattice defects were systematically studied by means of Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy and metallography, Inhomogeneously distributed oxygen impurity and dislocations were demonstrated to be key leading factors, and the restriction mechanism was discussed. Scattering process caused by ionized impurities and dislocations decreased carrier mobility, while carrier concentration was not significantly affected. Measurements showed that resistivity was higher and more dispersive in low lifetime area. Solar cells were fabricated with these wafers. Cells' efficiency of inhomogeneous ones exhibited averagely 0.27% lower than the regular ones in absolute terms. Recombination centers and leakage loss induced by dislocations and impurities led to the reduction in shunt resistors and open-circuit voltage, and then affected the performance of cells. 展开更多
关键词 mc-si wafers Minority carrier lifetime Oxygen impurity Dislocation
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半连续铸造亚共晶Al-Si合金的晶粒细化研究进展 被引量:1
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作者 马韬 马鸿彬 +2 位作者 蒋斌 林顺岩 褚庆元 《有色金属加工》 CAS 2023年第5期30-39,48,共11页
大规格Al-Si合金铸锭的晶粒细化,一直是工业化生产的难点和研究的热点。重点综述了细化剂Ti和Si中毒、B与Sr毒化对合金晶粒细化的影响,并介绍了熔体强剪切(melt conditioned direct chill,MC)MC-DC铸造方式细化Al-Si合金晶粒组织的优点... 大规格Al-Si合金铸锭的晶粒细化,一直是工业化生产的难点和研究的热点。重点综述了细化剂Ti和Si中毒、B与Sr毒化对合金晶粒细化的影响,并介绍了熔体强剪切(melt conditioned direct chill,MC)MC-DC铸造方式细化Al-Si合金晶粒组织的优点及局限性,并提出了亚共晶Al-Si合金晶粒细化的研究新思路和发展方向,以期为工业化半连续铸造亚共晶Al-Si合金的生产提供参考和借鉴。 展开更多
关键词 AL-SI合金 晶粒细化 复合变质 MC-DC铸造
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含氟表面活性剂对多晶硅绒面微结构的影响 被引量:5
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作者 林育琼 冯仕猛 +3 位作者 王坤霞 顾俊 刘少军 刘峰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期502-505,共4页
在酸制绒液中加入含氟表面活性剂,对多晶硅片制绒。然后通过扫描电子显微镜观察多晶硅表面织构,并在此基础上分析含氟表面活性剂对腐蚀效果的影响。实验结果表明:虽然传统酸液对多晶硅制绒是各向同性的,但加入含氟表面活性剂后,酸腐蚀... 在酸制绒液中加入含氟表面活性剂,对多晶硅片制绒。然后通过扫描电子显微镜观察多晶硅表面织构,并在此基础上分析含氟表面活性剂对腐蚀效果的影响。实验结果表明:虽然传统酸液对多晶硅制绒是各向同性的,但加入含氟表面活性剂后,酸腐蚀出现各向异性腐蚀特性;由此制备的多晶硅片反射率从25.7%下降到了23.9%,表面出现变形的金字塔、三角形等,且不同晶面的金字塔和三角形的大小和倾斜角度不同。最后根据杨氏理论,从界面张力的角度解释了含氟表面活性剂对制绒的影响机理。 展开更多
关键词 氟表面活性剂 多晶硅片 绒面
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Direct-PECVD a-SiOx:H/a-SiNx:H叠层系统对多晶硅电池的钝化研究 被引量:2
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作者 王振交 季静佳 +1 位作者 施正荣 李果华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期387-391,共5页
本文中应用全部PECVD工艺沉积a-SiOx:H、a-SiNx:H,和a-SiOx:H/a-SiNx:H叠层系统,比较了不同钝化膜对多晶硅太阳能电池发射极和背面钝化效果,应用FGA、RTP等热处理方法对钝化膜进行处理,重点讨论了FGA(Forming gas annealing)温度和时间... 本文中应用全部PECVD工艺沉积a-SiOx:H、a-SiNx:H,和a-SiOx:H/a-SiNx:H叠层系统,比较了不同钝化膜对多晶硅太阳能电池发射极和背面钝化效果,应用FGA、RTP等热处理方法对钝化膜进行处理,重点讨论了FGA(Forming gas annealing)温度和时间的长短对钝化的影响。结果表明:低温FGA对只有单面钝化膜的硅片钝化效果不明显,而在800℃下FGA有明显作用,而且钝化效果随着时间的增加呈现出先增大后减小然后再增大的现象;退火后降温环境中是否有H和降温时间对钝化效果有很大的影响,但是对于双面膜无论FGA温度高低对钝化都有帮助,文中对上述现象做了合理的解释。最后利用双面叠层钝化膜经过FGA处理后得到的多晶硅片的少子寿命达到14.2μs,比镀膜之前的3.0μs提高了11.2μs,使多晶硅太阳能电池暗电压Voc达到630mV。 展开更多
关键词 PECVD a-SiOx:H/a-SiNx:H 少子寿命 FGA 多晶硅
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铸造多晶硅的吸杂 被引量:6
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作者 石湘波 许志强 +2 位作者 施正荣 朱拓 汪义川 《江南大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第6期749-752,共4页
吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3... 吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果. 展开更多
关键词 磷吸杂 铝吸杂 磷铝共吸杂 太阳电池 多晶硅太阳电池 少子寿命
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大型多接收等离子体质谱测定地质样品的硅同位素 被引量:2
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作者 程琤 陈开运 +3 位作者 包志安 宗春蕾 戴梦宁 袁洪林 《矿物岩石地球化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期454-457,401,共4页
使用Nu Plasma 1700型MC-ICP-MS的高分辨模式并采用标准-样品交叉法(SSB)测定Si同位素比值,以减少质谱干扰和仪器质量歧视对测定结果的影响。结果表明样品与标准样之间的Si浓度差异程度与Si同位素测量值呈正相关关系,样品与标准样的Si... 使用Nu Plasma 1700型MC-ICP-MS的高分辨模式并采用标准-样品交叉法(SSB)测定Si同位素比值,以减少质谱干扰和仪器质量歧视对测定结果的影响。结果表明样品与标准样之间的Si浓度差异程度与Si同位素测量值呈正相关关系,样品与标准样的Si浓度差异低于20%时,Si同位素测量值差异小于0.04‰。测试部分国际常用标准样品的Si同位素组成,结果与文献报道值在误差范围内一致,δ^(30)Si测量精度优于0.07‰/amu。 展开更多
关键词 硅同位素 MC-ICP-MS 高分辨 浓度效应 岩石样品
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太阳能级多晶硅片表面制绒的研究
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作者 管世兵 殷伟琦 +1 位作者 严俊 顾顺超 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期37-39,48,共4页
主要研究多晶硅太阳能电池片工业制绒的酸腐蚀过程,腐蚀液是由HNO3、HF和H2SiF6组成的混合液,未添加其他试剂作为反应缓释剂;采用SEM和紫外分光光度计对多晶硅片表面制绒形貌进行观察和检测分析。实验过程中,按照工业生产的实际模型,首... 主要研究多晶硅太阳能电池片工业制绒的酸腐蚀过程,腐蚀液是由HNO3、HF和H2SiF6组成的混合液,未添加其他试剂作为反应缓释剂;采用SEM和紫外分光光度计对多晶硅片表面制绒形貌进行观察和检测分析。实验过程中,按照工业生产的实际模型,首先研究确定了最佳腐蚀时间为2min,之后主要研究了酸腐蚀过程中的H2SiF6浓度对多晶硅表面制绒效果的影响,优化得到H2SiF6的最低含量为2%,并确定最佳腐蚀工艺条件,为进一步回收利用腐蚀废液提供依据。 展开更多
关键词 多晶硅 酸腐蚀时间 氟硅酸 制绒效果 反射率
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反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池 被引量:3
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作者 刘文峰 赵增超 +2 位作者 周子游 黄海龙 蔡先武 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期880-885,共6页
为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究... 为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38%,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25%。由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22%,对行业推广低成本的金刚线切硅片有重大意义。 展开更多
关键词 黑硅 太阳电池 反射率 金刚线切多晶硅片
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Fault Tree Reliability Analysis for Passive Medium Pressure Safety Injection System in Nuclear Power Plant 被引量:3
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作者 Lengshan Leng Yun Liu 《Energy and Power Engineering》 2013年第4期264-268,共5页
Modern nuclear power plants, both newly designed generation 3 and existing generation 2 reactors, make use of passive safety systems for significant and measurable improvements in safety and reliability. Medium Pressu... Modern nuclear power plants, both newly designed generation 3 and existing generation 2 reactors, make use of passive safety systems for significant and measurable improvements in safety and reliability. Medium Pressure Safety Injection System (MP-SIS) in Tianwan Nuclear Power Plant is a typical and very important nuclear safety passive system. This paper discusses the reliability of MP-SIS on the basis of Fault Tree Analysis (FTA) with unavailability and Minimal Cut Set (MCS) calculated as two important indicators. The result illustrates that the passive MP-Safety Injection Tank barely contributes to the system’s unavailability and human interactions with Manual Valves and Motor Operated Valves have great negative impact on the reliability. 展开更多
关键词 PASSIVE SAFETY System MP-SIS FTA Unavailability MCS
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多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究 被引量:8
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作者 王立建 刘彩池 +1 位作者 孙海知 郝秋艳 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期289-291,共3页
采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶Si表面分布均匀的蚯蚓状腐蚀坑... 采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶Si表面分布均匀的蚯蚓状腐蚀坑,反射率很低,在等离子增强化学气相沉积(PECVD)Si3N4减反射膜后,反射率大大下降。 展开更多
关键词 表面织构 多晶Si 太阳电池
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Research on ultra-small textured surface of multicrystalline silicon solar cell 被引量:2
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作者 LI HaoFeng JIA Rui +8 位作者 DOU BingFei CHEN Chen XING Zhao YANG YongZhou DING WuChang MENG YanLong LIU XinYu YE TianChun LI ShangQing 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第4期952-956,共5页
The ultra-small textured surface of multicrystalline silicon solar cell,prepared by electroless chemical-etching method,shows an excellent anti-reflection property over a wide spectral bandwidth.A novel back surface p... The ultra-small textured surface of multicrystalline silicon solar cell,prepared by electroless chemical-etching method,shows an excellent anti-reflection property over a wide spectral bandwidth.A novel back surface protection method and front surface passivation method have been used in the multicrystalline solar cells with ultra-small textured surfaces.With these improvements,the back surface remains intact after the etch process and the efficient minority lifetime is apparently increased.The test result shows that the solar cell with ultra-small textured surface can obtain better electrical performances by these improvements. 展开更多
关键词 mc-si solar cell ultra-small texture ANTI-REFLECTION surface passivation
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